|
搜索
搜 索
高等教育領域數字化綜合服務平臺
關于新型阿秒鐘實現對量子隧穿時間問題的研究
量子隧穿是微觀世界的基本現象，它是指粒子可以像波一樣地穿過有阻礙的區域（即勢壘），是微觀粒子的波粒二象性的一個具體表現。如今，量子隧穿的概念已經滲透到物理學的方方面面，比如廣泛使用的掃描隧道電子顯微鏡、半導體異質結等。然而，關于量子隧穿卻有一個基本問題充滿著爭議，那就是隧穿的過程是否需要時間？如果需要時間那又該如何測量呢？自量子力學誕生以來，這個問題一直伴隨著量子力學的發展而爭論至今。 隨著超短激光脈沖的問世，人們一直努力、希望在強場隧道電離的范疇來解決這個的重要爭議問題。隨即，學術界提出了可以通過阿秒鐘方案測量隧道電離的發生時間（即時間延遲），阿秒鐘巧妙地將隧穿時間延遲轉化為光電子發射角的偏移，然而對于實驗結果，大家一直未取得一致的看法。學術界通過十多年的研究，基本上形成了兩種對立的觀點，即瞬時隧穿（隧穿幾乎不需要時間）與延時隧穿（隧穿需要百阿秒量級的時間），各自都有相應的理論與實驗支持。似乎這兩種觀點充滿矛盾、不可調和！量子隧穿的示意圖量子隧穿可以看作是微觀粒子的“穿墻術”增強型阿秒鐘的原理。（a）線偏振的二次諧波打破了圓偏振的基頻光的對稱性，標記了最大值激光電場的方向與時刻。（b）不加二次諧波時測量的光電子動量譜。（c）加入標記光場后測量的光電子動量譜。 傳統的阿秒鐘是采用單個橢圓偏振或近圓偏振的激光脈沖，因此傳統阿秒鐘的校準依賴于少周期激光的載波包絡相位和橢偏率的確定，它們的噪聲抖動會給阿秒鐘的測量帶來很大的誤差。日前，北京大學物理學院、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室“極端光學創新研究團隊”劉運全教授和龔旗煌院士領導的研究小組，提出并實現了一種全新改進型阿秒鐘，在一束圓偏振飛秒激光場中加入了另一束線偏振的倍頻光來校準阿秒鐘，使得光電子發射角的偏移量的定標更加精準。這種增強型阿秒鐘使得隧穿時間的測量更加準確可靠。理論上還證明了上述兩種看似對立的隧穿圖像可以被統一在同一個理論框架下進行描述。在強場近似理論框架下，他們分別建立了瞬時隧穿圖像以及基于Wigner表象的延時隧穿圖像，對于增強型阿秒鐘的實驗結果，這兩種隧穿圖像的理論結果都與實驗結果相符合。因此，這是第一次使用同一個理論框架和同一個實驗完美地統一了這個長期的學術爭議，為隧穿時間研究提供一種思路。
北京大學
2021-04-11
關于狄拉克半金屬中量子輸運研究的新進展
在高晶體質量的狄拉克半金屬Cd3As2納米線中觀測到手征反常導致的負磁電阻效應（Nat. Commun. 6, 10137 (2015)）；并借助于納米線比表面積大的優勢，測量到起源于拓撲表面態輸運的π A-B效應(Nat. Commun. 7, 10769 (2016); Phys. Rev. B 95, 235436（2017）)。 最近，他們通過輸運測量首次在狄拉克半金屬Cd3As2納米線中觀測到連續體態和離散表面態耦合產生的Fano共振現象。研究表明直徑約為60 nm的Cd3As2納米線的表面態能帶會發生劈裂，通過柵壓調制費米能級到一個表面態子能帶的帶底時，會呈現出零偏壓微分電導峰；在磁場作用下，由于塞曼效應，零偏壓電導峰會發生劈裂，測量得到表面態的朗德因子為32；Fano共振進一步導致零偏壓微分電導峰隨偏置電壓具有非對稱的線形，并可能對材料中起源于“外爾軌道”的量子振蕩頻率產生修正。這項工作對于深入研究拓撲半金屬的輸運性質，以及設計實現可電學調控的Fano體系有著重要意義。圖1. Cd3As2納米線中量子限制效應引起的電導振蕩；(b)柵壓調制的微分電導譜。
北京大學
2021-04-11
一種高發光效率的量子點白光 LED 及其制備方法
本發明屬于量子點 LED 封裝領域，具體涉及一種高發光效率的量子點白光 LED，其中，LED 芯片固定設置在基板表面，量子點硅納米球附著在 LED 芯片表面，熒光粉膠將量子點硅納米球和 LED 芯片完全包裹住，所透光殼體直接安裝在基板上或通過一模塑料固定在基板上方，并將熒光粉膠、LED 芯片和量子點硅納米球密封在內，透光殼體內的空隙處填充有封裝膠。本發明還公開了一種高發光效率的量子點白光 LED 的制備方法。本發明的量子點 LED 能夠顯著提高白光LED 的發光效率，在生產中能夠更加便捷地控制量子點與熒光粉各自的發光光譜，從而得到所需的理想型發光，且可顯著減少量子點的用量，節約生產成本。
華中科技大學
2021-04-13
中國科大實現基于簡并腔中渦旋光子的拓撲量子模擬
郭光燦院士團隊在基于人工合成維度的量子模擬方面取得重要實驗進展。該團隊李傳鋒、許金時、韓永建等人將攜帶不同軌道角動量的光子（又稱為渦旋光子）束縛在簡并光學諧振腔內，通過引入光子的自旋軌道耦合人工合成了一維的拓撲晶格，為拓撲量子模擬開創了一種新的方法。
