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一種 III-V 族量子點誘導生長鈣鈦礦晶體的方法
本發明公開了一種 III-V 族量子點誘導生長鈣鈦礦晶體的方法， 包括以下步驟：(1)將 III-V 族量子點分散于非極性溶劑中得到量子點溶 液，將無機配體溶解于極性溶劑中得到無機配體分散液，再將量子點 溶液與無機配體分散液混合攪拌，極性溶劑所在層即對應第一前驅體溶液；(2)將 PbX2 與 MAX 均勻分散于極性溶劑中得到第二前驅體溶 液；(3)將第一前驅體溶液與第二前驅體溶液混合后利用反溶劑法生長 晶體，從而在
華中科技大學
2021-04-14
基于 SiCx 織構的硅量子點浮柵非易失性存儲器及其制備方法
本發明公開了一種基于 SiCx 織構的硅量子點浮柵非易失性半導 體存儲器及其制備方法，包括硅襯底，在硅襯底上摻雜形成的源導電 區和漏導電區，以及在源漏之間的載流子溝道上依次生長的隧穿氧化 層、電荷存儲層、控制柵氧化層及金屬柵層；所述電荷存儲層包括 SiCx 織構和橫縱向均勻分布于 SiCx 織構中的硅量子點。本發明有效利用硅 量子點-SiCx 織構間的隧穿勢壘，構成了控制柵氧化層-SiCx 織構-Si 量子點-SiC
華中科技大學
2021-04-14
西湖大學何睿華實驗室發現首個光陰極“量子”材料
近期，西湖大學理學院何睿華課題組連同研究合作者一起，發現了世界首例具有本征相干性的光陰極量子材料，其性能遠超傳統的光陰極材料，且無法為現有理論所解釋，為光陰極研發、應用與基礎理論發展打開了新的天地。
西湖大學
2023-03-10
表征太赫茲量子級聯激光器多模效應的電路建模仿真方法
本發明涉及一種表征太赫茲量子級聯激光器多模效應的電路建模仿真方法，首先建立表征 THzQCL 有源層內部載流子輸運特性的多模速率方程組；接著建立表征ThzQCL內部多模態效應的物理方程模型； 然后通過變量代換和化簡得到相應的等效電路模型；建立表征 THzQCL 輸入端電氣特性的等效電路模型； 建立表征 THzQCL 輸出端光功率特性的等效電路模型；最后建立電路宏模型，包括一個電氣端口和一個 光功率輸出端口，基于電路宏模型進行光電性能仿真和輸出光譜性能測試。本發明可測試溫度對 THzQCL 各種光電性能的影響；可支持實現對 THzQCL 光電性能和輸出多模效應的模擬和仿真。
武漢大學
2021-04-13
一種強穩定性樹枝盒狀溴化物鈣鈦礦量子點制備方法
本發明公開了一種強穩定性樹枝盒狀溴化物鈣鈦礦量子點制備方法，該量子點材料為聚酰胺胺樹狀分子(PAMAM)包裹的CH3NH3PbBr3，結構式為PAMAM?CH3NH3PbBr3。其制備方法包括如下步驟：(1)以官能團為羧基的PAMAM和正辛胺作為配體輔助制備PAMAM?CH3NH3PbBr3前驅體溶液；(2)將前驅體溶液轉換到甲苯中，搖勻形成PAMAM?CH3NH3PbBr3量子點。本發明使用一鍋法制備鈣鈦礦量子點，簡單易操作，原料供給方便，在一般實驗室均能完成，易于推廣。
東南大學
2021-04-11
一種石墨烯/銀量子點/氮化鎵雙向發光二極管
本實用新型公開了一種石墨烯/銀量子點/氮化鎵雙向發光二極管，該發光二極管是自下而上依次有藍寶石襯底層或硅襯底層、氮化鎵層、銀量子點層、石墨烯層，在氮化鎵層上還設有側面電極，在石墨烯層上設有正面電極，所述的氮化鎵層厚度為2～10μm；本實用新型的石墨烯/銀量子點/氮化鎵雙向發光二極管利用銀量子點表面等離子體增強發光，同時結合石墨烯材料的高透光性、高導電性和氮化鎵優異的發光性能，正反偏壓下均可發光且波段多樣，亮度高，制備工藝簡單，成本低。
浙江大學
2021-04-13
一種常溫條件下大批量制備疏水性碳量子點的方法
本發明為一種常溫條件下大批量制備疏水性碳量子點的方法，公開了一種可在室溫、常壓條件下，大規模制備疏水性碳量子點的方法。此方法以烷基吡啶鹽為碳源和保護劑，在其溶液中加入強堿，常溫常壓條件下靜置，即可生成具有綠色熒光的疏水性碳量子點。整個制備過程在室溫及常壓條件下完成，操作簡單，成本低，且具有較高的產率，可用于大規模合成疏水性碳量子點。制備的碳量子點具有低毒、較強的熒光和較高的光穩定性，因此在制備熒光油漆、熒光涂料及熒光纖維生產等領域具有廣泛的應用前景。
四川大學
2016-09-12
可任意尋址操縱的超導量子計算機芯片設計及可行性論證
本項目提出一種基于數據總線工作模式可切換的超導量子計算機芯片結構設計(發表于國際一流期刊PRB，2005)，相比于美國Google公司、IBM公司、加拿大D-Wave公司的超導量子計算機芯片而言，具有更強的糾錯和避錯品質，更易于實現大規模陣列集成。
一、項目分類
重大科學前沿創新
二、成果簡介
提出一種基于數據總線工作模式可切換的超導量子計算機芯片結構設計(發表于國際一流期刊PRB，2005)，相比于美國Google公司、IBM公司、加拿大D-Wave公司的超導量子計算機芯片而言，具有更強的糾錯和避錯品質，更易于實現大規模陣列集成。技術上已經實現了全國產設備工藝線上，芯片電路單元核心器件-約瑟夫森結和共面波導超導諧振器的自行設計制造，在極低溫環境下完成了單元器件性能的標定和檢驗。
西南交通大學
2022-09-13
發現全無機鹵化物鈣鈦礦CsPbBr3量子點具有出色的鐵電性
合成了立方相CsPbBr3量子點，屬于空間群，其結構中心對稱，不具有鐵電性。當溫度降低到低于263 K時，量子點發生相轉變。該相轉變是可逆的，升高溫度超過298 K時，重新轉變為立方相。通過X-射線衍射圖譜精修和高分辨透射電鏡分析發現，低溫處理使鈣鈦礦由立方相轉變為非中心對稱的正交相，屬于Pna21空間群。結構分析表明，正交相CsPbBr3中，[PbBr6]4-八面體發生畸變，Cs+偏離中心位置，使得正電荷和負電荷的中心不重合，預
南方科技大學
2021-04-14
一種摻雜硅量子點發光二極管器件及其制備方法
本發明公開了一種摻雜硅量子點發光二極管，包括硅襯底，沉 積銀納米顆粒層，以及在銀納米顆粒結構上沉積多層分布均勻且包含 摻雜硅量子點的 SiNx 薄膜，透明導電薄膜 AZO 層以及 Si3N4 鈍化層。 還公開了該發光二極管的制備方法，利用摻雜硅量子點-SiNx 薄膜的電 致發光特性，構成發光二極管的發光有源層；利用摻雜可以鈍化量子 點，同時摻雜硅量子點與硅襯底形成的 p-n 結增強電子空穴的輻射復 合。此外，利用銀納
華中科技大學
2021-04-14