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簡(jiǎn)單介紹： 小鼠五孔注意力測(cè)試系統(tǒng)基于視覺上的辨別力，通過運(yùn)行5-CSRTT任務(wù)(5-choice serial reaction time task)， 測(cè)試動(dòng)物的注意力、沖動(dòng)性(impulsivity)等一系列行為學(xué)指標(biāo)，主要用于注意力缺失/多動(dòng)綜合癥(attention deficit/hyperactivity disorder, ADHD)、老年癡呆、精神分裂癥等精神**研究。 詳情介紹：   圖1：設(shè)備箱體俯視圖 圖2：硬件布局 圖3：軟件界面     圖4：四鼠同時(shí)訓(xùn)練圖 圖5：實(shí)驗(yàn)流程圖   訓(xùn)練開始時(shí)，前面板的五個(gè)探鼻孔指示燈之一隨機(jī)亮起，大/小鼠如果探鼻進(jìn)入該孔，那么返回獎(jiǎng)勵(lì)孔可以獲得食物或水作為獎(jiǎng)勵(lì)。初始參數(shù)設(shè)置一般為：SD, 30s; LH, 30s; ITI, 2s; TO, 5s。**訓(xùn)練一個(gè)session，一個(gè)session包括100個(gè)trials。   參數(shù)說明： Trial：可以理解為大/小鼠一次操作，正確操作包括探鼻進(jìn)入前面板探鼻孔直至*后獲取獎(jiǎng)勵(lì)結(jié)束。如果做錯(cuò)，trial提前終止。 Stimulus duration (SD)：探鼻孔指示燈亮的時(shí)間。 Limited Hold (LH)：從探鼻孔指示燈亮到大/小鼠探鼻進(jìn)入所花費(fèi)的*長(zhǎng)時(shí)間不能超過LH，否則操作錯(cuò)誤。 Intertrial Interval (ITI)：連續(xù)兩次trial之間的時(shí)間間隔。 Timeout (TO)：大/小鼠操作錯(cuò)誤時(shí)的懲罰時(shí)間。在這段時(shí)間內(nèi)所有燈熄滅。 隨著訓(xùn)練次數(shù)的增加，如果大/小鼠在一次session能至少做對(duì)30次trials，可以逐漸降低SD以及增加ITI，直至達(dá)到我們的訓(xùn)練要求。 分析指標(biāo)： Correct：正確反應(yīng)次數(shù) Incorrect：錯(cuò)誤反應(yīng)次數(shù) Premature：過早反應(yīng)次數(shù) Omission：錯(cuò)失次數(shù) Latency to Stimulus：探洞潛伏期 Latency to reward：獲得獎(jiǎng)賞潛伏期

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簡(jiǎn)單介紹： 五孔注意力測(cè)試系統(tǒng)基于視覺上的辨別力，通過運(yùn)行5-CSRTT任務(wù)(5-choice serial reaction time task)， 測(cè)試動(dòng)物的注意力、沖動(dòng)性(impulsivity)等一系列行為學(xué)指標(biāo)，主要用于注意力缺失/多動(dòng)綜合癥(attention deficit/hyperactivity disorder, ADHD)、老年癡呆、精神分裂癥等精神**研究。 詳情介紹： 圖1：設(shè)備箱體俯視圖 圖2：硬件布局 圖3：軟件界面     圖4：四鼠同時(shí)訓(xùn)練圖 圖5：實(shí)驗(yàn)流程圖   訓(xùn)練開始時(shí)，前面板的五個(gè)探鼻孔指示燈之一隨機(jī)亮起，大/小鼠如果探鼻進(jìn)入該孔，那么返回獎(jiǎng)勵(lì)孔可以獲得食物或水作為獎(jiǎng)勵(lì)。初始參數(shù)設(shè)置一般為：SD, 30s; LH, 30s; ITI, 2s; TO, 5s。**訓(xùn)練一個(gè)session，一個(gè)session包括100個(gè)trials。   參數(shù)說明： Trial：可以理解為大/小鼠一次操作，正確操作包括探鼻進(jìn)入前面板探鼻孔直至*后獲取獎(jiǎng)勵(lì)結(jié)束。如果做錯(cuò)，trial提前終止。 Stimulus duration (SD)：探鼻孔指示燈亮的時(shí)間。 Limited Hold (LH)：從探鼻孔指示燈亮到大/小鼠探鼻進(jìn)入所花費(fèi)的*長(zhǎng)時(shí)間不能超過LH，否則操作錯(cuò)誤。 Intertrial Interval (ITI)：連續(xù)兩次trial之間的時(shí)間間隔。 Timeout (TO)：大/小鼠操作錯(cuò)誤時(shí)的懲罰時(shí)間。在這段時(shí)間內(nèi)所有燈熄滅。 隨著訓(xùn)練次數(shù)的增加，如果大/小鼠在一次session能至少做對(duì)30次trials，可以逐漸降低SD以及增加ITI，直至達(dá)到我們的訓(xùn)練要求。       分析指標(biāo)： Correct：正確反應(yīng)次數(shù) Incorrect：錯(cuò)誤反應(yīng)次數(shù) Premature：過早反應(yīng)次數(shù) Omission：錯(cuò)失次數(shù) Latency to Stimulus：探洞潛伏期 Latency to reward：獲得獎(jiǎng)賞潛伏期

