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本發(fā)明公開(kāi)了一種基于超材料的遠(yuǎn)紅外單譜信號(hào)探測(cè)器，包括·798·自下而上依次設(shè)置的襯底層、N 型砷化鎵層、二氧化硅層與超材料層、歐姆電極和肖特基電極。超材料層為具有周期性微納米結(jié)構(gòu)的金屬開(kāi)環(huán)共振單元陣列，所述金屬開(kāi)環(huán)共振單元陣列包含了一種圖形及其特征尺寸參數(shù)，該圖形對(duì)于遠(yuǎn)紅外電磁波具有完全吸收特性，通過(guò)改變金屬開(kāi)環(huán)共振單元的結(jié)構(gòu)和尺寸參數(shù)可以調(diào)控對(duì)應(yīng)的電磁波吸收頻段，通過(guò)改變 N 型砷化鎵的耗盡層寬度可

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于超材料的太赫茲單譜信號(hào)探測(cè)器，包括自下而上依次設(shè)置的襯底層、N 型砷化鎵層、二氧化硅層與超材料層、歐姆電極和肖特基電極；其中超材料層為具有周期性微納米結(jié)構(gòu)的金屬開(kāi)環(huán)共振單元陣列，金屬開(kāi)環(huán)共振單元陣列包含了一種圖形及其特征尺寸參數(shù)，該圖形對(duì)于太赫茲電磁波具有完全吸收特性，通過(guò)改變金屬開(kāi)環(huán)共振單元的結(jié)構(gòu)和尺寸參數(shù)可以調(diào)控對(duì)應(yīng)的電磁波吸收頻段，通過(guò)改變 N 型砷化鎵的耗盡層寬度可以調(diào)控超材料層中金屬開(kāi)環(huán)

本發(fā)明公開(kāi)了一種數(shù)字高程模型 DEM 超分辨率的方法，包括：建立高分辨率 DEM 與低分辨率 DEM 的位置映射，對(duì)每一個(gè)低分辨率DEM 測(cè)試區(qū)的子區(qū)域在低分辨率 DEM 搜索區(qū)進(jìn)行相似塊查找與相似性估計(jì)，選取相似性最高的一系列子區(qū)域作為相似塊，將查找到的一系列相似塊映射回高分辨率 DEM 實(shí)測(cè)區(qū),將這些對(duì)應(yīng)的高分辨率 DEM實(shí)測(cè)區(qū)子區(qū)域塊按其對(duì)應(yīng)的相似權(quán)重相加得到一個(gè)新的子區(qū)域,將上述超分辨率后的高分辨率 DEM 缺失區(qū)的子區(qū)域拼接起來(lái)，加上高分辨率 DEM 實(shí)測(cè)區(qū)已有的數(shù)據(jù)就為一個(gè)完整的高分辨率

本發(fā)明公開(kāi)了一種超痕量鉛鎘離子檢測(cè)方法及檢測(cè)試紙條。所述 檢 測(cè) 方 法 ， 包 括 如 下 步 驟 (1) 樣 品 酸 化 處 理 ； (2) 樣 品 去 除Hg²⁺和 Zn²⁺；(3)用緩沖液稀釋?zhuān)@得中性樣品；(4)將步驟(3)中獲得的中性樣品與雙硫腙接觸，生成鉛鎘離子-雙硫腙絡(luò)合物(5)添加硫化物溶液，使得鉛鎘離子-雙硫腙絡(luò)合物完全反應(yīng)，生成 PbS 和/或 CdS；(6)將步驟(5)中獲得的含 Pb

