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12V50W邁瑞L9389生化儀燈泡
產品詳細介紹12V50W邁瑞L9389生化儀燈泡category: Specialty volt: 12 amp: 4.17 watt: 50 base: GY9.5 - Prefocus, 2-pin; round 3.2mm & 2.4mm9.53mm centered, Ceramic Base(found on high voltage bulbs) glass: T12mm filament: C6 fil.res.: 2.88 ohm m.o.l.: 2.36 inch (59MM) l.c.l.: 1.31 inch (33MM) burn pos: burn lamp in ANY position i.lumens: 900 cp: 72 cri: 99 color temp: 3000 d.hours: 2000 notes: clear glassPartNo. Volts Amps Lumens CCT Burning Position Filament Type D MOL LCL Base Type L9389 12.00 4.17 900 3000 Any C-6 12 60.00 33.30 GY9.5 L9404 12.00 1.67 300 2900 Any C-6 11 55.00 30.30 GY9.5
東莞市毅邁光源照明有限公司
2021-08-23
一種倍半萜衍生物的晶型及其制備方法與用途
本發明提供了一種倍半萜衍生物的晶型及其制備方法與用途，晶型A的X?ray粉末衍射圖譜中，2θ衍射角在6.840±0.2、9.390±0.2、15.980±0.2、16.830±0.2、17.780±0.2、18.760±0.2、19.340±0.2、20.400±0.2、21.910±0.2、23.280±0.2、25.520±0.2、26.680±0.2、27.490±0.2、32.110±0.2、32.300±0.2、37.980±0.2、44.230±0.2的位置對應有特征衍射峰。本發明所述的晶型A結晶度高、基本上具有不吸濕性；顯示出更有利的溶解動力學。
南開大學
2021-04-10
冶金焦炭微晶結構的定向控制與提高熱性質集成技術
隨著高爐冶煉強度的提高和優質煉焦煤資源的緊缺加劇，以熱性質為重點的焦炭質量優化制備技術得到冶金界越來越重視。從煉焦煤性質、配煤原理、配煤技術、焦炭分子和微晶結構、焦炭熱性質控制因素、焦炭爐外處理技術及降低焦炭制備成本等方面持續研究焦炭優化生產理論和技術，提出了焦炭微結構與熱性質的定向控制的集成技術。 利用現代分析儀器XRD/XPS/SEM/TEM/ROMAN/AFM等全面系統的研究焦炭的碳微晶結構、氣孔結構，以及礦物質的化學組成等，提出了表征焦炭碳微晶的微晶化度、表征氣孔性質的氣孔粗糙度、表征礦物質對焦炭化學反應催化作用的催化指數等參數，揭示了控制焦炭熱性質的本征因素是焦炭微晶化度－氣孔結構參數－催化指數。 將冶金焦炭作為多孔脆性材料，運用材料力學及其破碎斷裂有關理論，研究了焦炭在加熱過程中的形貌變化、高溫熱膨脹性能、高溫彈性模量、高溫抗拉抗折強度等，提出了焦炭熱性質的新概念。 在全面系統的研究了煉焦煤性質和配伍性、配煤煉焦過程機理及其與焦炭熱性質關系的基礎上，提出了“碳合金”配煤新概念和初步實現焦炭微晶結構定向控制，建立了基于碳合金配煤理論的焦炭冷熱強度預測模型，擴大了煉焦煤源，使大型高爐用焦炭配煤中不粘煤配比最高可達到20％，可產生巨大的經濟和社會效益。 針對優質煉焦煤源日益緊缺的狀況，提出了進一步提高焦炭熱性質的爐外處理技術設想，并在實驗室內詳細研究了基于化學催化理論的負催化技術、化學氣相熱解沉積理論的表面處理技術等對提高焦炭熱性質的作用，表明合適的爐外處理技術可以大幅度提高焦炭熱性質。
