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一種密閉標記室內置可控CO2發生裝置
本實用新型提供了一種密閉標記室內置可控CO2發生裝置，該裝置包括酸液儲罐、堿液儲罐和反應皿，所述反應皿的側壁固定連接安裝耳，所述安裝耳上插接有緊固螺栓，所述安裝耳通過緊固螺栓緊固安裝在標記室的內腔頂部，所述反應皿的外壁靠近其開口處開設有多個氣孔，所述酸液儲罐、堿液儲罐的底部均固定連接有支架，所述支架遠離酸液儲罐、堿液儲罐的一端于標記室固定連接，所述酸液儲罐、堿液儲罐的底部分別插接有酸液管和堿液管，
青島農業大學
2021-01-12
益生優良芽孢桿菌發酵關鍵技術研究開發與應用
成果簡介： 益生芽孢桿菌因其獨特的優勢可用來制成新型、高效、低殘留的微生態制劑，廣泛應用于工業、農業、醫學等科學研究領域。目前，國內外益生芽孢桿菌產業化關鍵技術存在諸多問題。如：活菌數低、出芽率低、貨架期短、生產工藝研究不夠深入、產品穩定性差等。 項目組在完成系列國家及省部級項目
南京工業大學
2021-01-12
益生優良芽孢桿菌發酵關鍵技術研究開發與應用
益生優良芽孢桿菌是一類能對熱、紫外線、電磁輻射等有強抗性的微生物。其獨特優勢可用來制成新型、高效、低殘留的微生態制劑，廣泛應用于工業、農業、醫學等研究領域。目前，國內外益生芽孢桿菌產業化關鍵技術存在諸多問題。如：產品中活菌數低；有效期內活菌含量低造成貨架期短；研發與生產脫節，研發單位工程技術應用相對滯后。針對當前問題，本技術攻克了芽孢桿菌發酵集成技術，包括： （1）N+離子誘變結合熒光探針追蹤：利用低能離子注入技術對芽孢桿菌進行改良，篩選出性狀優良的菌種。通過熒光探針追蹤芽孢桿菌培養
南京工業大學
2021-04-14
人才需求：高分子材料專業，碩士研究生學歷
高分子材料專業，碩士研究生學歷
山東順凱復合材料有限公司
2021-08-31
張春生一行到中國高等教育學會調研
12月5日上午，民政部黨組成員、副部長張春生一行6人到中國高等教育學會調研，走訪學會各部門及直屬單位，參觀了學會文化墻和讀書廳，與工作人員親切交談，了解工作情況。
中國高等教育學會
2023-12-07
12V50W邁瑞L9389生化儀燈泡
產品詳細介紹12V50W邁瑞L9389生化儀燈泡category: Specialty volt: 12 amp: 4.17 watt: 50 base: GY9.5 - Prefocus, 2-pin; round 3.2mm & 2.4mm9.53mm centered, Ceramic Base(found on high voltage bulbs) glass: T12mm filament: C6 fil.res.: 2.88 ohm m.o.l.: 2.36 inch (59MM) l.c.l.: 1.31 inch (33MM) burn pos: burn lamp in ANY position i.lumens: 900 cp: 72 cri: 99 color temp: 3000 d.hours: 2000 notes: clear glassPartNo. Volts Amps Lumens CCT Burning Position Filament Type D MOL LCL Base Type L9389 12.00 4.17 900 3000 Any C-6 12 60.00 33.30 GY9.5 L9404 12.00 1.67 300 2900 Any C-6 11 55.00 30.30 GY9.5
東莞市毅邁光源照明有限公司
2021-08-23
納米級氧化銦錫粉體和高密度ITO靶材的制備
