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產品詳細介紹該品按國家標準生產，功率36W，根據教室安裝設計問題可適調整功率，色溫5000K，顯指大于90Ra，無藍光傷害，眩光值小于16，無頻閃。有各類證書及檢驗報告，可工程投標。該產品由我公司專業研發生產，有各類證書及檢驗報告，防眩光，無藍光傷害，無頻閃，可工程投標，我公司可配合工程投標文件制作指導，可指導安裝，以確保質檢局驗收合格。聯系電話18818729944

產品詳細介紹河北滄州青縣合力達電器設備有限公司是一家專業致力于生產LED顯示屏箱體的廠家。我公司生產的顯示屏箱體外殼：標準、非標準、簡易、防水、磁吸、條屏、弧形屏、前維護屏等，尺寸自定、結構強度大、平整度好、易拼接。P10/P16的簡易箱體有庫存，能當天發貨。P10/P16/P25室外全防護箱體和P6/P7.62的室內磁吸表貼小框5-7天內發貨。我公司承接設計加工各種異型LED顯示屏箱體，只要您提供模組數量和排列，就能為您設計出讓您滿意的箱體。顯示屏防水箱體，適于戶外顯示屏安裝，通風、防水，強度大，平整度好，采用A3冷軋鋼板制作，戶外粉末靜電噴涂耐腐蝕、耐老化。 加工貿易形式 任何形式 ，電話13463173267李永梅

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產品詳細介紹　　特點：　　■單路輸出　　■雙數碼管LED分別顯示輸出電壓和輸出電流值　　■穩壓穩流狀態自動轉換，并由發光管指示　　■采用電流限制保護方式，限流點任意調節　　■全塑面框，外型精致實用 　　■紋波與躁音：CV≤1mvrms CC≤5mAms　　■電源效應： CV≤1×10-4+0.5mv CC≤2×10-3+1mA　　■負載效應： CV≤1×10-4+2mv CC≤2×10-3+3mA 　　■體積與重量： 285×155×133  

LED型光照培養箱微電腦全自動控制，觸摸開關，操作簡便；可編程多段控制方式，白天、黑夜均可單獨設置溫度、濕度、光照度和時間等。風道式通風，工作室風速柔和，溫度均勻；中空反射鋼化渡膜玻璃，絕熱性能好，美觀大方。全封閉不透光燈罩，選裝工作室電源，消毒裝置等。 　　LED型光照培養箱使用說明 　　1、接通電源，合上電源開關，整機通電，開關內的電源指示燈亮。 　　2、控溫設定請參考智能型數字溫度控制器說明書。 　　3、如需照明打開照明開關。 　　4、此種培養箱有斷點保護功能及一分半鐘左右延時功能，壓縮機停機后再次啟動要達一分半鐘左右。 　　LED型光照培養箱維護和培養 　　1、培養箱外殼應可靠接地。 　　2、培養箱要放置在陰涼、干燥、通風良好、遠離熱源和日曬的地方。放置平穩，以防震動發生噪音。 　　3、為保障冷凝器有效地散熱，冷凝器與墻壁之間距離應大于100mm。箱體側面應有50mm間隙，箱體頂部至少應有300mm空間。 　　4、培養箱在搬運、維修、保養時，應避免碰撞，搖晃震動；大傾斜度小于45度。 　　5、儀器突然不工作，請檢查熔絲管(箱后)是否燒壞，檢查供電情況。 　　6、培養箱制冷工作時，不宜使箱內溫度與環境溫度之差大于25度。 　　LED型光照培養箱技術參數 　　1. 主要型號：GDN-300D-4 　　2. 溫控范圍： 0～50℃ 　　3. 外形尺寸(寬*深*高)：595*565*1900mm 　　4. 內膽尺寸(寬*深*高)：515*460*1320mm 　　5. 容積：300升 　　6. 光源：頂置LED光照板式，豎直光照。 　　7. 光照度：0～20000LX 　　8. 光照層數：4層 　　9. 溫度波動度：±0.5～±1.0℃ (0℃以下為±1.5℃) 　　10. 光照度調節范圍：0～100%Emax無級調光 　　11. 工作倉內風向及風速：近水平0.1m/s～0.3m/s 　　12. 壓縮機工作方式：間歇運行 　　13. LED光照板使用壽命：50000h 　　14. 儀器運行方式：全年連續運行 　　15. 電源：50HZ，220V ±10%

