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一種基于磁調制的直流漏電流傳感器
本發明公開了一種于磁調制的直流漏電流傳感器，用于對直流 絕緣狀況進行監測具有良好的性能，所述直流漏電流傳感器包括振蕩 電路、二極管、雙磁芯差動單元、第一濾波器、儀用放大器、相敏檢 波器和第二濾波器；本發明的直流漏電流傳感器采用半波激勵，與傳 統的傳感器相比，省略了用于產生相敏檢波器參考信號的倍頻電路， 簡化了電路結構，減少了干擾，降低了成本，并具有靈敏度高的特點。
華中科技大學
2021-04-14
大功率高穩定加速器勵磁用開關電源
離子加速器中的電磁鐵是其核心部件之一，加速器裝置要求其產生的磁場恒定或按要求的規律進行變化。按不同要求其電源可分為穩定電源（用于產生穩定磁場）和脈沖電源（磁場按所要求規律變化），這兩類電源分別對輸出電流穩定度、電流紋波和跟蹤精度等指標提出很高的要求，例如穩定電源的輸出電流穩定度一般要求在10-4數量級。這類電源的輸出功率從幾千瓦到幾百千瓦，除小功率的電源外
西安交通大學
2021-01-12
磁光克爾效應測量系統實驗用超高靈敏度磁強計
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磁光克爾效應測量系統 磁光克爾效應裝置是一種基于磁光效應原理設計的超高靈敏度磁強計，是研究磁性薄膜、磁性微結構的理想測量工具。旋轉磁光克爾效應（RotMOKE）是在磁光克爾效應測量基礎上的一種類似于轉矩測量各向異性的實驗方法，可以定量的得到樣品的磁各向異性的值。但由于電磁鐵磁場大小的限制，只適合于測量磁各向異性的易軸在膜面內而且矯頑場不太大的磁性薄膜材料。結合源表可以進行樣品的磁輸運性能測量。RotMOKE具有以下特點：測量精度高、測量時間短；非接觸式測量，是一種無損測量；測量范圍為一個點，可以測量同一樣品不同部位的磁化情況；可以產生平滑、穩定的受控磁場，并且磁場平滑過零。
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技術參數：
1·光學平臺：
剛性隔震，不銹鋼貼面，1200*800*800mm，M6螺孔，25mm陣距，150mm臺板厚度，帶腳輪。臺面平整度0.1/1000mm，平臺載荷300Kg，固有頻率≤2.5Hz，阻尼比0.12~0.13R/S。
2·矢量電磁鐵：
錦正茂二維矢量電磁鐵，每維大磁場0.26T，極面直徑30mm，磁場間隙40mm，中心10mm正方體內均勻區1%。
3·電磁鐵電源：
錦正茂單相雙極性恒流，大10A，小分辨率0.1mA，穩定性50ppm/h，對應小分辨率0.1Gauss。
4·激光器： Newport 632.8nm，2mW，2%穩定度，噪音<1% rms（30Hz~10MHz），通過聚焦透鏡光斑小為10μm的圓。
5·起偏/檢偏器：格蘭-湯普森棱鏡，外徑25.4mm，通光孔徑10mm，消光比<5*10^-5，角度范圍14~16°，波長范圍350~2300nm。
6·聚焦透鏡：K9雙凸，設計波長633nm，外徑25.4mm，焦距150mm，焦距誤差±0.5%，面精度X方向λ/4，Y方向λ/2。
7·四分之一波片：Ø25.4mm，波長632.8nm，投射波前畸變λ/8，相位延遲精度λ/100。
8·光電傳感器：15mm²感應面積，0.21A/W響應度，暗電流1nA，對430~900nm波長光敏感，分流電阻200Mohm。
9·電流放大器：1pA/V大增益，1MHz帶寬，大輸入±5mA，大輸出±5V，增益精度為輸出的±0.05%
