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【產(chǎn)品信息】 顯色：≥ 80 功率：36W 色溫： 4000K / 5700K 產(chǎn)品尺寸： 598*598*9mm 【產(chǎn)品優(yōu)勢】 光線均勻，柔和不傷眼 專業(yè)護(hù)眼，綠色環(huán)保，節(jié)能省電

【產(chǎn)品信息】 顯色： ≥80 功率：36W 色溫： 4000K 產(chǎn)品尺寸： 1200*60*60mm 【產(chǎn)品優(yōu)勢】 一體化散熱設(shè)計(jì)，延長使用壽命 光線均勻，柔和不傷眼 專業(yè)護(hù)眼，綠色環(huán)保，節(jié)能省電

微晶超薄防眩嵌裝教室燈 項(xiàng)目 星奧全護(hù)眼LED教室燈 國家標(biāo)準(zhǔn)GB7793-2010 功率36w 參數(shù) 中小學(xué)學(xué)校教室采光和照明衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn) 教室照度（E） 417LX 優(yōu)于國標(biāo) ≥300LX 教室照度均勻度（Uo） 0.8 專業(yè)照明設(shè)計(jì) ≥0.7 黑白照度（E） 639.3LX 優(yōu)于國標(biāo) ≥500LX 黑板照度均勻度（Uo） 0.81 專業(yè)照明設(shè)計(jì) ≥0.8 眩光（UGR） 15.9 無眩光危害 ＜19 光頻閃（波動(dòng)深度） ≤3.2% 無光頻閃危害 —— 顯色指數(shù) ≥90 色彩還原能力強(qiáng) ≥80 色溫（Tc） 4500K/5500k(可定制） 光線柔和 3300K-5500K 使用壽命 質(zhì)保三年 壽命長 —— 總功率（P） 450W 消耗功率低 —— 年耗電量（Q） 720度 耗電量低 ——

項(xiàng)目成果/簡介:1）提出冷原子實(shí)現(xiàn)和探測相對論狄拉克粒子的理論,并預(yù)言可觀測相應(yīng)的拓?fù)湎嘧儯凰固垢！TH和Nice大學(xué)的實(shí)驗(yàn)觀察到。2）揭示了幾何相位和量子相變的內(nèi)在定量聯(lián)系。3）是國際上最早研究冷原子幾何相位誘導(dǎo)規(guī)范勢的少數(shù)理論組之一，提出實(shí)現(xiàn)原子自旋霍爾效應(yīng)理論，并被NIST實(shí)驗(yàn)實(shí)現(xiàn)。冷原子相對論效應(yīng)和誘導(dǎo)規(guī)范勢已逐步成為當(dāng)前量子模擬的新熱點(diǎn)研究。4）提出了非絕熱和非常規(guī)幾何量子計(jì)算理論，解決了原絕熱理論不易在實(shí)際體系中實(shí)現(xiàn)的困難，已被7個(gè)獨(dú)立實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。發(fā)表的20 篇核心論文中，PRL10 篇，被Nature、Science、PRL等SCI 論文他引1137次，8篇代表論文他引602次。

1）提出冷原子實(shí)現(xiàn)和探測相對論狄拉克粒子的理論,并預(yù)言可觀測相應(yīng)的拓?fù)湎嘧儯凰固垢！TH和Nice大學(xué)的實(shí)驗(yàn)觀察到。2）揭示了幾何相位和量子相變的內(nèi)在定量聯(lián)系。3）是國際上最早研究冷原子幾何相位誘導(dǎo)規(guī)范勢的少數(shù)理論組之一，提出實(shí)現(xiàn)原子自旋霍爾效應(yīng)理論，并被NIST實(shí)驗(yàn)實(shí)現(xiàn)。冷原子相對論效應(yīng)和誘導(dǎo)規(guī)范勢已逐步成為當(dāng)前量子模擬的新熱點(diǎn)研究。4）提出了非絕熱和非常規(guī)幾何量子計(jì)算理論，解決了原絕熱理論不易在實(shí)際體系中實(shí)現(xiàn)的困難，已被7個(gè)獨(dú)立實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。發(fā)表的20 篇核心論文中，PRL10 篇，被Nature、Science、PRL等SCI 論文他引1137次，8篇代表論文他引602次。

本方法以丙三醇作為溶劑及碳源快速制備大量粒徑小于 10 nm 的碳量子點(diǎn)。這種碳量子點(diǎn)的熒光量子產(chǎn)率能夠達(dá)到 30 %左右。制 備好的碳量子點(diǎn),不需要任何提純即可與成膜性較好的高聚物混合得 到熒光碳量子點(diǎn)薄膜。而且這種碳量子點(diǎn)毒性低，水溶性好，熒光量 子產(chǎn)率高，在細(xì)胞及活體成像方面表現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。總之，該制備方 法簡單易行，材料來源廣泛且廉價(jià)，產(chǎn)率大。所得的熒光碳量子點(diǎn)具 有熒光量子產(chǎn)率高、易成膜、低細(xì)胞毒性且耐光漂白等性質(zhì)，已經(jīng)作 為生物成像劑用于細(xì)胞的熒光共聚焦成像

要實(shí)現(xiàn)三維量子霍爾效應(yīng)，就需要達(dá)到所謂的極端量子極限條件（Extreme Quantum Limit）。這個(gè)實(shí)驗(yàn)條件要求異常苛刻，如果選用常用的金屬銅塊作為研究對象，要施加超過3000特斯拉的磁場才能進(jìn)入極端量子極限態(tài)，而這是當(dāng)前的實(shí)驗(yàn)條件無法提供的。因此，三維量子霍爾效應(yīng)方向的研究一度處于幾乎停頓的狀態(tài)。 為了滿足這項(xiàng)苛刻的條件，張立源團(tuán)隊(duì)巧妙地選用了高品質(zhì)的五碲化鋯（ZrTe5）晶

