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一種寬譜段光電轉(zhuǎn)換器件量子效率測試系統(tǒng)及方法
本發(fā)明公開了一種寬譜段光電轉(zhuǎn)換器件量子效率測試系統(tǒng)及方法，包括：量子效率測試箱、電源箱、激光功率計、吉時利源表、控制驅(qū)動電路單片機、計算機等。本測試系統(tǒng)可同時測量待測器件的外量子效率(External Quantum Efficiency，EQE)、內(nèi)量子效率(Internal Quantum Efficiency，IQE)及表面反射率(Reflectance，R)，不需要在測試前使用標準器件進行校準，可測試的光譜波段范圍較寬，為300nm～2250nm，滿足各類不同禁帶光伏電池或光電轉(zhuǎn)換器件的量子效率測量需求。
蘭州大學
2021-01-12
關(guān)于“外爾半金屬TaAs的不飽和量子磁性”方面的研究成果
這一強磁場下的不飽和磁性與非相對論型的拓撲平庸電子呈現(xiàn)的飽和磁性截然相反，是相對論型的電子所獨具的指針性屬性。 由于各種拓撲電子材料的能帶對于包括自旋軌道耦合以及化學勢在內(nèi)的各種參數(shù)高度敏感，決定電子拓撲性質(zhì)的能量尺度可能小至毫電子伏特量級，因此通常的譜學測量如角分辨光電子譜等往往無法分辨能帶的細節(jié)。而普通的電輸運測量只能表征費米面的貝里曲率，無法區(qū)分相對論型的電子能帶是否存在能隙。這項對于拓撲電子材料的磁性研究，結(jié)合了理論計算與強磁場下的實驗表征，提出了探測相對論型的電子的一種決定性指針。該工作已在《自然?通訊》上發(fā)表 Nature Communications 10, 1028 (2019).Magnetic responses of the non-relativistic and relativistic fermions a, b, c, d: The energy bands of non-relativistic (parabolic-band) fermions; g, i, h, j: The energy bands of -relativistic fermions; e, f: Calculated parallel magnetization (M||) and effective transverse magnetization (MT) of non-relativistic fermions are saturated in strong magnetic field. k, l: Non-saturated M of relativistic fermions.
北京大學
2021-04-11
一種 III-V 族量子點誘導生長鈣鈦礦晶體的方法
本發(fā)明公開了一種 III-V 族量子點誘導生長鈣鈦礦晶體的方法， 包括以下步驟：(1)將 III-V 族量子點分散于非極性溶劑中得到量子點溶 液，將無機配體溶解于極性溶劑中得到無機配體分散液，再將量子點 溶液與無機配體分散液混合攪拌，極性溶劑所在層即對應(yīng)第一前驅(qū)體溶液；(2)將 PbX2 與 MAX 均勻分散于極性溶劑中得到第二前驅(qū)體溶 液；(3)將第一前驅(qū)體溶液與第二前驅(qū)體溶液混合后利用反溶劑法生長 晶體，從而在
華中科技大學
2021-04-14
基于 SiCx 織構(gòu)的硅量子點浮柵非易失性存儲器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種基于 SiCx 織構(gòu)的硅量子點浮柵非易失性半導 體存儲器及其制備方法，包括硅襯底，在硅襯底上摻雜形成的源導電 區(qū)和漏導電區(qū)，以及在源漏之間的載流子溝道上依次生長的隧穿氧化 層、電荷存儲層、控制柵氧化層及金屬柵層；所述電荷存儲層包括 SiCx 織構(gòu)和橫縱向均勻分布于 SiCx 織構(gòu)中的硅量子點。本發(fā)明有效利用硅 量子點-SiCx 織構(gòu)間的隧穿勢壘，構(gòu)成了控制柵氧化層-SiCx 織構(gòu)-Si 量子點-SiC
華中科技大學
2021-04-14
西湖大學何睿華實驗室發(fā)現(xiàn)首個光陰極“量子”材料
近期，西湖大學理學院何睿華課題組連同研究合作者一起，發(fā)現(xiàn)了世界首例具有本征相干性的光陰極量子材料，其性能遠超傳統(tǒng)的光陰極材料，且無法為現(xiàn)有理論所解釋，為光陰極研發(fā)、應(yīng)用與基礎(chǔ)理論發(fā)展打開了新的天地。
