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一種基于摻雜量子點(diǎn)波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換的紫外探測(cè)系統(tǒng)及方法，所述紫外探測(cè)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)包括封裝外殼和依次設(shè)置的透鏡、帶有通光孔的斬波器、小端面涂覆光滑透明摻雜量子點(diǎn)薄膜的光錐、可見(jiàn)光CCD、與所述可見(jiàn)光CCD信號(hào)連接的圖像處理單元，其中，所述斬波器、所述光錐、所述可見(jiàn)光CCD以及所述圖像處理單元設(shè)置于所述封裝外殼中；所述可見(jiàn)光CCD與所述光錐的大端面緊密耦合。本發(fā)明提供的基于摻雜量子點(diǎn)波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換的紫外探測(cè)系統(tǒng)及方法，通過(guò)摻雜量子點(diǎn)實(shí)現(xiàn)紫外光信號(hào)的光譜轉(zhuǎn)換，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)紫外圖像探測(cè)，相比較現(xiàn)有技術(shù)，具有系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、性能穩(wěn)定、成本較低的特點(diǎn)。

本發(fā)明公開(kāi)了一種提高量子通信網(wǎng)絡(luò)連通性的糾纏粒子對(duì)分發(fā)節(jié)點(diǎn)部署方法，包括（１）將量子通信網(wǎng)絡(luò)區(qū)域進(jìn)行劃分并編號(hào)；（２）對(duì)于含有ｎ個(gè)量子通信節(jié)點(diǎn)的通信網(wǎng)絡(luò)，隨機(jī)部署ｍ個(gè)糾纏粒子分發(fā)節(jié)點(diǎn)，計(jì)算量子通信網(wǎng)絡(luò)連通度；（３）利用優(yōu)化算法計(jì)算ｍ個(gè)糾纏粒子對(duì)分發(fā)節(jié)點(diǎn)部署位置的最優(yōu)解，即量子通信網(wǎng)絡(luò)連通性最優(yōu)時(shí)，糾纏粒子對(duì)分發(fā)節(jié)點(diǎn)的矩形編號(hào)和坐標(biāo)。本發(fā)明可用于含有任意量子通信節(jié)點(diǎn)數(shù)目和任意拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的量子通信網(wǎng)絡(luò)，其執(zhí)行過(guò)程簡(jiǎn)單，且易于實(shí)現(xiàn)，量子通信網(wǎng)絡(luò)的連通性得到顯著提高。

一種納米技術(shù)與生物醫(yī)學(xué)的交叉領(lǐng)域的熒光光譜可調(diào)的量子點(diǎn)納米復(fù)合粒子的制備 方法，在油包水型微乳體系中，將兩種或兩種以上熒光顏色可區(qū)分的量子點(diǎn)納米粒子同 時(shí)包埋到二氧化硅納米粒子中，形成一種粒度在１０～１００ｎｍ之間的熒光光譜可調(diào) 的量子點(diǎn)納米復(fù)合粒子，通過(guò)改變不同熒光顏色的量子點(diǎn)的種類和比例，來(lái)調(diào)整量子點(diǎn) 納米復(fù)合粒子的熒光峰的位置和強(qiáng)度。本發(fā)明可以方便地對(duì)任何熒光顏色的量子點(diǎn)進(jìn)行 任意組合并能同時(shí)全部包埋到粒度均勻且小于１００ｎｍ的二氧化硅球形粒子中，可以 得到數(shù)量龐大的具有不同熒光特征的量子點(diǎn)納米復(fù)合粒子。本發(fā)明所獲得的量子點(diǎn)納米 復(fù)合粒子，可以作為一種生物熒光探針應(yīng)用于生物醫(yī)學(xué)的多方面領(lǐng)域。 

基于全同粒子不可分辨性的量子相干性可以提高相位鑒別的成功幾率，并且能與基于單個(gè)粒子相干疊加的相干性同時(shí)存在，因此將在具體的量子信息任務(wù)中獲得應(yīng)用。