本成果提出的基于超像素樣本擴(kuò)充的空譜全卷積高光譜圖像分類(lèi)方法有效的利用高光譜圖像的超像素分割結(jié)果指導(dǎo)偽樣本擴(kuò)充增加了訓(xùn)練集樣本數(shù)量，解決了高光譜圖像有標(biāo)記樣本的稀缺問(wèn)題，同時(shí)空譜的全卷積分類(lèi)網(wǎng)絡(luò)也充分利用了多尺度的空間特征和光譜特征實(shí)現(xiàn)了較高的分類(lèi)精度。 成果非涉密，專(zhuān)利申請(qǐng)已經(jīng)提交。 實(shí)驗(yàn)采用反射光學(xué)系統(tǒng)成像光譜儀（ROSIS）傳感器獲取意大利北部帕維亞大學(xué)（Pavia  University）的高光譜圖像數(shù)據(jù)。該數(shù)據(jù)集由 103 個(gè)光譜帶組成，共 610×340 像素，光譜覆蓋范圍從 430nm 到 860nm，空間分辨率為 1.3m。該數(shù)據(jù)集一共含有 9 個(gè)類(lèi)別的 42776個(gè)有標(biāo)記樣本，選取每類(lèi) 30 個(gè)有標(biāo)記樣本作為訓(xùn)練集，其余作為測(cè)試集。 由下表可以看出，在每類(lèi)選取 30 個(gè)樣本的情況下，本 模 型 的 OA，AA，Kappa系 數(shù) 比 DFFN 模 型 高 出20.8%，17.4% 和 26.5%；比CNN 高 出 23.1%，18.8% 和29.2%。并且下表證明了使用了偽標(biāo)簽樣本擴(kuò)充的空譜全卷積網(wǎng)絡(luò)的本方法在小樣本情況下每個(gè)類(lèi)的分類(lèi)準(zhǔn)確性均優(yōu)于 DFFN 和 CNN，達(dá)到了較好的分類(lèi)效果。 表 1 PaviaU 數(shù)據(jù)集上對(duì)比實(shí)驗(yàn)結(jié)果

本發(fā)明提供了一種基于電磁感應(yīng)透明的紅外超增強(qiáng)收集天線(xiàn)， 包括多個(gè)周期性陣列排布的天線(xiàn)單元，所述天線(xiàn)單元包括第一諧振單 元和第二諧振單元；所述第一諧振單元的諧振頻率與所述第二諧振單 元的諧振頻率相同或相近；通過(guò)所述第一諧振單元與所述第二諧振單 元之間的耦合作用實(shí)現(xiàn)了在紅外波段的電磁感應(yīng)透明現(xiàn)象，提高了對(duì) 目標(biāo)頻率紅外輻射的收集效率。本發(fā)明提供的電磁感應(yīng)透明紅外超增 強(qiáng)收集天線(xiàn)能使入射的偏振光能量重新分布，將能量轉(zhuǎn)移至與

本發(fā)明公開(kāi)了一種動(dòng)磁式長(zhǎng)行程超精密直線(xiàn)運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)，包括定 子線(xiàn)圈組件、氣浮支承組件和永磁體動(dòng)子組件，定子線(xiàn)圈組件包括定子氣浮導(dǎo)軌和電感組件；氣浮支承組件包括氣浮軸承；永磁體動(dòng)子組 件包括動(dòng)子基座、永磁體安裝座及永磁體組，動(dòng)子基座固定安裝在氣 浮軸承上，動(dòng)子基座向下設(shè)置永磁體安裝座，每個(gè)永磁體安裝座上安 裝一永磁體組，永磁體組包括多個(gè)永磁體，并且同一永磁體安裝座上 的永磁體的同一側(cè)磁場(chǎng)極性相同，以用于驅(qū)動(dòng)永磁體組和氣浮軸承沿 定子氣浮導(dǎo)軌的縱向移動(dòng)。本發(fā)明采用均勻布置的長(zhǎng)行程線(xiàn)圈繞組作 為定子，與傳統(tǒng)的

本發(fā)明公開(kāi)了一種超精密雙層宏微運(yùn)動(dòng)平臺(tái)的同步控制系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括設(shè)置在計(jì)算機(jī)內(nèi)的主控制模塊、兩個(gè)宏微運(yùn)動(dòng)平臺(tái)控制模塊和同步控制模塊；兩個(gè)宏微運(yùn)動(dòng)平臺(tái)控制模塊均包括微動(dòng)平臺(tái)控制模塊，跟隨控制模塊，宏動(dòng)平臺(tái)控制模塊，激光測(cè)量模塊，以及光柵測(cè)量模塊。本發(fā)明引入了微動(dòng)平臺(tái)位置轉(zhuǎn)換器，簡(jiǎn)化了微動(dòng)平臺(tái)的控制；提出了力作用轉(zhuǎn)換器，提高了宏動(dòng)平臺(tái)的跟蹤精度；采用宏動(dòng)平臺(tái)跟蹤微動(dòng)平臺(tái)的控制方式，防止了微動(dòng)平臺(tái)運(yùn)動(dòng)飽和的發(fā)生，提高了宏微運(yùn)動(dòng)平臺(tái)的定位精度；采用了雙層宏微運(yùn)動(dòng)平臺(tái)同步控制器，減小了同步誤差，并改善了雙層宏