本發(fā)明提出用于鑒定蘋果抗炭疽菌葉枯病的SSR分子標(biāo)記，所述分子標(biāo)記分別為S0607039；S0607001；S0506206；S0506078,S0506001S0405195,S0405127,S0304673,S0304011。本發(fā)明還提出擴(kuò)增用于鑒定蘋果抗炭疽菌葉枯病的SSR分子標(biāo)記的引物。本發(fā)明通過自行設(shè)計(jì)的SSR標(biāo)記對(duì)蘋果抗炭疽菌葉枯病基因進(jìn)行了分子標(biāo)記，確定所在的染色體位置及遺傳距離，構(gòu)建了緊密連鎖的遺傳圖譜。距離抗性基因最近的分子標(biāo)記能準(zhǔn)確的鑒定出蘋果對(duì)炭疽菌葉枯病的抗性，為蘋果生產(chǎn)實(shí)踐及抗性育種提供有效工具，并為下一步抗性基因的克隆及功能驗(yàn)證奠定了良好的基礎(chǔ)。

該成果創(chuàng)新性地基于二維半導(dǎo)體的硅基同質(zhì)器件，首次提出了類腦功能的“傳感-計(jì)算-存儲(chǔ)一體化”神經(jīng)形態(tài)芯片架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了光電傳感、放大運(yùn)算、信息存儲(chǔ)功能的一體化集成，為突破馮·諾依曼瓶頸和實(shí)現(xiàn)類腦智能提供了一種全新思路。 繆向水教授團(tuán)隊(duì)，長(zhǎng)期從事相變存儲(chǔ)器芯片、存算一體憶阻器芯片技術(shù)研究。2018年出版了國(guó)內(nèi)第一本憶阻器專著《憶阻器導(dǎo)論》，2019年團(tuán)隊(duì)93項(xiàng)三維相變存儲(chǔ)器芯片專利許可給芯片公司并合作開發(fā)產(chǎn)品，并與行業(yè)龍頭企業(yè)合作建立了聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，推動(dòng)存儲(chǔ)器芯片技術(shù)的成果轉(zhuǎn)化以及未來引領(lǐng)技術(shù)的探索。曾榮獲國(guó)家科技進(jìn)步獎(jiǎng)2項(xiàng)、湖北省技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)1項(xiàng)。 同質(zhì)晶體管-存儲(chǔ)器架構(gòu)的原理及器件結(jié)構(gòu) 繆向水團(tuán)隊(duì)長(zhǎng)期從事相變存儲(chǔ)器芯片、存算一體憶阻器芯片技術(shù)研究。2018年出版了國(guó)內(nèi)第一本憶阻器專著《憶阻器導(dǎo)論》，2019年團(tuán)隊(duì)93項(xiàng)三維相變存儲(chǔ)器芯片專利許可給芯片公司并合作開發(fā)產(chǎn)品，并與行業(yè)龍頭企業(yè)合作建立了聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，推動(dòng)存儲(chǔ)器芯片技術(shù)的成果轉(zhuǎn)化以及未來引領(lǐng)技術(shù)的探索。曾榮獲國(guó)家科技進(jìn)步獎(jiǎng)2項(xiàng)、湖北省技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)1項(xiàng)。