北京大學量子材料科學中心的韓偉研究員和謝心澄院士，以及日本理化學研究所的Sadamichi Maekawa教授，受邀在國際著名刊物《自然-材料》（Nature Materials)上撰寫綜述文章，介紹“自旋流--新穎量子材料的靈敏探針”這一新興領域的前沿進展。 自旋電子學起源于巨磁阻效應的發現，在當時而言，自旋流指的僅僅是電子自旋的傳播。隨著自旋電子學的蓬勃發展，與相關研究的不斷深入，新的自旋流現象與機制不斷被拓展，相關研究證明一系列的粒子或者準粒子攜帶的自旋都能夠形成自旋流，比如磁性絕緣體中的磁振子、超導體中自旋三重態和準粒子、量子自旋液體中的自旋子、自旋超導態等。尤其是對于量子材料而言，由于其往往具有獨特的自旋性質，基于自旋流探針的研究方法就成為了表征量子材料物性的有效手段。 量子材料都是凝聚態物理與材料科學領域的研究前沿之一，其量子性質起源于諸多量子效應，包括低維尺寸效應，量子限域效應，量子相干效應，量子阻挫效應，能帶結構的拓撲性，自旋軌道耦合，對稱性限制等等。量子材料包括石墨烯，高溫超導體，拓撲絕緣體，外爾半金屬，量子自旋液體，自旋超流體等等。量子材料可以表現出諸多與自旋相關的量子性質，如二維過渡金屬硫族化合物中的自旋-谷耦合，以及拓撲絕緣體當中的自旋-動量鎖定等。因為量子材料的自旋屬性在下一代的量子信息存儲和量子計算科學當中的應用潛力，所以研究量子材料的自旋相關性質得到了廣泛關注。 為了研究量子材料的自旋性質，發展一種易于實現和操控的高效工具顯得尤為迫切與關鍵。幸運的是，在實驗物理學家和理論物理學家的不懈努力下，成功的證實了自旋流探針能夠作為量子材料的有效探測手段。一系列激發和探測自旋流的方法被提出并得以實現，從而證實了基于自旋流探針的量子材料物性研究的廣泛適用性。 迄今為止，相關實驗已經證實自旋流能夠以超導體系中的自旋三重態庫珀對和超導準粒子、量子自旋液體中的自旋子、磁性絕緣體和自旋超流體中的磁振子為載體進行傳播，相關物理圖像被總結在表1中。本篇綜述文章著重介紹了在五類主要的量子材料體系中的基于自旋流探針的物性研究。第一類是超導材料體系，自旋流探針可以被用來驗證自旋三重態的存在以及自旋動力學的演化過程。第二類是量子自旋液體材料體系，自旋流探針可以被用來驗證自旋子攜帶的自旋角動量的有效傳播過程。第三類是磁性絕緣體體系，自旋流以磁振子的形式傳播，描述了磁有序材料當中的集體激發行為。第四類是雜化量子激發體系，自旋流以磁振子-聲子雜化模式（磁振子-極化子）或磁振子-光子雜化模式（磁振子-極化激元）為載體進行傳播。第五類是自旋超流體系，自旋流以玻色愛因斯坦凝聚中的自旋量子數為1的玻色子為載體進行傳播，這種玻色子可以為電子-空穴激子或者是磁振子。 這些重要的研究進展已經充分證實了基于自旋流探針的物性表征對于量子材料而言是一種行之有效的研究手段。因此，這一方法將會極大的推動新穎量子材料的發現和相關物理性質的研究。例如量子霍爾和量子自旋霍爾材料，量子鐵磁體和反鐵磁體，六角晶格體系中的量子手征聲子，自旋和力耦合的量子系統，超導體中的自旋動力學和鐵磁與超導界面的超導能隙，自旋三重態超導體中的超導對稱性，強耦合自旋系統中的雜化激發，拓撲磁振子材料，量子自旋液體中的自旋子，自旋超流體約瑟夫森效應，以及其他任何作為自旋流載體的量子態。另外，這一領域的進展還將推動自旋成像技術的發展，如利用自旋極化掃描隧道顯微鏡和氮空位色心顯微鏡技術對量子材料體系中自旋流的原位探測。

傳統的光學顯微系統受到阿貝衍射極限原理的限制，無法分辨尺度小于~200nm的事物，為了突破衍射極限，超分辨熒光顯微技術應運而生，在生物成像等領域得到廣泛應用。根據成像采集過程，超分辨方法主要可分為兩類。一種是單分子定位顯微方法（SMLM），通過熒光分子的光開關特性，孤立每個發光分子進行單獨定位。此類方法具有不受衍射極限限制的特點，可以得到10-40nm的超高分辨率，但由于分子激活漂白的循環步驟使得采集速度和成像時間較慢。另一種是如結構光照明等寬場成像的超分辨顯微技術，可以通過獲得相鄰區域/熒光分子間一定程度的響應差異來實現分辨率的提升。寬場成像的方法具有較高的時間采集效率，但由于同時激發視野內的全部分子，使得其分辨能力往往在100nm以上。目前還缺乏一種方法在理論上可以有效的兼顧寬場成像的時間采集效率和單分子定位方法的空間分辨率，因此亟需提出一種基于寬場成像對熒光分子高效調制的技術方案。 超分辨方法其本質都是通過識別單個熒光分子的獨立的發射特性獲得該分子的空間定位。如果可以對寬場成像中衍射極限以內各個發光分子熒光發射差異實現主動控制，則有可能獲得更好的超分辨顯微結果。近期，物理學院介觀物理國家重點實驗室極端光學研究團隊提出了基于量子相干控制原理主動調制分子熒光發射而獲得超分辨熒光顯微的方法（SNAC），在寬場成像下實現了分辨率的提升。課題組在ZnCdS量子點體系下獲得衍射極限范圍內各個量子點的差異化激發。通過設計多個整形脈沖，單個ZnCdS量子點的熒光差異性會得到增強。課題組通過周期性改變整形脈沖和傅立葉增強提取熒光響應的差異。同時，主動控制的圖像采集方案可以有效的抑制系統中不隨調制周期變化的泊松隨機噪聲和CMOS工藝導致的固定噪聲，極大的提升了信噪比。接著，利用獨立開發的混合周期（Combination-FFT）和多高斯擬合定位算法獲得最終的超分辨重建結果。研究模擬了鄰近雙點熒光發射的超分辨定位，其結果可以很好的分辨出低至50nm的相鄰熒光分子。對于密集標記的線性結構，SNAC的分辨能力同樣有顯著性的提高，獲得了30nm左右的徑向定位精度。在量子點標記的COS7細胞樣品的維管結構區域清晰的觀測到了維管的平行取向和姿態排布以及纖維交叉區域的95.3nm的鄰近雙峰，顯示出了比已有多種寬場超分辨方法更好的重建結果。這個研究將脈沖整形作為新的控制維度引入熒光超分辨，并將寬場超分辨成像技術的分辨率提升到了與單分子定位方法接近的50nm的水平。