本發(fā)明公開(kāi)了一種三自由度超精密微動(dòng)工作臺(tái)，該工作臺(tái) X、Y和θ方向的運(yùn)動(dòng)由四個(gè)垂直布置在微動(dòng)臺(tái)外框架和內(nèi)框架的直線(xiàn)電機(jī)提供，直線(xiàn)電機(jī)的動(dòng)子安裝在外框架的內(nèi)側(cè)，直線(xiàn)電機(jī)定子安裝在內(nèi)框架外側(cè)。外框架由安裝在外框架底部四角的四個(gè)圓形氣浮軸承實(shí)現(xiàn)垂直方向的支承，內(nèi)框架分別由環(huán)形氣浮軸承和圓形真空預(yù)緊吸盤(pán)實(shí)現(xiàn)垂向的支承。微動(dòng)臺(tái)的位置信息由垂直安裝在載物平臺(tái)上的第一、第二平面配合激光干涉儀測(cè)量。本發(fā)明所提出的一種三自由度超精密微動(dòng)工作臺(tái)可實(shí)現(xiàn)大負(fù)載、大慣量、高精度的運(yùn)動(dòng)，該平臺(tái) X 和 Y 向的行程為 2mm，

本成果將全息技術(shù)與位置復(fù)用、偏振復(fù)用、共形超穎表面、非對(duì)稱(chēng)傳輸、結(jié)構(gòu)色、相變材料、軌道角動(dòng)量調(diào)控等超穎表面相關(guān)特性相結(jié)合，設(shè)計(jì)出了多種基于光學(xué)超穎表面的多維信息復(fù)用防偽標(biāo)識(shí)，為提升光存儲(chǔ)技術(shù)的存儲(chǔ)密度和防偽加密性能提供了新的解決方案，具有極大的設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用前景。 一、項(xiàng)目分類(lèi) 關(guān)鍵核心技術(shù)突破 二、技術(shù)分析 近年來(lái)，超穎表面作為一個(gè)新興的研究領(lǐng)域發(fā)展迅速，其強(qiáng)大的波前調(diào)控能力和與生俱來(lái)的超薄、緊湊的性質(zhì)非常適合應(yīng)用于光學(xué)加密、防偽領(lǐng)域。為了推進(jìn)超穎表面的實(shí)用化發(fā)展，增加其信息容量，項(xiàng)目組在超穎表面的多維信息復(fù)用領(lǐng)域做出許多努力。將全息技術(shù)與位置復(fù)用、偏振復(fù)用、共形超穎表面、非對(duì)稱(chēng)傳輸、結(jié)構(gòu)色、相變材料、軌道角動(dòng)量調(diào)控等超穎表面相關(guān)特性相結(jié)合，設(shè)計(jì)出了多種基于光學(xué)超穎表面的多維信息復(fù)用防偽標(biāo)識(shí)，為提升光存儲(chǔ)技術(shù)的存儲(chǔ)密度和防偽加密性能提供了新的解決方案，具有極大的設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用前景。 基于光學(xué)超穎表面的多維信息復(fù)用防偽標(biāo)識(shí)與加密技術(shù)信息容量大，能提供多層次的防偽特征；必須采用電子束刻蝕系統(tǒng)進(jìn)行加工，設(shè)計(jì)制造難度高，極難仿制和偽造；面積小，外表精致，不影響產(chǎn)品或證件的外觀；具有極高的唯一性，由于全息算法的特性，即使對(duì)應(yīng)的全息再現(xiàn)像完全相同，也可以通過(guò)對(duì)比SEM圖來(lái)從根源上避免偽造。該技術(shù)代表著未來(lái)光學(xué)加密、防偽技術(shù)的發(fā)展方向，可作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、模式識(shí)別、信息處理和光學(xué)加密的平臺(tái)，有望在增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)、智能手機(jī)等人機(jī)交互領(lǐng)域及防偽、信息加密等信息安全領(lǐng)域發(fā)揮關(guān)鍵作用。