上海理工大學
2021-04-11
釹鐵硼晶界組織重構及低成本高性能磁體生產關鍵技術
浙江大學
2021-05-10
利用浮選尾礦回收磷并生產石膏晶須和氯化鎂技術
中試階段/n本項目解決浮選尾礦污染、回收磷資源并生產石膏晶須和氯化鎂技術問題。可以尾礦中98%的磷、利用95%的鈣和99%的鎂，生產的石膏晶須長徑比達到5080，氯化鎂達到工業一級品標準，具體技術指標如下：。相關概述：(1)特點：資源回收率高，成本低；(2)適用礦：浮選磷尾礦；(3)廢水廢氣回收利用，無環境污染；(4)能高質利用磷尾礦。。生產條件：陶瓷反應釜；蒸餾釜；結晶釜；回水池。。支持額度：。500。萬元。承接單位：。湖北省。項目進展：。本項目解決浮選尾礦污染、回收磷資源并生產石膏晶須和氯化鎂技術問題。可以尾礦中98%的磷、利用95%的鈣和99%的鎂，生產的石膏晶須長徑比達到5080，氯化鎂達到工業一級品標準，具體技術指標如下：相關概述：(1)特點：資源回收率高，成本低；(2)適用礦：浮選磷尾礦；(3)廢水廢氣回收利用，無環境污染；(4)能高質利用磷尾礦。生產條件：陶瓷反應釜；蒸餾釜；結晶釜；回水池。。項目基本內容：。我國能利用的磷礦資源中，都需要選礦，產生大量的浮選磷尾礦而在成環境污染；本項目利用磷尾礦和副產鹽酸和磷酸回收磷酸，生產石膏晶須和氯化鎂，所用原料為負成本，回收磷可以直接用于復合肥生產、石膏晶須為高質原料，氯化鎂用于高檔陶瓷或阻燃劑的原料。能滿足環保、節能，效益的要求。因此有廣泛的市場前景。生產1噸尾礦成本約600元，產出1200元1200元/噸，效益明顯。本項目解決浮選尾礦污染、回收磷資源并生產石膏晶須和氯化鎂技術問題。可以尾礦中98%的磷、利用95%的鈣和99%的鎂，生產的石膏晶須長徑比達到5080，氯化鎂達到工業一級品標準，具體技術指標如下：相關概述：(1)特點：資源回收率高，成本低；(2)適用礦：浮選磷尾礦；(3)廢水廢氣回收利用，無環境污染；(4)能高質利用磷尾礦。生產條件：陶瓷反應釜；蒸餾釜；結晶釜；回水池。
武漢工程大學
2021-04-11
水熱法制備堿式硫酸鎂晶須的研究與開發
1 成果簡介利用我國豐富的鎂資源，依托技術創新開發高附加值的功能性粉體材料是鎂鹽行業面臨的一個共同課題。本項目通過制備塑料增強材料－堿式硫酸鎂晶須為鎂鹽的高度利用提供一條有價值的處理途徑。此外， 我國是一個塑料生產大國，在塑料產品的深加工及增值方面有很大技術潛力和市場空間，制備晶須-塑料高性能復合材料是其中重要的發展方向之一。 晶須是指以單晶形式生長的形狀類似短纖維，而尺寸遠小于短纖維的針狀單晶體，是一種力學性能十分優異的復合材料補強增韌劑。堿式硫酸鎂晶須具有輕質、高韌、耐磨、耐腐蝕等特性，用其制備的復合材料具有強度高、比重小的特點，可用于制備高性能晶須－塑料復合工程材料如高強塑料容器、管材、板材、齒輪、刀具、軸承、滾壓設備等，也可用于航空航天及汽車行業，目前國內市場需求是 8~10 萬噸/年。目前日本類似產品（堿式硫酸鎂晶須）的售價為 4~6 萬元/噸。