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準(zhǔn)備了高效紅、綠、藍(lán)量子點(diǎn)和納米材料，無(wú)機(jī)量子點(diǎn)材料在發(fā)光、顯示、太陽(yáng)能電池、生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用前景。如下圖為藍(lán)光量子點(diǎn)材料的圖譜。  納米材料的透射電子顯微鏡圖譜，其中右下角的插圖分別為各自在紫外燈照射下的數(shù)碼照片 利用制備的ZnO納米陣列首次得到了色純度較高的有機(jī)復(fù)合/無(wú)機(jī)紫外LED，實(shí)現(xiàn)了室溫下ZnO納米棒在380nm附近的電致發(fā)光。并利用所制備的ZnO、TiO量子點(diǎn)和納米材料，實(shí)現(xiàn)在太陽(yáng)能電池領(lǐng)域的應(yīng)用，提高了有機(jī)太陽(yáng)能電池的效率。

提出一種基于超構(gòu)表面透鏡雙焦點(diǎn)輻射的量子點(diǎn)單光子源結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)對(duì)位于雙焦點(diǎn)上的量子點(diǎn)和其鏡像的輻射光子能實(shí)現(xiàn)方向可控的準(zhǔn)直出射，并能同時(shí)實(shí)現(xiàn)左右旋偏振態(tài)的按需調(diào)控。為提高光子的收集效率，在結(jié)構(gòu)背部設(shè)置有一面反射鏡，反射光子可以等效為量子點(diǎn)鏡像發(fā)射的光子。實(shí)驗(yàn)制備該量子光源的最大挑戰(zhàn)在于如何精確地把量子點(diǎn)和其鏡像集成在超構(gòu)表面透鏡的雙焦點(diǎn)上。王雪華教授團(tuán)隊(duì)通過(guò)發(fā)展超構(gòu)表面制備技術(shù)和前期研究“三高”量子糾纏光子源【Nature Nanotechnology 14，586（2019）】所發(fā)展的定位精度達(dá)10納米的熒光成像精確定位技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了量子點(diǎn)和其鏡像與超構(gòu)表面透鏡雙焦點(diǎn)的精確重合，演示了到目前為此所報(bào)道的最小發(fā)散角（3.17度）的準(zhǔn)直出射，并實(shí)現(xiàn)了左、右旋偏振態(tài)分離可調(diào)且偏振度達(dá)88%的按需調(diào)控單光子源。該研究工作提供了基于超構(gòu)表面調(diào)控量子光源的新方案，為推進(jìn)量子光源性能的按需調(diào)控和實(shí)用化向前邁出了非常重要的一步。

1. 痛點(diǎn)問(wèn)題 激光雷達(dá)技術(shù)存在固有缺陷，造成安全隱患與高昂成本。激光雷達(dá)技術(shù)主要有以下三個(gè)缺點(diǎn)： 1）遠(yuǎn)距離探測(cè)會(huì)漏視目標(biāo)，點(diǎn)云圖觀看舒適度極低。激光雷達(dá)使用點(diǎn)掃描方式探測(cè)距離，探測(cè)距離越遠(yuǎn)像點(diǎn)間隔越大，像點(diǎn)之間有漏視問(wèn)題。激光雷達(dá)采用點(diǎn)掃描方式形成點(diǎn)云圖，對(duì)人眼而言無(wú)法直接辨識(shí)目標(biāo)； 2）激光信號(hào)易受干擾，造成嚴(yán)重安全隱患；不同激光雷達(dá)之間會(huì)產(chǎn)生干擾，因?yàn)楣庾V資源有限，這是無(wú)法克服的問(wèn)題； 3）結(jié)構(gòu)復(fù)雜、成本高，工業(yè)生產(chǎn)難度大。激光雷達(dá)使用多線激光提高掃描速度，對(duì)生產(chǎn)工藝要求極高。機(jī)械轉(zhuǎn)動(dòng)產(chǎn)生的磨損會(huì)直接影響激光雷達(dá)的壽命及電機(jī)控制的精度，需要定期調(diào)校和維護(hù)。 2. 解決方案 清華大學(xué)物理系的科研團(tuán)隊(duì)，經(jīng)過(guò)八年的研究，業(yè)內(nèi)首次實(shí)現(xiàn)了芯片級(jí)的量子關(guān)聯(lián)成像系統(tǒng)，相關(guān)算法和硬件系統(tǒng)獲得了國(guó)家發(fā)明專利。 量子關(guān)聯(lián)成像技術(shù)能為智能設(shè)備安裝“眼睛”，實(shí)現(xiàn)成像與3D測(cè)繪功能，核心專利是量子物理算法，以低成本實(shí)現(xiàn)高精度測(cè)繪與成像，有效彌補(bǔ)了激光雷達(dá)技術(shù)的重大應(yīng)用缺陷，為獲取高空間分辨率的3D測(cè)繪提供了全新的技術(shù)手段。 尋求有開發(fā)ASIC芯片、硅光芯片和電子器件產(chǎn)品經(jīng)驗(yàn)的企業(yè)開展業(yè)務(wù)合作。