中國科學技術大學
2022-06-02
揭示了量子三體過程中的范德華作用普遍性
通過實驗測量和從理論上分析三原子重組在543.3 高斯附近的6Li-6Li的窄波磁Feshbach共振，表明在有限的溫度下，三體重組主要由間接過程支配并在閾值以上的kBT內存在窄共振峰。實驗數據強有力的顯示連續的成對過程遵循一個普適行為并由范德華力決定。論文給出了三體重組速率常數描述的解析公式和對溫度的依賴性，其中三體重組通過連續的成對相互作用進行。基礎物理圖像不僅適用于窄s波共振，還適用于非零分波的共振，不僅適用于超低溫，而且適用于更高的溫度。 這個實驗結果驗證了量子三體在范德華勢作用下普遍的行為，發現該普遍行為遠遠超出零溫度范圍，從而揭示出雙體的量子缺陷理論可以通過多尺度方法進一步擴展到非零溫度范圍。這種廣義的三體作用的范德瓦爾普遍行與通用狀態方程的定義瓦爾斯長度尺度有密切聯系。通過將量子普遍行為區域擴展到零以外溫度和s波共振，純理論模型通過超冷原子物理實驗與真實的少體系統和真實化學反應建立了緊密聯系，邁出了量子三體物理研究的關鍵一步。
中山大學
2021-04-13
高清數字視頻及寬帶網絡ADC芯片設計
主要功能和應用領域：主要應用在數字視頻芯片（DVB，DAB，DMB等數字視頻廣播標準）和通信網絡（WLAN，WiFi，WiMAX等）領域。具有極為廣泛的用途和應用價值。 特色及先進性：在滿足數字視頻芯片和通信網絡要求下，采用了自創的校正方法，實現了更低的功耗、大大節省了芯片面積、降低了芯片的復雜度、提高了芯片的穩定性、不易受外界環境如溫度、電源電壓和工藝的影響，使性能更加出色。 技術指標：采樣速率200MSps，分辨率10-Bit，ENOB達到8.7-Bit以上（±10%電源電壓變化和-40~125度溫度變化），總體功耗 < 100mW。 實施后可取得的效果：此類ADC芯片應用領域極廣，中高端領域均有大量且穩定的需求。一旦形成產品，產量和銷售極其可觀。現在市場上此類ADC芯片主要掌握在國外大公司手里，定價相對較高，如果能夠實現同等性能下更低的定價或者同等價位但是更出色的性能，將有巨大的市場。
電子科技大學
2021-04-10
EIS 型無標記病理芯片及其檢測系統的研究
項目簡介： 本成果提供了一種以光尋址電位傳感器（LAPS）為核心、基于現代電子學的光電化學型生化分析平臺，具有陣列式、光可尋址、無標 記等優點。同時，該成果作為一個測試平臺，可將多種生物化學響應 過程移植于其上，具有應用靈活的優勢，例如，與噬菌體展示技術結 合，將特異于轉移腫瘤細胞的噬菌體固定于芯片表面，實現了對轉移 乳腺癌腫瘤細胞（MDAMB231）無標記檢測，如圖 1 所示；與基于左 旋多巴（L-dopa）的表面仿生活化策略相結合，對免疫球蛋白（IgG） 探針固定、免疫響應進行了全程監測，并將其推廣至甲胎蛋白（AFP）、 癌胚抗原（CEA199）、鐵蛋白（Ferritin）等四種原發性肝癌相關腫瘤 標志物的聯合檢測，如圖 2 所示；利用新材料——氧化石墨烯（GO， graphene oxide），構建了 GO 功能化光電化學型 DNA 檢測體系，實 現對 ssDNA 探針固定、及其與三種不同長度 ssDNA 雜交的無標記檢 測，如圖 3 所示。
南開大學
2021-04-11
高清數字視頻及寬帶網絡ADC芯片設計
ADC芯片
電子科技大學
2021-04-10
高性能CMOS成像芯片關鍵技術研發與應用
CMOS成像芯片廣泛應用于手機、相機、安保、工業、醫療、科學等眾多應用領域。該領域的絕大部分市場和技術被國外廠商壟斷。成像芯片大量依賴進口存在重大技術風險和政治風險。該項目通過產學研合作，從器件、電路及工藝等多層次突破了高性能CMOS成像芯片的關鍵技術，形成了一批國際、國內發明專利以及集成電路布圖設計等知識產權，開發了國際首款128級TDI型CMOS圖像傳感器芯片，打破了國外在高端成像技術上的壟斷。本項目技術成果達到國際領先水平，且相關成像技術已在產業界得到應用。
天津大學
2021-04-10
光梓科技高速模擬光電子芯片領域成果
光梓科技是一家專業從事高速低功耗模擬光電子集成電路芯片的研發、生產和銷售的高新技術企業。項目優勢：1）高速低功耗模擬IC芯片在光模塊的應用中有較大的成長空間且處于快速發展的階段。2）公司擁有自己獨特的多項專利技術，公司研發的CMOS全兼容高速低功耗光電子集成電路芯片目前處在全球領先水平，技術和產品的壁壘都很高。 3）與多個重量級客戶已建立深度溝通與合作機制，未來3年光梓科技的業績確定性較高，且每年保持高增速是大概率事件。4）國際化的團隊。創始人史方博士和姜培教授長期在光電子集成電路領域耕耘多年，分別是成功企業家和技術領域內的國際級專家。點擊上方按鈕聯系科轉云平臺進行溝通對接！
浙江大學
2021-04-10