2 應用說明清華大學已成功開發出水熱合成堿式硫酸鎂的實驗室技術。該項技術的主要原料為硫酸鎂（ 500~700 元/噸），工藝簡單，所需設備大多為常規設備，成本較低（約 8000 元/噸），具有較強的經濟效益和社會效益。 圖1 堿式硫酸鎂晶須形貌3 效益分析按年產 1000 噸中試規模計，成本： <8000 元/噸， 保守售價:20000 元/噸， 年創產值（萬元）： 1000′20000?10000=2000，年創利稅（萬元）： 1000′(20000-8000)?10000=1200。
清華大學
2021-04-13
鐵基、鈷基、鎳基非晶合金粉末的生產方法
該技術采用共沉積+剝離+破碎法制備非晶合金粉末，擺脫了水霧法對非晶成形能力的限制，適用于可以與鐵、鈷、鎳一起共沉積元素合金體系非晶合金粉末的生產。該粉末適合用于磁性材料、催化劑等領域。 該成果已申請一系列（鎳基、鐵基、鈷基的非晶電鍍，非晶粉末，催化電極等）發明專利，已有部分取得授權。
長沙理工大學
2021-01-12
種立方體鉑釕核殼納米晶的制備方法及其產物
本發明涉及一種立方體鉑釕核殼納米晶的制備方法，包含以下步驟：1)將乙酰丙酮釕、含鉑化合物和三正辛基氧膦溶解于油胺和N，N?二甲基甲酰胺的混合溶液中；所述的含鉑化合物為氯鉑酸或氯鉑酸鈉；2)將步驟1)中得到的混合溶液在180～250℃下，攪拌反應30～600min；3)將步驟2)中得到的產物經分離，得到沉淀物，即為立方體鉑釕核殼納米晶。本發明還涉及上述方法制備得到的立方體鉑釕核殼納米晶。該制備方法通過一步法獲得形貌尺寸均一的立方體鉑釕核殼納米晶，所得的產物尺寸適中、分散性好，且制備方法簡單。
浙江大學
2021-04-13
一種新型韌性顆粒強化的鐵基非晶基復合涂層
本發明提供一種新型韌性顆粒強化的鐵基非晶基復合涂層，以 鐵基非晶合金粉末和韌性金屬粉末的機械復合粉末為原料，其中鐵基 非晶合金粉末由下述元素和不可避免的雜質組成：Cr10.0-17.0； Mo12.0-20.0；B4.0-8.0；C10.0-18.0；Y0.0-5.0；Fe 余量（原子百分比）； 韌性金屬粉末可以采用：不銹鋼粉末、鎳基金屬粉末、鈷基金屬粉末、 鋁基金屬粉末或銅基合金粉末；該涂層采用超音速火焰噴涂技術制得。 本發明獲得的鐵基非晶基復合涂層結構致密，孔隙率低，具有較高的 韌性以及與金屬基材良好的結合強度。該復合涂層水力及油氣田開發 設施、管道運輸、船舶甲板等諸多工業領域有著極大的應用前景
華中科技大學
2021-04-13
一種錐形的非晶SiO2納米線及其制備方法
本發明屬于納米材料領域，特別涉及一種錐形的非晶的SiO2納米線及其制備方法。本發明提供的錐形SiO2納米線如圖1所示，形貌上納米線根部直徑300nm~600nm，高度2~4um，對于一根納米線，隨高度增加，直徑逐漸減小，成圓錐形，圓錐角4~15°且可以通過調控原料的量使得納米線直徑，高度以及錐角發生變化。成分上Si和O，不含催化劑。所述方法的工藝步驟為：（1）生長基底及載物盤的清洗；（2）半封閉勢井形氣流裝置的組合（3）錐形SiO2納米線的生長。在通流動載流氣體條件下將高溫區管式爐升溫至1250°，爐內壓強保持在0.04~0.06Mpa，然后在上述溫度和壓強保溫2~5h，保溫時間屆滿后，所述生長基底上即生長出錐形SiO2納米線；所述載流氣體為H2和Ar組成的混合氣體，H2的體積百分數為3~7%，Ar的體積百分數為93~97%。
四川大學
2016-10-21