產(chǎn)品規(guī)格：高度≥1.2m，寬度可根據(jù)需要任意選擇（1.2m~4m），整板無(wú)拼接。 產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)： 1.擁有獨(dú)家開模大尺寸，可直接替代投影幕布（獨(dú)家無(wú)邊投影板是投影機(jī)最佳拍檔）。投影成像色彩柔和，無(wú)光斑，一體化設(shè)計(jì)，可在投影區(qū)域直接手寫或筆寫。 2. 保護(hù)學(xué)生視力，緩解視覺疲勞，環(huán)保書寫最佳方案。采用特殊米黃板面材料，色譜波長(zhǎng)在500~700納米之間，科學(xué)證明該波段為人眼視網(wǎng)膜最能接受色譜段。 3. 無(wú)粉塵性，環(huán)保教學(xué)，實(shí)現(xiàn)100%無(wú)塵教學(xué)。從而徹底杜絕電子設(shè)備因粉塵而導(dǎo)致的使用故障，延長(zhǎng)配套電子設(shè)備使用壽命。 4. 更適于水墨書寫濕擦教學(xué)。板面經(jīng)過(guò)5層靜電噴涂而成，解決了普通黑板親水性，吸附性，摩擦力等問(wèn)題。 5.板面書寫流暢，耐磨，不打滑。 產(chǎn)品特性：  高質(zhì)量版面材質(zhì)，硬度≥9H，光澤度≤16GH，背板采用厚度為0.4mm鍍鋅鋼板。  

一種法布里珀羅干涉圓環(huán)圖像處理方法，屬于光譜測(cè)量圖像的 處理方法，用于將法布里珀羅干涉圓環(huán)圖像轉(zhuǎn)換為精確、低噪聲的法 布里珀羅干涉光譜圖像。本發(fā)明順序包括確定圓心坐標(biāo)步驟、數(shù)據(jù)折 疊步驟和平滑降噪步驟。本發(fā)明數(shù)據(jù)折疊步驟中，充分利用了法布里 珀羅干涉圓環(huán)圖像上所有像素的信息，法布里珀羅干涉圓環(huán)圖像上非 X′軸上的像素到原點(diǎn) O′的距離不全為正整數(shù)，所得到的法布里珀羅 干涉光譜圖像精度達(dá)到了亞像素，經(jīng)過(guò)平滑降噪步驟后，降低圖像噪 聲，圖像信噪比高。

一種干涉型梳狀濾波器，屬于光電子器件，適用于光纖通信和 光纖傳感領(lǐng)域，用于解決現(xiàn)有梳狀濾波器所存在的問(wèn)題。本發(fā)明包括 第一耦合器、第一偏振控制器、第一高雙折射光纖、第二耦合器、第 二偏振控制器、第二高雙折射光纖，以及第一環(huán)形器或光隔離器；第 一耦合器、第一偏振控制器、第一高雙折射光纖連接構(gòu)成第一個(gè) Saganc 干涉儀；第二耦合器、第二偏振控制器、第二高雙折射光纖連接構(gòu)成 第二個(gè) Saganc 干涉儀，兩個(gè) Sagn

通過(guò)腐蝕擴(kuò)芯光纖實(shí)現(xiàn)的干涉儀, 特別適用于光纖傳感領(lǐng)域。解決了目前基于光纖結(jié)構(gòu)的干涉儀所面臨的尺寸大、敏感性差、制作成本高的問(wèn)題。該干涉儀包括在光纖（1）上制作的擴(kuò)芯區(qū)（2）和腐蝕區(qū)（3）。制作方法：將光纖（1）去除涂覆，在對(duì)光纖（1）加熱的同時(shí)將光纖（1）兩端向中間推，制作擴(kuò)芯區(qū)（2），然后以HF溶液沿徑向腐蝕擴(kuò)芯區(qū)（2）中部，形成腐蝕區(qū)（3）。加熱的方法包括：電火花放電、CO2激光器聚焦或火焰加熱。光纖（1）直徑為D1，擴(kuò)芯區(qū)（2）的最大直徑為D2，長(zhǎng)度為2L1+L2，腐蝕區(qū)（3）的長(zhǎng)度為L(zhǎng)2，深度為H。激光信號(hào)在傳播的過(guò)程中被分成兩路或多路，在干涉儀輸出端干涉出干涉條紋。