清華大學(xué)電子工程系黃翊東教授團(tuán)隊(duì)崔開(kāi)宇副教授帶領(lǐng)學(xué)生在超光譜成像芯片方面取得重要進(jìn)展，研制出國(guó)際首款實(shí)時(shí)超光譜成像芯片，相比已有光譜檢測(cè)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了從單點(diǎn)光譜儀到超光譜成像芯片的跨越。

由東南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院尤肖虎教授、趙滌燹教授牽頭，聯(lián)合成都天銳星通科技有限公司、網(wǎng)絡(luò)通信與安全紫金山實(shí)驗(yàn)室等單位完成的“Ka頻段CMOS相控陣芯片與大規(guī)模集成陣列天線技術(shù)”項(xiàng)目成果通過(guò)了中國(guó)電子學(xué)會(huì)組織的現(xiàn)場(chǎng)鑒定。 由中國(guó)工程院鄔賀銓院士、陳左寧院士、李國(guó)杰院士、呂躍廣院士、丁文華院士以及來(lái)自中國(guó)移動(dòng)、信通院、華為、中興、大唐電信和國(guó)內(nèi)5所高校的共15位專家組成的鑒定委員會(huì)對(duì)該項(xiàng)成果進(jìn)行了現(xiàn)場(chǎng)鑒定并給予了高度評(píng)價(jià)，一致認(rèn)為：該項(xiàng)目解決了硅基CMOS毫米波Ka頻段相控陣芯片和天線走向大規(guī)模推廣應(yīng)用的核心技術(shù)瓶頸問(wèn)題，成功研制了Ka頻段CMOS相控陣芯片，并探索出了一套有效的毫米波大規(guī)模集成陣列天線低成本解決方案，多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)屬首創(chuàng)；在硅基CMOS毫米波技術(shù)路線取得重大突破，在大規(guī)模相控陣天線集成度方面國(guó)際領(lǐng)先；成果在5G/6G毫米波和寬帶衛(wèi)星通信等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，在該領(lǐng)域“卡脖子”技術(shù)上取得關(guān)鍵突破，已在相關(guān)應(yīng)用部門(mén)得以成功推廣應(yīng)用。 目前，用于射頻芯片的40nm和28nm CMOS工藝特征頻率已經(jīng)超過(guò)250GHz，在理論上完全可以滿足毫米波應(yīng)用需求。毫米波硅基CMOS集成電路技術(shù)的突破，將帶來(lái)無(wú)線通信行業(yè)的一次變革，解決相控陣系統(tǒng)“不是不想用，只是用不起”的問(wèn)題，把毫米波芯片及大規(guī)模相控陣變成來(lái)一種極低成本的易耗品。相比鍺硅工藝和化合物半導(dǎo)體工藝，CMOS工藝在成本、集成度和成品率上具有巨大優(yōu)勢(shì)，但其輸出功率相對(duì)較低，器件本身寄生效應(yīng)較大。項(xiàng)目組經(jīng)過(guò)長(zhǎng)達(dá)6年的技術(shù)探索與創(chuàng)新，克服了毫米波CMOS芯片技術(shù)的固有瓶頸問(wèn)題，所研制的芯片噪聲系數(shù)為3dB，發(fā)射通道效率達(dá)到15%，無(wú)需校準(zhǔn)便可實(shí)現(xiàn)精確幅相調(diào)控；基于大規(guī)模相控陣的波束成形能力，克服了毫米波CMOS芯片輸出功率受限的問(wèn)題。

本項(xiàng)目重點(diǎn)研究面向物聯(lián)網(wǎng)極低功耗微控制器關(guān)鍵技術(shù)，包括寬電壓標(biāo)準(zhǔn)單元和片上存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)技術(shù)、工藝-電壓-溫度（PVT）偏差檢測(cè)技術(shù)與自適應(yīng)動(dòng)態(tài)電壓和頻率調(diào)節(jié)技術(shù)、快速響應(yīng)的寬負(fù)載高效率電源轉(zhuǎn)換技術(shù)、低功耗高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換電路設(shè)計(jì)技術(shù)、極低功耗快速啟動(dòng)晶體振蕩器技術(shù)；面向工業(yè)控制微控制器關(guān)鍵技術(shù)，包括高可靠處理器架構(gòu)、低延時(shí)訪問(wèn)存儲(chǔ)策略、納秒級(jí)中斷響應(yīng)處理技術(shù)、容錯(cuò)型自糾錯(cuò)SRAM 設(shè)計(jì)技術(shù)、高精度時(shí)鐘基準(zhǔn)電路設(shè)計(jì)技術(shù)。