以丙三醇作為溶劑及碳源快速制備大量粒徑小于 10 nm 的 碳量子點(diǎn)。這種碳量子點(diǎn)的熒光量子產(chǎn)率能夠達(dá)到 30 %左右。制備 好的碳量子點(diǎn),不需要任何提純即可與成膜性較好的高聚物混合得到 熒光碳量子點(diǎn)薄膜。

近年來,半導(dǎo)體光源正以新型固體光源的角色逐步進(jìn)入照明領(lǐng)域。由于半導(dǎo)體照明具有高效、節(jié)能、環(huán)保、使用壽命長、響應(yīng)速度快、耐振動(dòng)、易維護(hù)等顯著優(yōu)點(diǎn),所以在國際上被公認(rèn)為最有可能進(jìn)入通用照明領(lǐng)域的新型固態(tài)冷光源。隨著其價(jià)格的不斷降低,發(fā)光亮度的不斷提高,半導(dǎo)體光源在照明領(lǐng)域中展現(xiàn)了廣泛的應(yīng)用前景。業(yè)界普遍認(rèn)為,半導(dǎo)體燈取代傳統(tǒng)的白熾燈和熒光燈,是大勢所趨。而半導(dǎo)體發(fā)光二極管（Light Emitting Diode , 簡稱LED）被認(rèn)為是最有可能進(jìn)入普通照明領(lǐng)域的一種綠色照明光源，按固體發(fā)光物理學(xué)原理,LED發(fā)光效率能近似100 % ,并具有工作電壓低、耗電量小、發(fā)光效率高、響應(yīng)時(shí)間極短、光色純、抗沖擊、性能穩(wěn)定可靠及成本低等優(yōu)點(diǎn),因此被譽(yù)為21 世紀(jì)新光源,有望成為繼白熾燈、熒光燈、高強(qiáng)度氣體放電燈之后的第四代光源。雖然LED具有以上的很多優(yōu)點(diǎn)，但是發(fā)光效率和使用壽命仍是制約其普及應(yīng)用的主要因素。 目前國內(nèi)大多致力于LED外部封裝結(jié)構(gòu)的研究，而公司里多采用進(jìn)口芯片，如cree芯片，再在現(xiàn)有基礎(chǔ)上進(jìn)行外部封裝結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)。而即便是散熱好，壽命長，取光效率比較好的封裝結(jié)構(gòu)，國內(nèi)所能達(dá)到的水平也就是剛剛超出100lm/w。主要原因在于其封裝材料的選擇和封裝結(jié)構(gòu)的不合理性，浪費(fèi)了芯片的出射光，從而降低了取光效率。而國外LED不僅在外部封裝結(jié)構(gòu)，而且在芯片方向都明顯優(yōu)于國內(nèi)水平，所以基本壟斷國內(nèi)LED的市場，尤其對于功率型白光LED的壟斷相當(dāng)嚴(yán)重。而這些高亮度半導(dǎo)體LED芯片生產(chǎn)技術(shù)掌握在以美國Cree和Lumileds、日本的Nichia和Toyoda Gosei，以及歐洲的Osram等為首的少數(shù)大公司手中。 現(xiàn)在功率型白光LED 的光效已提高到80～100lmPW,而真正能夠取代白熾燈和熒光燈進(jìn)入通用照明市場,其光效需要達(dá)到150lm/ W。這一方面要求在芯片的制作上不斷提高LED 的量子效率,同時(shí)還要求在LED 的封裝及燈具的設(shè)計(jì)制作過程中盡可能提高出光效率。現(xiàn)有的LED出光效率低的原因之一是，LED芯片的折射率較高，LED發(fā)出的光在出射芯片的時(shí)候，有相當(dāng)一部分光被芯片與外界（環(huán)氧樹脂）的界面反射。本產(chǎn)品是通過特殊鍍膜方法，使LED芯片出光效率提高了10%。可以有效的增加LED的使用壽命，達(dá)到2萬小時(shí)以上，而且可以使發(fā)光效率達(dá)到120lm/w到160lm/w。擁有這樣長壽命和高出光效率的白光LED，必將引領(lǐng)整個(gè)照明市場，必將產(chǎn)生豐厚的利潤，具有非常好的發(fā)展前景。

已有樣品/n這項(xiàng)封裝技術(shù)是利用芯片本身的襯底和封裝材料作為封裝基板，簡化發(fā)光二極 管的工藝路徑，降低全工藝成本，提供最小的發(fā)光二極管封裝體積，全角度發(fā)光特 性，降低器件封裝熱阻，實(shí)現(xiàn)對發(fā)光二極管電學(xué)和光學(xué)性能更好的控制，并具有簡 單、成本低等優(yōu)點(diǎn)。與傳統(tǒng)工藝封裝相比成本降低 30%左右，發(fā)光效率與傳統(tǒng)封裝 相當(dāng)。 隨著LED技術(shù)的進(jìn)步，外延與芯片工藝在發(fā)光二極管成本中所占的比例相對降 低，而封裝步驟由于耗費(fèi)材料和工藝步驟較多且技術(shù)含量較低，其成本難以降低。 作為現(xiàn)有封裝結(jié)構(gòu)與晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的中間階段