西湖大學
2023-03-10
表征太赫茲量子級聯(lián)激光器多模效應(yīng)的電路建模仿真方法
本發(fā)明涉及一種表征太赫茲量子級聯(lián)激光器多模效應(yīng)的電路建模仿真方法，首先建立表征 THzQCL 有源層內(nèi)部載流子輸運特性的多模速率方程組；接著建立表征ThzQCL內(nèi)部多模態(tài)效應(yīng)的物理方程模型； 然后通過變量代換和化簡得到相應(yīng)的等效電路模型；建立表征 THzQCL 輸入端電氣特性的等效電路模型； 建立表征 THzQCL 輸出端光功率特性的等效電路模型；最后建立電路宏模型，包括一個電氣端口和一個 光功率輸出端口，基于電路宏模型進行光電性能仿真和輸出光譜性能測試。本發(fā)明可測試溫度對 THzQCL 各種光電性能的影響；可支持實現(xiàn)對 THzQCL 光電性能和輸出多模效應(yīng)的模擬和仿真。
武漢大學
2021-04-13
一種基于分布式多光源的可見光多載波通信系統(tǒng)發(fā)射機設(shè)計方法
本發(fā)明公開了一種基于分布式多光源的可見光多載波通信系統(tǒng)發(fā)射機設(shè)計方法，包括如下步驟：(1)調(diào)制裝置；(2)波束成形；(3)IFFT處理；(4)削波處理；(5)直流偏置；(6)數(shù)模轉(zhuǎn)換；(7)LED陣列。本發(fā)明的有益效果為：(1)多光源可以同時為通信和照明系統(tǒng)提供無所不在的覆蓋，在阻礙和遮蔽影響下更加魯棒，可以提高數(shù)據(jù)速率和服務(wù)質(zhì)量，增加調(diào)光靈敏度；(
東南大學
2021-04-14
一種石墨烯/銀量子點/氮化鎵雙向發(fā)光二極管
本實用新型公開了一種石墨烯/銀量子點/氮化鎵雙向發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管是自下而上依次有藍寶石襯底層或硅襯底層、氮化鎵層、銀量子點層、石墨烯層，在氮化鎵層上還設(shè)有側(cè)面電極，在石墨烯層上設(shè)有正面電極，所述的氮化鎵層厚度為2～10μm；本實用新型的石墨烯/銀量子點/氮化鎵雙向發(fā)光二極管利用銀量子點表面等離子體增強發(fā)光，同時結(jié)合石墨烯材料的高透光性、高導電性和氮化鎵優(yōu)異的發(fā)光性能，正反偏壓下均可發(fā)光且波段多樣，亮度高，制備工藝簡單，成本低。
浙江大學
2021-04-13
一種常溫條件下大批量制備疏水性碳量子點的方法
本發(fā)明為一種常溫條件下大批量制備疏水性碳量子點的方法，公開了一種可在室溫、常壓條件下，大規(guī)模制備疏水性碳量子點的方法。此方法以烷基吡啶鹽為碳源和保護劑，在其溶液中加入強堿，常溫常壓條件下靜置，即可生成具有綠色熒光的疏水性碳量子點。整個制備過程在室溫及常壓條件下完成，操作簡單，成本低，且具有較高的產(chǎn)率，可用于大規(guī)模合成疏水性碳量子點。制備的碳量子點具有低毒、較強的熒光和較高的光穩(wěn)定性，因此在制備熒光油漆、熒光涂料及熒光纖維生產(chǎn)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
四川大學
2016-09-12
可任意尋址操縱的超導量子計算機芯片設(shè)計及可行性論證
本項目提出一種基于數(shù)據(jù)總線工作模式可切換的超導量子計算機芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(發(fā)表于國際一流期刊PRB，2005)，相比于美國Google公司、IBM公司、加拿大D-Wave公司的超導量子計算機芯片而言，具有更強的糾錯和避錯品質(zhì)，更易于實現(xiàn)大規(guī)模陣列集成。
一、項目分類
重大科學前沿創(chuàng)新
二、成果簡介
提出一種基于數(shù)據(jù)總線工作模式可切換的超導量子計算機芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(發(fā)表于國際一流期刊PRB，2005)，相比于美國Google公司、IBM公司、加拿大D-Wave公司的超導量子計算機芯片而言，具有更強的糾錯和避錯品質(zhì)，更易于實現(xiàn)大規(guī)模陣列集成。技術(shù)上已經(jīng)實現(xiàn)了全國產(chǎn)設(shè)備工藝線上，芯片電路單元核心器件-約瑟夫森結(jié)和共面波導超導諧振器的自行設(shè)計制造，在極低溫環(huán)境下完成了單元器件性能的標定和檢驗。
西南交通大學
2022-09-13