氧化銦錫（indium-tin-oxide）簡稱ITO，ITO靶材是一種功能陶瓷材料，主要用于制造ITO透明導電膜玻璃。以金屬銦、錫為原料采用共沉淀法制備出納米級ITO復合粉體。粉體造粒成型后分別采用加壓和常壓燒結法制備出相對理論密度大于99.5%、氧化銦單一相的ITO靶材。 粉體純度大于99.99%、顆粒分散性好，粒徑10nm—80nm之間可控，BET比表面積30~60m2/g ，In2O3:90.0±0.5%，SnO2: 10.0±0.5%；ITO靶材相對理論密度99.5%。 威海市藍狐特種材料有限公司已采用該技術建設年產20噸納米級氧化銦錫復合粉體生產線，采用該粉體燒制的ITO靶材相對理論密度達到99%以上。國內相對理論密度大于99%的ITO靶材主采用進口產品。 金屬銦、錫是我國的優勢資源，生產設備都是定型通用設備，年產20噸納米級氧化銦錫粉體和高密度ITO靶材的生產廠需要人員50名。納米級氧化銦錫粉體制備已建設年產20噸生產線。高密度ITO靶材的制備已完成實驗室小試。
北京化工大學
2021-02-01
半導體輔材用多晶硅中碳、氮雜質的分離去除技術
伴隨著我國半導體行業的迅速崛起，硅電極作為光刻設備上承載硅基圓的重要輔材，其需求日趨增加。同時，基圓尺寸的不斷增加使得硅電極逐漸由單晶硅電極轉變為多晶硅電極，然而多晶硅制備過程中不可避免存在C、N雜質的污染，導致其基體中存在大量彌散分布的SiC、Si3N4硬質顆粒夾雜，嚴重影響了多晶硅電極的使用性能。
傳統制備技術下，設備熱場結構單一，熔體流動性差，導致SiC、Si3N4雜質循環溶解—析出，難以有效分離。本項目團隊前期利用電子束精煉技術去除硅中的蒸發性雜質（P、 O、N）；利用電子束誘導實現多晶硅的定向凝固，進而分離硅中的金屬雜質；基于電子束冷床效應分離硅中的SiC、Si3N4硬質顆粒，并揭示硬質顆粒與硅基體間的位相關系；基于上述研究開發出了多晶硅電極的制備工藝，可應用于刻蝕等半導體制造等領域。
本項目預期可以為半導體行業中硅電極生產制造企業提供穩定的技術支持，具有很好的生產示范性，實現高新技術產業化。該技術能夠有效地降低生產過程中的能耗，是一種低成本、環境友好的生產方法，屬于節能、環保的綠色制造技術。該技術的大規模應用和推廣，可大幅增加就業崗位，提高企業的市場競爭力，保護環境。
大連理工大學
2021-05-10
單疇超導塊材Gd-Ba-Cu-O 的制備與其超導性能的研究
直徑為25 mm的YBa2Cu3O7-δ(Y123)單疇超導塊材在溫度為77K時，捕捉磁場高達4 T；而在29 K時，捕捉磁場甚至達17 T，優越的性能促進了該類超導材料在電機、發電機、工業污水處理、醫學核磁共振等方面的應用研究。
本課題以通過熔融織構方法生長高性能的單疇超導塊材作為研究對象，選擇合適的單相氧化物作為第二相生長GdBa2Cu3O7-δ超導塊材。在制備的高質量系列樣品的基礎上，通過低溫磁性測量分析臨界電流密度隨溫度及摻雜量的變化曲線；分析微觀結構，揭示第二相、缺陷等對超導性能影響的原因。以期找出提高超導塊材性能的合理生長方法，對其微觀機制給出盡量圓滿的解釋。這也為澄清與當前超導材料前沿課題緊密相關的一些基本問題的理解提供基礎研究資料。
該項目已獲國家自然基金項目立項支持。
上海電力大學
2021-04-29
一種基于陶瓷材料的增材制造成形裝置及方法
本發明公開了一種基于陶瓷材料的增材制造成形裝置，其特征 在于，該裝置包括：光固化機構、傳動機構以及擠出回抽機構，所述 光固化機構設于所述擠出回抽機構的一端，所述傳動機構設于所述擠 出回抽機構的另一端；其中，所述光固化機構包括調光器(15)、紫外線 燈固定盤(16)和紫外固化燈(17)；所述擠出回抽機構包括噴嘴(1)、噴嘴 連接件(2)、螺桿(3)、料筒(4)及料斗(6)；所述傳動機構包括電機(12)和 聯軸器(11)
華中科技大學
2021-04-14