10·高精度電壓表：六位半，小分辨率0.1μV，90天準確度達到0.002%，四位半精度下快2000 readings/second
11·手動位移和電動旋轉樣品桿： XYZ三維位移，XY行程25mm，Z行程13mm，轉動360度，樣品座為直徑11mm的圓，上有電接頭。
12·計算機：聯想商用，集成多串口卡。
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錦正科技以現代高科技產業和傳統產業為核心業務，對內承接科研生產任務，對外以商務平臺方式實現軍民兩用技術成果轉換，形成了科學管理的現代化經營模式，專門從事物理、化學和材料等領域的科學儀器研發、銷售各類型超低溫測試設備（液氮 液氦）制冷機系統集成 ，定制 ，高低溫真空磁場發生系統，Helmholtz線圈（全套解決方案），電磁鐵（全系列支持定制），螺線管，電子槍（高穩定性雙極性磁鐵恒流電源1ppm），高低溫磁場真空探針臺，霍爾測試系統，電輸運測量解決方案，磁光克爾效應測量系統等產品種類齊全，性能可靠，至今已有近10余年的歷史，是國內（較早）生產探針臺，電輸運，電磁鐵的廠家之一。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-02-10
活體成像核磁 小動物核磁共振成像儀
產品詳細介紹產品簡介： MacroMR小動物核磁共振成像儀線圈最大口徑為150mm，可用于大鼠、小鼠、兔子、小狗、小貓等小動物核磁共振成像研究。該活體小動物磁共振成像儀是一款功能強大，無損傷性的成像分析儀，幫助您了解實驗對象體內結構及各組織對比信息。該設備使用永磁體，維護成本低，性能優越，適合于生命科學相關領域科研應用。技術指標：1、磁體類型：永磁體；2、磁場強度：0.3±0.05T，儀器主頻率：12.8MHz；3、探頭線圈直徑：150mm；應用解決方案：1、頭部腫瘤類動物模型研究2、頭部血栓、腦梗等動物模型研究 3、肝部腫瘤、脂肪肝、其它肝部疾病研究 4、皮下腫瘤研究5、靶向藥物(納米生物材料、MRI造影劑)研究6、腫瘤研究7、心血管疾病研究8、基于磁共振造影劑的靶向研究9、病理研究，肥胖研究10、胚胎發育研究11、腎臟研12、磁共振造影劑研究應用案例一：小鼠皮下腫瘤造影成像應用案例二：150g大鼠頭部多層成像應用案例二：磁共振造影劑研究注：儀器外觀如有變動，以產品技術資料為準。
上海紐邁電子科技有限公司
2021-08-23
基于磁致伸縮導波的檢測傳感器、檢測系統及應用
本發明公開了一種基于磁致伸縮導波的檢測傳感器，包括：中 空殼體，其中心同軸套接有貫穿該中空殼體兩端的導桿；環形磁鐵， 其內置于殼體中并同軸套裝在導桿上，其通過磁鐵定位塞軸向固定； 箱體，其固定設置于導桿一端上并通過壓緊螺母軸向定位于殼體外， 激勵插頭和接收插頭固定安裝在該箱體上；以及套接有激勵線圈和接 收線圈的線圈骨架，其中線圈骨架固定在所述導桿的位于殼體外的另 一端上，激勵線圈和接收線圈依次套在線圈骨架外周并分別與激勵插 頭和接收插頭電連接。本發明還公開了包括上述檢測傳感器的系統及 其應用。本發明只需要線圈骨架以及激勵接收線圈部位伸入換熱管內 即可完成對整根換熱管的檢測，極大程度的減小了需要清洗的區域， 提高了換熱管的檢測效率，檢測精度高。
華中科技大學
2021-04-11
非制冷薄膜型紅外焦平面陣列探測器結構及其制備方法
