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一種機(jī)械疊層ALSB/CIS薄膜太陽(yáng)電池,屬于一種半導(dǎo)體薄膜太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),它是由ALSB頂電池機(jī)械疊合在CIS底電池上而成的雙結(jié)四端薄膜太陽(yáng)電池。其中ALSB頂電池,指的是在CORNING 7459玻璃上先沉積N型摻鋁氧化鋅導(dǎo)電層,然后沉積氧化鋅高阻層,再沉積硫化鎘緩沖層,隨后沉積銻化鋁吸收層以及碳納米管涂層作為透明導(dǎo)電層,最后,沉積鎳/鋁柵線而制成的太陽(yáng)電池;而CIS底電池,指的是在SODA LIME玻璃上沉積鉬,然后沉積吸收層硒銦銅,再沉積緩沖層硫化鎘,隨后沉積高阻氧化鋅和摻鋁氧化鋅,最后沉積與頂電池相同形狀和大小的鎳/鋁柵線而制成的太陽(yáng)電池。采用上述結(jié)構(gòu)的疊層電池,可以選擇性地吸收和轉(zhuǎn)化太陽(yáng)光譜的不同區(qū)域的能量,擴(kuò)展光譜響應(yīng)的范圍,有效地提高薄膜太陽(yáng)電池的轉(zhuǎn)換效率。

其他成果/n本發(fā)明公開了一種安裝在汽車進(jìn)氣系統(tǒng)上的薄膜吸振器，用于消除由進(jìn)氣系統(tǒng)引起的至少一種車內(nèi)噪聲，所述汽車進(jìn)氣系統(tǒng)包括依次連接的進(jìn)氣管、空氣濾清器和出氣管，該吸振器包括開設(shè)在所述進(jìn)氣管振動(dòng)異常處的開孔以及密封覆蓋在所述開孔外側(cè)的薄膜，所述開孔的孔徑小于進(jìn)氣管的直徑。本發(fā)明在不增加進(jìn)氣系統(tǒng)降噪空間的前提下，以及合理的成本控制下，可以有效改善進(jìn)氣系統(tǒng)低、中、高各頻率段噪聲。

“一種化學(xué)浴沉積擇優(yōu)取向生長(zhǎng)的納米晶Cu2O薄膜的制備方法”屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域。現(xiàn)有方法一般對(duì)設(shè)備要求較高，需要比較復(fù)雜的程序，而最終難以控制成本，這會(huì)嚴(yán)重影響Cu2O薄膜的應(yīng)用范圍。本發(fā)明提供的納米晶Cu2O薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：分別按照硫酸銅與檸檬酸三鈉的摩爾濃度比范圍為12∶8～12∶36，硫酸銅與抗壞血酸鈉的摩爾范圍為1∶3～5∶6，將抗壞血酸鈉、檸檬酸三鈉溶液依次加入硫酸銅溶液中，使充分絡(luò)合；調(diào)節(jié)溶液pH值至7.0～10.0；置于50°C～95°C水浴溫度中反應(yīng)1.0h～3.

  巨霍爾效應(yīng)是納米鐵磁金屬顆粒薄膜中反?；魻栃?yīng)的巨大增強(qiáng)現(xiàn)象,是納米材料的新效應(yīng),本課題利用巨霍爾效應(yīng)原理,制備出磁場(chǎng)靈敏度高達(dá)125AT、具有實(shí)用價(jià)值的新型的納米鐵磁金屬顆粒薄膜磁敏材料;并將顆粒薄膜應(yīng)用于霍爾器件,替代現(xiàn)有的摻雜半導(dǎo)體活性層材料,制備出具有實(shí)用意義的新型霍爾器件原型。    本課題的研究,率先將納米體系的新效應(yīng)巨霍爾效應(yīng)原理應(yīng)用于傳感器件領(lǐng)域,制備出具有實(shí)用價(jià)值的新型納米材料及微型霍爾器件,具有原始創(chuàng)新性。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體霍爾器件相比,基于納米鐵磁金屬顆粒薄膜巨霍爾效應(yīng)的霍爾器件具有體積小、制備工藝簡(jiǎn)單、高度集成、靈敏度高等優(yōu)點(diǎn),因此具有更為重要的應(yīng)用價(jià)值。特別是納米鐵磁金屬顆粒薄膜霍爾器件具有的工作溫度寬、溫度穩(wěn)定性能優(yōu)異、抗核輻射等優(yōu)點(diǎn),在微弱磁場(chǎng)探測(cè)、航天器的精確定位、導(dǎo)航以及軍事裝備等方面都具有十分重要的用途,市場(chǎng)前景廣闊。   本課題利用巨霍爾效應(yīng)原理,首次制備出磁場(chǎng)靈敏度高達(dá)125VAT、具有實(shí)用價(jià)值的新型的納米鐵磁金屬顆粒薄膜磁敏材料;并將顆粒薄膜應(yīng)用于霍爾器件,替代現(xiàn)有的摻雜半導(dǎo)體活性層材料,制備出具有實(shí)用意義的新型霍爾器件原型。主要?jiǎng)?chuàng)新點(diǎn)有將稀磁半導(dǎo)體引入納米鐵磁金屬顆粒薄膜體系,替代絕緣體母體材料,使體系在厚度較小的情況下,仍能保持高溫鐵磁性;制備出不同種類的具有高靈敏和實(shí)用價(jià)值的納米鐵磁金屬顆粒薄膜磁敏材料;將具有巨霍爾效應(yīng)的納米鐵磁金屬顆粒薄膜應(yīng)用于傳感器件,替代現(xiàn)有的摻雜半導(dǎo)體活性層材料,制備出具有實(shí)用意義的新型霍爾器件。    主要?jiǎng)?chuàng)新點(diǎn)有將稀磁半導(dǎo)體引入納米鐵磁金屬顆粒薄膜體系,替代絕緣體母體材料,使體系在厚度較小的情況下,仍能保持高溫鐵磁性;制備出不同種類的具有高靈敏和實(shí)用價(jià)值的納米鐵磁金屬顆粒薄膜磁敏材料;將具有巨霍爾效應(yīng)的納米鐵磁金屬顆粒薄膜應(yīng)用于傳感器件,替代現(xiàn)有的摻雜半導(dǎo)體活性層材料,制備出具有實(shí)用意義的新型霍爾器件。相關(guān)成果已獲國(guó)家發(fā)明專利授權(quán)九項(xiàng)。    本課題的研究,將巨霍爾效應(yīng)這一納米體系的新效應(yīng)應(yīng)用于器件領(lǐng)域,以納米鐵磁金屬顆粒薄膜替代現(xiàn)有霍爾器件的摻雜半導(dǎo)體活性層材料,是一個(gè)全新的技術(shù),取得了多項(xiàng)具有原始創(chuàng)新性的技術(shù)成果,進(jìn)一步推進(jìn)了納米材料在新材料技術(shù)、電子信息技術(shù)等領(lǐng)域]應(yīng)用    應(yīng)用狀況:    與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體霍爾傳感器件相比,基于納米鐵磁金屬顆粒薄膜巨霍爾效應(yīng)的霍爾傳感器件具有體積小、制備工藝簡(jiǎn)單、高度集成、靈敏度高等優(yōu)點(diǎn),因此具有更為重要的應(yīng)用價(jià)值。特別是納米鐵磁金屬顆粒薄膜霍爾器件具有的工作溫度寬、溫度穩(wěn)定性能優(yōu)異抗核輻射等優(yōu)點(diǎn),在微弱磁場(chǎng)探測(cè)、航天器的精確定位、導(dǎo)航以及軍事裝備等方面都具有十分重要的用途，市場(chǎng)前景廣闊。