基于平面光波光路(PLC)技術(shù)的各類光功能器件，是實(shí)現(xiàn)現(xiàn)代高速光網(wǎng)絡(luò)、高速光信號(hào)處理、大容量光互連節(jié)點(diǎn)和終端設(shè)備中光信號(hào)處理模塊的基礎(chǔ)。/lineInP基多量子阱PLC器件基于成熟的半導(dǎo)體工藝，以脊波導(dǎo)為基礎(chǔ)，具有體積小、功耗/損耗低、可靠性高、性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)，在國(guó)際上即將形成新的產(chǎn)業(yè)熱點(diǎn)。電子科學(xué)與工程學(xué)院光子學(xué)與光通信研究室順應(yīng)這一趨勢(shì)，潛心攻關(guān)，埋頭研究，歷時(shí)四年完成了InP多量子阱PLC單元器件理論與實(shí)驗(yàn)研究。在國(guó)內(nèi)首次建立了PLC光路設(shè)計(jì)和光學(xué)特性測(cè)試平臺(tái)，探索出國(guó)產(chǎn)化工藝加工途徑，取得多項(xiàng)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，成功地研制出InP基多量子阱PLC無(wú)源光子器件。包括光調(diào)制器/開關(guān)、可調(diào)式多模干涉耦合器、諧振腔濾波器、2×4分路器等，于2007年2月通過(guò)了教育部組織并主持的科技成果鑒定，達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。

本實(shí)用新型公開了一種自適應(yīng)光學(xué)聚焦干涉補(bǔ)償系統(tǒng)。光束準(zhǔn)直擴(kuò)束模塊布置在激光器后，激光器發(fā)射出光束平行擴(kuò)束并空間濾波后入射到數(shù)字微鏡器件，旁側(cè)出射端前方置有相位補(bǔ)償模塊，正側(cè)出射端置有分束器和縮束模塊，相位補(bǔ)償模塊位于分束器旁側(cè)，旁側(cè)反射光束經(jīng)相位補(bǔ)償模塊后再反射到分束器中，正側(cè)反射光束直接反射到分束器中；光束經(jīng)二向色鏡反射后經(jīng)掃描模塊進(jìn)入顯微物鏡聚焦，實(shí)驗(yàn)樣品位于顯微物鏡焦平面；實(shí)驗(yàn)樣品內(nèi)激發(fā)出的熒光經(jīng)過(guò)顯微物鏡與掃描模塊后透過(guò)二向色鏡被光強(qiáng)探測(cè)模塊接收。本實(shí)用新型從光學(xué)干涉原理出發(fā)，能夠快速改善散射介質(zhì)內(nèi)部聚焦光斑的質(zhì)量，為光遺傳學(xué)與活體深層高分辨率光學(xué)顯微成像技術(shù)提供了新思路。

      WMG-3型壓電陶瓷干涉測(cè)量實(shí)驗(yàn)儀通過(guò)系統(tǒng)軟件控制，測(cè)量壓電陶瓷的壓電常數(shù)及其振動(dòng)的頻率響應(yīng)特性。 主要技術(shù)特點(diǎn)： 光源：氦氖激光器，波長(zhǎng)632.8nm，功率≥1.5mW，單模TEM00，全保護(hù)安全高壓插頭，腔長(zhǎng)250mm。 壓電陶瓷：管狀，在內(nèi)外壁上分別鍍有電極，以施加電壓。 結(jié)構(gòu)：采用全新的平臺(tái)式邁克爾干涉儀設(shè)計(jì)，便于在光路中加入被測(cè)物質(zhì)；開放式的空間，使等厚干涉、等傾干涉及各種條紋的變動(dòng)易于調(diào)整，方便精密測(cè)量。 基座：采用鑄鐵基座作為實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，保證了實(shí)驗(yàn)過(guò)程的穩(wěn)定性。 軟件：具有數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)處理、數(shù)據(jù)保存等功能。