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本項(xiàng)目共包括10項(xiàng)授權(quán)專利，其中高品質(zhì)微波單晶薄膜的制備工藝獲得3項(xiàng)專利技術(shù)，同時(shí)將這種單晶薄膜應(yīng)用在微波器件/結(jié)構(gòu)、太赫茲結(jié)構(gòu)/器件和自旋邏輯器件中等，共獲得7項(xiàng)專利技術(shù)。本項(xiàng)目突破了我國(guó)在3英寸石榴石系列單晶體材料以及相關(guān)器件研究上的瓶頸技術(shù)，獲得了高法拉第效應(yīng)和低鐵磁共振線寬的大尺寸高質(zhì)量石榴石單晶薄膜材料。滿足了國(guó)內(nèi)在磁光、微波及毫米波集成器件方面對(duì)石榴石系晶體材料的需求，擺脫了完全依賴進(jìn)口、受制于人的不利局面。（1）建成了我國(guó)第一條大尺寸磁

專利內(nèi)容是本發(fā)明針對(duì)背景技術(shù)存在的缺陷，提出了一種釔鐵石榴石單晶薄膜及其液相外延制備方法，本發(fā)明得到的釔鐵石榴石單晶薄膜的鐵磁共振線寬很窄，達(dá)到了1Oe以下（0.4Oe），薄膜表面的粗糙度、晶格匹配、應(yīng)力、含鉛量、雜相等都得到了較大的改善。

本發(fā)明公開了一種釔鋁石榴石(YAG)納米粉體的制備方法，其特點(diǎn)是將R2O3，Y2O3，鋁為原料，按照化學(xué)組成(RxY1-x)3Al5O12稱取，配成鹽溶液，Al3+的濃度為0.01～0.07mol/L，其中X=0.01～0.05；將沉淀劑配成濃度為0.5～1.5mol/L的溶液，沉淀劑摩爾數(shù)為鹽溶液總摩爾數(shù)的8～12倍，鹽溶液與沉淀劑的體積比為0.625～6.25；然后，將上述鹽溶液和沉淀劑通過蠕動(dòng)泵，用并流沉淀法以2～50mL/min的鹽溶液和以2～24mL/min沉淀劑均勻混合，得到沉淀物；沉淀物經(jīng)陳化，洗滌，干燥后過篩得到前驅(qū)體；前驅(qū)體在溫度900-1100℃煅燒得到摻釹釔鋁石榴石納米粉體。

專利內(nèi)容是本發(fā)明針對(duì)背景技術(shù)存在的缺陷，提出了一種單晶石榴石厚膜的間歇式液相外延生長(zhǎng)方法，緩解了襯底與薄膜之間的應(yīng)力產(chǎn)生，得到的單晶石榴石厚膜可作為磁光或微波厚膜應(yīng)用，該方法制得的磁光厚膜的厚度可達(dá)100µm以上。

棗莊嶧城數(shù)十萬余畝的冠世榴園，被譽(yù)為“中國(guó)古榴之鄉(xiāng)”，已載入天下吉尼斯大全。本地群眾向來有以榴葉煎茶以待高朋之美俗。據(jù)《圖經(jīng)本草》紀(jì)錄：“榴葉者，主治咽喉燥渴、止下痢漏精、止血之功效。”石榴茶因此石榴嫩葉為質(zhì)料，運(yùn)用當(dāng)代制茶工藝加工制作而成，含有十八種氨苦酸，含C、E、B2、P等多種維生素。榴葉茶具有解毒、掩護(hù)肝臟、防備血栓、壞血病及種種出血性疾病的作用，還具有降低血脂、血糖、軟化血管、加強(qiáng)心肌活氣，預(yù)防癌癥和動(dòng)脈粥樣硬化，延緩生命朽邁之特別成果。榴芽茶是一種以石榴新苗為重要質(zhì)料研制而成的茶劑，具有生津止渴、收斂固澀、止瀉止血，對(duì)糖尿病人有一定的保健作用。 本項(xiàng)目合作的目的是利用廠家的現(xiàn)有資源和江蘇省藥用植物生物技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的技術(shù)，提升產(chǎn)品品質(zhì)，滿足消費(fèi)者需求。項(xiàng)目合作單位：江蘇省藥用植物生物技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、棗莊康源石榴開發(fā)有限公司

目前在工業(yè)上廣泛采用的CVD技術(shù)制備硅膜，工藝和設(shè)備復(fù)雜，成本高，且在安全和環(huán)保環(huán)節(jié)上投入巨大。我們?cè)趪?guó)內(nèi)首創(chuàng)出了微晶硅薄膜的PVD法沉積工藝，在溫度低于300度的條件下，在單晶硅片和普通玻璃片上制備出不同結(jié)晶度的微晶硅薄膜和納米結(jié)構(gòu)硅薄膜，可以得到具有高度<111>方向取向生長(zhǎng)的微晶硅薄膜，并實(shí)現(xiàn)了控制工藝的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。利用磁控濺射技術(shù)成功實(shí)現(xiàn)微晶硅薄膜的制備是一項(xiàng)重大突破，從根本上克服了現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，具有綠色、高效、簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。目前需要合作伙伴，把該實(shí)驗(yàn)室技術(shù)放大到工業(yè)規(guī)模。

