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一種具有共振隧穿結構電子阻擋層的發光二極管
本發明公開了一種具有共振隧穿結構電子阻擋層的發光二極管，包括：由下而上依次設置的襯底、ｎ型氮化物層、多量子阱層、電子阻擋層、ｐ型氮化物層、ｐ型氮化物歐姆接觸層，所述ｎ型氮化物層上設置的ｎ型電極和所述ｐ型氮化物層上設置的ｐ型電極；其中電子阻擋層由由下而上依次設置的ｐ型摻雜氮化物勢壘層，非摻雜氮化物勢阱層、利用共振隧穿效應增大空穴透過率的非摻雜勢壘層聯合
東南大學
2021-04-14
一種具有雙摻雜多量子阱結構的紫外發光二極管
本發明公開了一種具有雙摻雜多量子阱結構的紫外發光二極管，包括：由下至上依次設置的襯底，AlN中間層、非摻雜AlGaN緩沖層、n型AlGaN層、雙摻雜的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源區、AlzGa1?zN電子阻擋層，其中z>y>x，p型AlGaN層和透明導電層，在n型AlGaN層和透明導電層上分別設置的n型歐姆電極和p型
東南大學
2021-04-14
一種基于分形維數的碳納米管分散狀態的數值化表征方法
本發明屬于納米復合材料制備及應用領域，具體公開了一種基 于分形維數的碳納米管分散狀態的數值化表征方法。該方法首先通過 獲取分散體系中碳納米管分散狀態的掃描電鏡圖片，然后采用圖像處 理軟件(ImageJ)將所得掃描電鏡圖片進行二值化處理，再提取出圖片中 單根碳納米管或者碳納米管團聚體的邊界輪廓，最后利用盒子算法計 算處理后圖片的分形維數，所得的分形維數值即是對碳納米管分散狀 態中豐富信息的定量化描述，從而實現分散體系中
華中科技大學
2021-04-14
喹噁啉類三種獸藥的食品安全性評價與風險管控技術
中試階段/n該項目2016年獲得湖北省科技進步一等獎。由于乙酰甲喹和喹烯酮尚未確定每日允許攝入量(ADI)、殘留標識物(MR)和靶組織(TT)，未能制訂最高殘留限量(MRLs)和休藥期(WP)，喹乙醇僅有豬肌肉暫定MR及MRL，這三種藥物一直沒有科學的食品安全標準和風險管控技術，消費者健康受到威脅。
華中農業大學
2021-01-12
二次鋁灰提取工業用氧化鋁的高值資源化工藝
上海交通大學
2021-04-11
熔紡氨綸用的一種亞氨酯添加劑制造方法
氨綸熔融紡絲具有工藝流程簡單，設備投資少、生產效率高、生產過程不使用溶劑、環境污染少等優點而成為最為經濟和對環境最為友善的氨綸生產新技術。由于熔紡氨綸與干紡氨綸結構上的差異，使熔紡氨綸的耐熱性與回彈性較差。為了克服上述缺點，國內外普遍采用添加預聚體的方法，然而預聚體的NCO基團十分活潑，在存放過程中易與空氣中的水分發生副反應，使預聚體失效。 本項目是以帶有活潑氫的酚、酸、醇、酯、胺等化合物作為封端劑，與預聚體中的NCO基團進行反應，使兩端NCO基團得到暫時的保護，反應形成一種在常溫下穩定的亞氨酯，從而改善了纖維的耐熱性及回彈性，同時由于亞氨酯在常溫下非常穩定，存放期可大大地延長，因此這種新穎的封閉型預聚體比常規預聚體法更有效。已獲得國家發明專利。
東華大學
2021-02-01
一種含鎳銅的高強緊固件用鋼及其熱處理方法
簡介：本發明公開了一種含鎳銅的高強緊固件用鋼及其熱處理方法，包括如下質量百分比的組分：C：0.38～0.45％；Si：0.17～0.30％；Mn：0.60～0.80％；P≤0.010％；S≤0.010％；Cr：0.90～1.20％；Mo：0.15～0.22％；Ni：0.05～0.15％；Cu：0.10～0.20％；余量為Fe和不可避免的雜質。本發明經過油淬和高溫回火后得到的組織均為回火索氏體組織，性能如下：抗拉強度Rm＝1100～1135MPa，屈服強度Rel＝980～1015MPa，伸長率A＝14.5～17.2％，25℃，V型缺口沖擊功AKv＝70～90J，-20℃，V型缺口沖擊功AKv＝55～85J。本發明具有穩定的沖擊性能和較高的強度，可用來制作10.9級耐延遲斷裂高強度緊固件。
安徽工業大學
2021-04-11
用太陽能多晶硅切割廢料制備太陽能級多晶硅項目
