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南方科技大學材料科學與工程系助理教授任富增課題組提出通過調控合金界面結構和化學成分實現超高耐磨性能的新策略。相關研究成果發表在金屬材料領域頂級期刊Acta Materialia上。該研究成果對服役于極端環境的新型高強耐磨合金設計提供了新思路，將有助于開拓多主元合金在耐磨損領域的應用，對設計用于嚴苛環境的高強度、耐磨損、熱穩定合金具有一定意義，且為拓展界面相工程在多主元高熵合金領域的應用挖掘了潛在研究方向。本研究中開發出的TiMoNb合金除可用于高溫耐磨材料之外，其高強度、良好的生物相容性、耐腐蝕性使其在牙科、骨科等醫用植入材料領域亦有廣泛的應用前景。

本發明公開了一種超高比表面積硫氮共摻雜多孔石墨烯的制備 方法及產品，該方法包括：選用含角蛋白的生物質材料為原材料，以 其同時作為固體碳、氮、硫原料，首先初步碳化，再通過堿性溶液減 壓吸附，再經過高溫活化處理，然后酸洗真空干燥得到石墨烯。利用 角蛋白特殊鏈狀及環狀結構，將生物質角蛋白直接轉化為超高比表面 積的硫氮共摻雜多孔石墨烯。石墨烯的氮含量可高達 5.0at.％以上，硫 含量達 1.0at.％以上，比表面積高達 1

項目簡介 一種 690-730MPa 超高強度 80-100mm 淬透性鋁合金及其制備方法，其特征是所述的 鋁合金主要由鋁（Al）、鋅（Zn）、鎂（Mg）、銅（Cu）、鋯（Zr）和鍶（Sr）組成，其中， 鋅（Zn）的質量百分比為 10.78～13.01%，鎂（Mg）的質量百分比為 2.78～3.51%，銅（Cu） 的質量百分比為 2.26～2.80%，鋯（Zr）的質量百分比為 0.204～0.24%，鍶（Sr）的質量 百分比為 0.0025～0.0751%，余量為鋁和少量雜質元素。所述

產品詳細介紹   HD-SDI數字高清音視頻矩陣主要特性    HD-SDI系列數字高清矩陣內部采用專用的1.5Gb/s高速開關芯片，圖像清晰無誤碼；輸入端采用了自適應均衡專用芯片，提高了輸入信號的適應能力；輸出帶驅動設計，有效增強了輸出能力。    機箱全部采用EMI的結構設計，有效的防止電磁輻射及電磁波的干擾，性能更加穩定。    內嵌智能控制，采用了獨特的處理方式，大大提高了設備的切換速度，實現了指令之間不需等待的快速控制；具備掉電狀態存儲保護、開機自動恢復記憶的功能。    除面板鍵盤和紅外遙控（選配）操作外，還提供RS232控制接口，方便用戶與各種集中控制設備（如MSEER、快思聰、AMX等）配合使用；通過隨機提供的軟件，可方便設定設備編號，便于多臺同型設備共聯控制。    HD-SDI系列數字高清矩陣主要應用于高清廣播電視工程、高清可視會議廳、大屏幕顯示工程、高清電視教學、指揮控制中心等高清應用場所。產品參數SDI/HD-SDI特性兼容碼流 ：143Mbps～1.5Gbps均衡能力 ：100m @1.5G（Belden 1694A）時鐘恢復 ：可選SDI/HD-SDI輸入信號輸入 ：SDI/HD-SDI信號接口形式 ：BNC阻    抗 ：75Ω反射損耗 ：>18dB 5MHz-1.5GHzSDI/HD-SDI輸出信號輸出 ：SDI/HD-SDI信號接    口 ：BNC輸出幅度 ：1500mv±5%直流偏移 ：0V±0.5V信號過沖 ：0V±0.5V信號抖動 ：< 0.2 UI per SMPTE阻    抗 ：75Ω音頻特性增率 ：0dB頻率響應 ：20Hz~20kHz總諧波失真+噪聲 ：0.05% @1kHz（額定電壓下）共模抑制比（CMRR）：（CMRR）>75dB@：20Hz~20kHz音頻輸入信號類型 ：立體聲，平衡/非平衡接口形式 ：5PIN接口阻抗 ：>10kΩ最大電平 ：>+21dBu音頻輸出信號類型 ：立體聲，平衡/非平衡接口形式 ：5PIN接口阻抗 ：>470kΩ最大電平 ：>+21dBu控制類型     停止位：1位，無奇偶校驗位串行控制口結構：2=TX，3=RX，5=GND規格     電源：100VAC ~ 240VAC, 50/60 Hz, 國際自適應電源     功率：≤40W     存儲環境溫度：-20°C ~ +150°C     工作環境溫度：-10°C ~ +55°C     相對濕度：20% ~ 95%     平均無故障時間：30，000小時

本實用新型公開了一種用于超高層建筑風洞實驗的多自由度氣彈模型骨架，主要由多根立柱將至少 三層水平鋼板串聯組成，水平鋼板為多邊形框架，多邊形框架的中間設有方孔，所述方孔與多邊形框架 的側邊之間設有橫梁，立柱包括一根方形粗柱和多根異形細柱，所述方形粗柱穿過每一層水平鋼板上的 方孔并與方孔通過粘接方式相對固定，每一層多邊形框架的橫梁上設有多個凸塊，異形細柱上設有與每 一層橫梁上的凸塊相配合的卡孔，所述異形細柱與橫梁通過凸塊和卡孔定位，所述多層水平鋼板根據實 驗需要以一定間隔在方形粗柱上下排列。本裝置振型、頻率可調范圍大，能模擬通常的實際超高層建筑， 異形細柱調節方便易行、精度高。 

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本發明涉及一種超高壓同塔四回交流/雙回雙極直流線路零序參數測量法，通過建立基于分布參數的 超高壓同塔四回/雙回雙極輸電線路模型，利用全球衛星定位系統技術(GPS)，同時測量四回/四極輸電 線路首末兩端的零序電壓和零序電流，實現對零序電壓和零序電流的同步采樣;再通過本專利給出的測 量與計算方法得到超高壓同塔四回/雙回雙極輸電線路的零序電阻、零序電感、零序電容參數。本發明方 法基于分布參數模型和傳輸線方程，極大提高了測量精度，可滿足實際工程測量的需要。

本發明提供了一種基于InDel分子標記鑒定辣椒雄性不育三系配套雜交種真實性和純度的方法。其方法為：將辣椒雜交種和親本培育至芽苗期，提取DNA，應用核心引物對雜交種和親本進行篩選，只有共顯性標記的引物可以作為該雜交種真實性鑒定的分子標記。若辣椒雜交種和親本在核心引物庫中無法篩選出共顯性標記，則結合次級核心引物庫中繼續篩選，直至篩選出共顯性標記。本發明建立的快速、同時鑒定辣椒雄性不育三系配套雜交種真實

清華大學化學工程系魏飛團隊在亞納米尺度下原位研究分子吸附擴散機制領域取得重要進展。該團隊采用皮米電鏡原位成像策略，實現了分子篩中小分子吸脫附行為和分子篩骨架結構動態演變的原位實時觀測，首次發現了剛性分子篩的亞單胞拓撲柔性結構特點，揭示了分子擴散突破孔徑限制的微觀機制，豐富了對分子篩擇形催化與限域效應的理解。