“一種化學(xué)浴沉積擇優(yōu)取向生長(zhǎng)的納米晶Cu2O薄膜的制備方法”屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域。現(xiàn)有方法一般對(duì)設(shè)備要求較高，需要比較復(fù)雜的程序，而最終難以控制成本，這會(huì)嚴(yán)重影響Cu2O薄膜的應(yīng)用范圍。本發(fā)明提供的納米晶Cu2O薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：分別按照硫酸銅與檸檬酸三鈉的摩爾濃度比范圍為12∶8～12∶36，硫酸銅與抗壞血酸鈉的摩爾范圍為1∶3～5∶6，將抗壞血酸鈉、檸檬酸三鈉溶液依次加入硫酸銅溶液中，使充分絡(luò)合；調(diào)節(jié)溶液pH值至7.0～10.0；置于50°C～95°C水浴溫度中反應(yīng)1.0h～3.

本發(fā)明公開了一種防腐耐磨鐵基非晶薄膜及其制備方法，其包 括的成分及該成分的原子百分比含量分別為：14.0～22.0at.％Cr，6.0～ 16.0at.％Mo，4.0～7.0at.％B，4.0～20.0at.％C，0.0～3.0at.％W 以及余 量的 Fe。其制備方法包含 S1 制備單一合金靶材；S2 選擇襯底材料， 將襯底表面進(jìn)行平整化，然后清洗并吹干待用；S3 進(jìn)行磁控濺射，其 中，背景真空度值不高于 5x10<sup

主流硅基芯片CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）技術(shù)正面臨短溝道效應(yīng)等物理規(guī)律和制造成本的限制，需要開發(fā)基于新材料和新原理的晶體管技術(shù)來延續(xù)摩爾定律。高遷移率二維半導(dǎo)體因其超薄的平面結(jié)構(gòu)和獨(dú)特的電子學(xué)性質(zhì)，有望成為“后摩爾時(shí)代”高性能電子器件和數(shù)字集成電路的理想溝道材料，進(jìn)一步縮小晶體管的尺寸和提高其性能。為滿足集成電路加工工藝和器件成品率對(duì)溝道材料的苛刻要求，二維半導(dǎo)體單晶薄膜的大面積制備尤為關(guān)鍵與重要。然而，現(xiàn)有二維半導(dǎo)體材料體系（過渡金屬硫族化合物、黑磷等）薄膜制備仍未滿足現(xiàn)實(shí)要求，因此亟需實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)二維半導(dǎo)體單晶薄膜制備技術(shù)的突破。 該研究瞄準(zhǔn)二維半導(dǎo)體材料的晶圓級(jí)單晶制備，率先實(shí)現(xiàn)了同時(shí)具有高電子遷移率、合適帶隙、環(huán)境穩(wěn)定的二維半導(dǎo)體（硒氧化鉍，Bi2O2Se)單晶晶圓的外延生長(zhǎng)。他們基于自主設(shè)計(jì)搭建的雙溫區(qū)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，在商用的鈣鈦礦單晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se與鈣鈦礦完美的晶格匹配性及較強(qiáng)的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圓級(jí)單晶薄膜。Bi2O2Se單晶薄膜在晶圓尺寸上表現(xiàn)出優(yōu)異的材料和電學(xué)均勻性，可被用于批量構(gòu)筑高性能場(chǎng)效應(yīng)晶體管。基于晶圓級(jí)二維Bi2O2Se單晶薄膜的標(biāo)準(zhǔn)頂柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管展現(xiàn)了高的室溫表觀遷移率（>150 cm2/V s）、大的電流開關(guān)比（>105）和較高的開態(tài)電流（45μA/μm）。相關(guān)成果發(fā)表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。

項(xiàng)目為一種超硬的非晶四面體碳（ta-c）薄膜的制備裝置和工藝，該薄膜具有極好的物理化學(xué)特性，在碳基薄膜中，是目前國(guó)際上公認(rèn)的SP3鍵含量最高，超過85%，特性最接近天然金剛石的薄膜，硬度達(dá)到HV≥85Gpa，可見光和紅外光透明，透光率達(dá)97%，吸收紫外光，達(dá)98%，薄膜均勻性好，薄膜平整度達(dá)0.2nm，摩擦系數(shù)≤0.08，電阻率達(dá)（1012Ω·cm），擊穿電壓3.5×106，（），熱導(dǎo)率18（）,密度3.5（g/cm3），薄膜致密耐腐蝕作用極好。 該項(xiàng)目可用于高精度專有刀具、模具和摩擦滑動(dòng)部件，提高使用壽命，減小摩擦，如手術(shù)和美容刀具、絲錐、PCB鉆、拉絲模、沖壓模具、壓縮機(jī)滑塊，滑動(dòng)環(huán)等；用于視窗、鏡片和傳感器表面，可防止劃傷，增強(qiáng)散熱，利于紅外光傳遞，等；用于激光透鏡，可提高損傷閾值；用于射線輻射測(cè)量傳感器，可抗射線輻射損傷，提高測(cè)量的靈敏度。