隨著光伏產業的高速的發展，硅錠切割產生的切割廢料也將出現井噴式的增長。僅2012年一年，我國就用了23萬噸的多晶硅，產生了近25萬噸的粒度≤5mm的二次切割廢料(SiC和Si)，回收廠家院內廢料堆積如山，粉塵飛揚，環境惡劣。而粒度≤5mm的二次切割廢料(SiC和Si)中的SiC和晶體Si粉都是通過高能耗、高成本制備出來的，所以如能將這些廢料得以回收利用，不僅減少了環境污染，也會產生出巨大的經濟效益。特別是如能將二次廢料中價值最高的晶體硅粉得以回收并再用于制造太陽能多晶硅，這對我國減少多晶硅的進口是有重要意義的，所以說，從晶體硅切割廢料中回收多晶硅是今后一個重要的發展方向。 （1）本項目可從多晶硅切割廢料中提取出太陽能級多晶硅，其技術含量高、生產成本低、能耗小。生產的多晶硅可以替代國外進口產品，減少我國多晶硅的進口量，這對降低光伏能源成本，實現光伏能源的普及有重要意義。 (2) 本項目同時生產的副產品碳化硅制品的最大特點耐高溫和耐磨性等性能遠好于同類產品，且價格遠優于國內同類產品，因此該副產品有著廣闊的市場前景，市場競爭力強。該副產品作為耐火材料可廣泛應用于冶金、陶瓷、能源、化工等行業。如鋼鐵廠高爐的爐窯內襯和鋼包內襯、電解鋁廠鋁電解槽的側部、火法煉鋅的罐體的內襯等；如陶瓷行業所用窯爐內所用的窯板和棚板等。 (3) 產品附加值高：由于本項目所用原料主要是來源于光伏行業產生的切割廢料，原料的來源豐富且價格便宜，產品的科技含量高，生產成本低，故產品的附加值高。本項目擁有CN103086378A, CN101941699A, CN102275925A, CN102241399A, CN101724902A, CN101671022B等多項專利。
東北大學
2021-04-11
半導體輔材用多晶硅中碳、氮雜質的分離去除技術
伴隨著我國半導體行業的迅速崛起，硅電極作為光刻設備上承載硅基圓的重要輔材，其需求日趨增加。同時，基圓尺寸的不斷增加使得硅電極逐漸由單晶硅電極轉變為多晶硅電極，然而多晶硅制備過程中不可避免存在C、N雜質的污染，導致其基體中存在大量彌散分布的SiC、Si3N4硬質顆粒夾雜，嚴重影響了多晶硅電極的使用性能。
傳統制備技術下，設備熱場結構單一，熔體流動性差，導致SiC、Si3N4雜質循環溶解—析出，難以有效分離。本項目團隊前期利用電子束精煉技術去除硅中的蒸發性雜質（P、 O、N）；利用電子束誘導實現多晶硅的定向凝固，進而分離硅中的金屬雜質；基于電子束冷床效應分離硅中的SiC、Si3N4硬質顆粒，并揭示硬質顆粒與硅基體間的位相關系；基于上述研究開發出了多晶硅電極的制備工藝，可應用于刻蝕等半導體制造等領域。
本項目預期可以為半導體行業中硅電極生產制造企業提供穩定的技術支持，具有很好的生產示范性，實現高新技術產業化。該技術能夠有效地降低生產過程中的能耗，是一種低成本、環境友好的生產方法，屬于節能、環保的綠色制造技術。該技術的大規模應用和推廣，可大幅增加就業崗位，提高企業的市場競爭力，保護環境。
大連理工大學
2021-05-10
牙體硬組織原位修復和遞送活性物質用高分子材料
本項目從仿生模擬蛋白質促進牙本質及牙釉質再礦化的角度出發，合成表征一系列具有不同代數及改性基團的PAMAM型樹枝狀高分子，考察其對牙本質及牙釉質再礦化過程中晶核形成、礦物質沉降和富集的促進作用及其作用機理，包括相關的細胞、動物實驗研究。主要研究成果如下：1. 成功合成了磷酸和羧酸改性的聚酰胺-胺樹枝狀高分子（PAMAM-PO3H2和PAMAM-COOH）。通過體外和體內實驗研究發現，這兩種改性的PAMAM都能誘導牙本質和牙釉質礦化，修復受損牙體硬組織。2.成功合成了阿倫磷酸（ALN）改性的羧酸化聚酰胺-胺樹枝狀高分子ALN-PAMAM-COOH，并通過體外模擬實驗及動物實驗發現ALN-PAMAM-COOH具有1. 原位誘導牙釉質再礦化的功能，并對HA有強特異吸附和誘導再礦化的功能，且誘導礦化四周后的牙釉質表面硬度可恢復至95.5%，涂層附著力強。 在進一步研究中發現，羧酸改性的四代聚酰胺-胺樹枝狀大分子能同時實現藥物緩釋和誘導受損牙本質礦化的功能，利用樹枝狀高分子本身可載藥的特點將三氯生載入PAMAM-COOH，制備的復合體系可以吸附在牙本質表面?？蓪崿F三氯生的緩慢釋放并能同時誘導牙本質礦化，因此該材料同時具有負載活性物質（如抗菌藥物）和修復受損牙齒的功能。 主要技術指標：1. 本項目制備的磷酸或羧酸改性的樹枝狀高分子具有原位誘導牙本質及牙釉質礦化（硬度修復95%以上）的功能，且能夠用于三氯生等牙齒常用藥物的緩釋，因此既可作為牙齒修復添加劑也可作為牙齒護理添加劑，并同時可用于負載其它活性物質。 本項目用來修復受損牙本質和牙釉質的樹枝狀高分子具有良好的生物相容性，且在口腔環境中沒有生物毒性，因此可用作制備牙齒護理和修護產品的添加劑。 應用范圍： 牙科護理產品、牙科用醫療器械。項目目前已進入小批量生產階段，成果權屬為我校獨自擁有。
四川大學
2021-04-11