非制冷薄膜型紅外焦平面陣列探測器結構，包括含讀出電路的第一基片，含熱隔離微橋陣列和敏感元陣列的第二基片，所述第一基片與第二基片鍵合成一體，所述熱隔離微橋陣列中的各熱隔離微橋單元以刻蝕后的第二基片為橋墩，以與所述橋墩頂面緊密結合的支撐層為橋面；各熱隔離微橋單元的橋面上均設置有敏感元陣列，各敏感元陣列通過引線電極與第一基片上對應的讀出電路實現電連接。制備方法：第一基片鍵合面圖形的制備；支撐層制備；敏感元陣列的制備；第二基片正面保護；熱隔離微橋陣列的制備；第一基片與第二基片的鍵合；除去第二基片的正面保護層；敏感元電極讀出電路電極的連接。
四川大學
2021-04-11
由納米聚合物中空粒子組成的多孔防反射薄膜的制備方法
本發明公開了一種由納米聚合物中空粒子組成的多孔防反射薄膜的制備方法。它的步驟如下：1)將納米聚合物膠囊配制成質量百分比濃度為3～7％的水分散液，通過勻膠機在基材表面進行單面或雙面旋涂，形成含納米聚合物膠囊的薄膜；2)將上述含納米聚合物膠囊的薄膜經真空高溫干燥，待薄膜中納米聚合物膠囊的核心材料完全揮發后，納米聚合物膠囊變成了納米聚合物中空粒子，得到由納米聚合物中空粒子組成的多孔防反射薄膜。本發明的制備工藝簡單，通過改變納米聚合物膠囊水分散液的濃度和納米聚合物中空粒子的空腔體積分率可方便有效的調節多孔防反射薄膜的厚度和折光指數，且所制備的多孔防反射薄膜具有較高的機械強度和耐摩擦性能。
浙江大學
2021-04-11
一種在超細鎢絲表面電沉積鋁鎂合金薄膜的方法
本發明提供了一種在超細鎢絲表面電沉積鋁鎂合金薄膜的方法。該方法克服了在有機溶劑、離子液體體系中電沉積鋁鎂合金薄膜存在鍍液體系不穩定，原料成本高昂，鍍液配置不易，使用壽命較短，制得的鋁鎂合金薄膜中鎂含量較低等問題。該方法在低溫無機熔鹽體系中，氯化鋁和氯化鎂作為主鹽，氯化鈉和氯化鉀作為支持電解質；以超細鎢絲作為電沉積陰極，鋁為陽極，控制電鍍溫度，電鍍時間以及電流密度，在惰性氛圍保護下進行鋁鎂合金薄膜在超細鎢絲表面的電沉積。
電子科技大學
2021-04-10
一種大面積的米級碳納米管/石墨烯薄膜
本項目主要涉及到一種大面積的米級碳納米管/石墨烯薄膜。本技術產品可應用于智能電發熱材料， 超輕薄防彈衣材料，電磁屏蔽膜，防火耐腐蝕衣服及涂料，手機散熱材料，復合結構材料等。本技術產品 具有世界最輕，最薄，超柔軟可揉搓，高導電導熱的性能，并且具有量產性強，成本低廉的優勢。在數十 個行業領域具有可革命性的替代能力。本次主要介紹該材料在短期內可迅速成果轉化的智能電加熱及散熱 方面的技術應用。 縛，真正保持了純天然的特性，使產品的質量邁上一個新臺階。 本技術成果已經工業化應用的有高純度肉桂醛、苯甲醛、苯乙酮、1-苯乙醇、藿香油、香茅油、山 蒼子油、澳洲茶樹精油等；應用領域涉及石化、化工、食品、醫藥、日化、香料等行業。產品的提純用普 通的蒸餾方法或者分子蒸餾難以達到的它能做得到，如肉桂醛≥98%、苯乙酮≥99%、苯甲醛≥99%。本 聯用技術在熱敏性物料的精細分離提純中具有十分廣闊的市場。對投資者要求：從事熱敏性組分分離的企 業，研究所及設備生產廠家。
中山大學
2021-04-10
一種制備ZuO/CuInS2核殼結構納米棒薄膜的方法
本發明屬于薄膜制備技術領域，具體為一種制備ZnO/CuInS2核殼結構納米棒薄膜的方法和相關工藝參數。該制備方法為媒介模板轉換法。首先，采用水熱法，以硝酸鋅(Zn(NO3)2)/六次甲基四胺(HMT)水溶液為生長體系，在ITO導電玻璃上生長ZnO納米棒；然后以硫代乙酰胺(TAA)為反應試劑進行水浴，得到ZnO/ZnS核殼結構納米棒薄膜；然后，將所得樣品在硝酸銅(Cu(NO3)2)的三乙二醇(TEG)溶液中靜置一段時間得到ZnO/CuS核殼結構納米棒薄膜媒介模板；最后，將所得樣品放入氯化銦(InCl3
天津城建大學
2021-01-12