本發(fā)明公開了一種氧化鋅基底誘導(dǎo)取向生長(zhǎng)的硒化銻薄膜的方 法，其特征在于，該方法是以特定取向的氧化鋅基底誘導(dǎo)生長(zhǎng)具有擇 優(yōu)取向方向的硒化銻薄膜；當(dāng)氧化鋅基底為(100)取向時(shí)，誘導(dǎo)生長(zhǎng)出 的硒化銻薄膜是以<、221>、方向?yàn)橹鲗?dǎo)生長(zhǎng)取向；當(dāng)氧化鋅基底 為(002)取向時(shí)，誘導(dǎo)生長(zhǎng)出的硒化銻薄膜是以<、120>、方向?yàn)橹?導(dǎo)生長(zhǎng)取向。本發(fā)明中的方法可應(yīng)用于硒化銻薄膜太陽(yáng)能電池的制備， 得到相應(yīng)的硒

通過研究和有機(jī)介質(zhì)薄膜以及金屬化水平的不斷提高，用金屬化薄膜制造高壓大功率電容器取代電解電容器已成為了可能。薄膜電容器具有高頻特性好、損耗小和溫度特性穩(wěn)定等特點(diǎn)，可以滿足逆變器對(duì)電容器性能的要求。

本發(fā)明公開了一種石墨相氮化碳薄膜修飾電極的制備方法。在 保護(hù)氣氛下，首先 450℃～550℃加熱氮化碳原料 1min～6h，使得氮化 碳原料氣化后附著于耐熱載體表面，并形成氮化碳前驅(qū)體；然后 500℃～550℃加熱附著有氮化碳前驅(qū)體的耐熱載體 1min～6h，使得氮 化碳前驅(qū)體氣化并在導(dǎo)電基底表面形成厚度為 10nm～150nm 的石墨 相氮化碳薄膜，獲得所述修飾電極。本發(fā)明通過利用氣相沉積的方法 在導(dǎo)電基底表面修飾

1.亞毫米尺寸單層導(dǎo)電納米材料，實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量產(chǎn)率原 子級(jí)薄樣品的宏量制備。 2. 成膜平整，粗糙度在 10 納米以內(nèi)，平整度遠(yuǎn)好于 ITO 和銀納米線薄膜。 3. 膜具高透光率和柔性，其導(dǎo)電性優(yōu)于 ITO 。

銅銦鎵硒（CIGS）薄膜太陽(yáng)電池 銅銦鎵硒（CIGS）薄膜太陽(yáng)電池是在玻璃襯底，或者是在不銹鋼箔、塑料等柔性襯底上沉積5層薄膜的太陽(yáng)電池。 1）轉(zhuǎn)換效率是薄膜電池之首（η = 20.8%），超過多晶硅太陽(yáng)電池； 2）性能穩(wěn)定不衰退； 3）成本低廉：在廉價(jià)襯底上以低襯底溫度下沉積厚度3～4 微米薄膜，全部生產(chǎn)可在一個(gè)車間內(nèi)完成，低的材料成本與制造成本。 4）可制備成柔性太陽(yáng)電池，不怕摔碰，功率

本發(fā)明公開了一種可調(diào)薄膜體聲波諧振器及其制備方法，該制 備方法包括步驟 S1：在潔凈的 Si 襯底上制備阻擋層；S2：在阻擋層上 制備布拉格反射柵，布拉格反射柵由不同聲波阻抗薄膜構(gòu)成；S3：在 布拉格反射柵上依次制備粘附層和底電極；S4：在底電極上制備多層 異質(zhì)結(jié)構(gòu)，并作為體聲波諧振器的壓電層；多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)由 BST 薄膜、 BZT 薄膜或 BZN 薄膜構(gòu)成；S5：將多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行退火處理后形成 晶化薄膜；S6：在