本技術(shù)成果涉及集成電路測(cè)試技術(shù)領(lǐng) 域，公開(kāi)了一種RFID讀寫(xiě)器芯片中測(cè)系 統(tǒng)及方法

隨著集成電路的發(fā)展，功耗問(wèn)題越來(lái)越成為制約的瓶頸問(wèn)題。特別是在即將到來(lái)的萬(wàn)物互聯(lián)智能時(shí)代，物聯(lián)網(wǎng)、生物醫(yī)療、可穿戴設(shè)備和人工智能等新興領(lǐng)域更加追求極低功耗，尤其是極低靜態(tài)功耗。面向未來(lái)龐大的物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)應(yīng)用的需求，極低功耗器件及其電路芯片受到越來(lái)越多的關(guān)注。受玻爾茲曼限制，傳統(tǒng)晶體管的亞閾擺幅存在理論極限，這一限制是阻礙器件功耗降低的關(guān)鍵因素，基于傳統(tǒng)CMOS晶體管的集成電路已經(jīng)無(wú)法滿足物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)等對(duì)極低功耗的需求。 本項(xiàng)目基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝研制新型超陡擺幅隧穿器件，并進(jìn)一步研發(fā)具有極低功耗的物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)芯片。新型超陡擺幅隧穿器件采用有別于傳統(tǒng)晶體管的量子帶帶隧穿機(jī)制，可突破亞閾擺幅極限，同時(shí)獲得比傳統(tǒng)晶體管低2個(gè)量級(jí)以上的關(guān)態(tài)電流性能，具備極其優(yōu)越的低靜態(tài)功耗性能。通過(guò)超陡亞閾擺幅器件及電路技術(shù)的研究和突破，可促進(jìn)我國(guó)物聯(lián)網(wǎng)芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，顯著提高物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)的工作時(shí)間，具有重要的應(yīng)用價(jià)值。

一、創(chuàng)新點(diǎn)： 1.創(chuàng)新1-高低壓兼容工藝技術(shù)：世界首個(gè)P-sub/P-Epi高低壓兼容浮置沉底工藝平臺(tái) 2.創(chuàng)新2-抗瞬時(shí)電沖擊電路技術(shù)：國(guó)際最高品質(zhì)因子600V等級(jí)浮柵控制芯片 3.創(chuàng)新3-低損耗功率器件技術(shù)：超低開(kāi)關(guān)損耗階梯柵氧600V超結(jié)功率器件 4.創(chuàng)新4-高功率密度互聯(lián)技術(shù)：國(guó)內(nèi)首款微型智能功率驅(qū)動(dòng)芯片及600V單片智能功率驅(qū)動(dòng)芯片。 二、產(chǎn)出情況： 被Amazon、Philips、Samsung、美的等100多家國(guó)內(nèi)外公司采用，項(xiàng)目新增銷售27.2億元，新增利潤(rùn)4.9億元，新增創(chuàng)匯3115.5萬(wàn)美元，解決了我國(guó)智能功率驅(qū)動(dòng)芯片的“卡脖子”問(wèn)題。 1.智能生活家電領(lǐng)域累計(jì)銷售超16億顆，市場(chǎng)占有率全國(guó)第一（超過(guò)40%） 2.首次實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)智能功率驅(qū)動(dòng)芯片應(yīng)用于高鐵空調(diào)控制器 3.唯一一款應(yīng)用于智能電表的國(guó)產(chǎn)功率芯片，解決了我國(guó)智能電表系統(tǒng)的戰(zhàn)略安全問(wèn)題 4.在新能源交通工具領(lǐng)域出貨量超30億顆 成功應(yīng)用于亞馬遜無(wú)人倉(cāng)儲(chǔ)機(jī)器人，首批供貨超過(guò)1萬(wàn)套。