一、 概述JTW-LD-SF300/85 纜式線型感溫火災(zāi)探測(cè)器(以下簡(jiǎn)稱探測(cè)器)是一種新型的超長(zhǎng)距離使用的不可  重復(fù)使用的監(jiān)測(cè)環(huán)境溫度變化的消防專利產(chǎn)品，主要由微電腦處理器、感溫電纜、終端盒組成。探測(cè)器  具有良好的環(huán)境適應(yīng)性，能夠近距離或貼近保護(hù)，在各種潮濕、污染、粉塵的消防探測(cè)場(chǎng)所能夠高可靠  地工作，所以被廣泛地應(yīng)用在倉(cāng)庫(kù)、貨場(chǎng)、電纜隧道、車輛隧道、油氣輸送管道、變壓器、皮帶輸送機(jī)  及機(jī)車、配電盤等消防探測(cè)場(chǎng)所。組成探測(cè)器具有定溫報(bào)警功能，特別適用于電纜隧道、電纜橋架、電  纜井內(nèi)的動(dòng)力電纜及控制電纜的火警早期預(yù)報(bào)，可在電廠、鋼廠、化工廠等場(chǎng)合使用。 二、 工作原理及特點(diǎn)探測(cè)器的感溫電纜為溫度敏感元件，由三根分別擠塑熱敏絕緣材料的導(dǎo)線絞合而成，能夠?qū)ρ刂浒惭b長(zhǎng)度范圍內(nèi)任意一點(diǎn)的溫度變化進(jìn)行探測(cè)，再經(jīng)過單片機(jī)微控制器模糊數(shù)學(xué)的計(jì)算方法做  出火警判斷。  其主要特點(diǎn)簡(jiǎn)述如下：  1.感溫電纜結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，抗干擾性及抗拉性能強(qiáng)。  2.具有開路、短路兩種故障報(bào)警。  3.微電腦處理器和終端盒外殼采用阻燃材料，抗腐蝕、抗老化。  4.帶手動(dòng)火警和故障模擬功能。  5.探測(cè)器抗干擾能力強(qiáng)，采用隔離檢測(cè)以及軟件抗干擾技術(shù)，可應(yīng)用于強(qiáng)電磁場(chǎng)干擾的場(chǎng)所。  6.通過輸入模塊的無極性二總線技術(shù)和所有火災(zāi)報(bào)警控制器通訊。  7.接入專用顯示裝置具有報(bào)警定位功能。 

專利內(nèi)容是本發(fā)明針對(duì)背景技術(shù)存在的缺陷，提出了一種釔鐵石榴石單晶薄膜及其液相外延制備方法，本發(fā)明得到的釔鐵石榴石單晶薄膜的鐵磁共振線寬很窄，達(dá)到了1Oe以下（0.4Oe），薄膜表面的粗糙度、晶格匹配、應(yīng)力、含鉛量、雜相等都得到了較大的改善。

本發(fā)明提供了一種用于三層結(jié)構(gòu)薄膜的接料裝置，包括接料底板，設(shè)置在接料底板的一相對(duì)兩側(cè)，用于提供粘結(jié)膠帶的粘結(jié)膠帶組件；設(shè)置在接料底板的另一相對(duì)兩側(cè)，用于對(duì)接薄膜整齊對(duì)位的膠帶糾偏組件；設(shè)置在接料底板上用于接料時(shí)固定對(duì)接薄膜的壓合組件；以及設(shè)置在接料底板上方用于夾持三層結(jié)構(gòu)薄膜各層的夾持組件。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)三層結(jié)構(gòu)薄膜的分層對(duì)接，整個(gè)裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操作方便，易于實(shí)現(xiàn)。

一種機(jī)械疊層ALSB/CIS薄膜太陽電池,屬于一種半導(dǎo)體薄膜太陽電池的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),它是由ALSB頂電池機(jī)械疊合在CIS底電池上而成的雙結(jié)四端薄膜太陽電池。其中ALSB頂電池,指的是在CORNING 7459玻璃上先沉積N型摻鋁氧化鋅導(dǎo)電層,然后沉積氧化鋅高阻層,再沉積硫化鎘緩沖層,隨后沉積銻化鋁吸收層以及碳納米管涂層作為透明導(dǎo)電層,最后,沉積鎳/鋁柵線而制成的太陽電池;而CIS底電池,指的是在SODA LIME玻璃上沉積鉬,然后沉積吸收層硒銦銅,再沉積緩沖層硫化鎘,隨后沉積高阻氧化鋅和摻鋁氧化鋅,最后沉積與頂電池相同形狀和大小的鎳/鋁柵線而制成的太陽電池。采用上述結(jié)構(gòu)的疊層電池,可以選擇性地吸收和轉(zhuǎn)化太陽光譜的不同區(qū)域的能量,擴(kuò)展光譜響應(yīng)的范圍,有效地提高薄膜太陽電池的轉(zhuǎn)換效率。

“一種化學(xué)浴沉積擇優(yōu)取向生長(zhǎng)的納米晶Cu2O薄膜的制備方法”屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域。現(xiàn)有方法一般對(duì)設(shè)備要求較高，需要比較復(fù)雜的程序，而最終難以控制成本，這會(huì)嚴(yán)重影響Cu2O薄膜的應(yīng)用范圍。本發(fā)明提供的納米晶Cu2O薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：分別按照硫酸銅與檸檬酸三鈉的摩爾濃度比范圍為12∶8～12∶36，硫酸銅與抗壞血酸鈉的摩爾范圍為1∶3～5∶6，將抗壞血酸鈉、檸檬酸三鈉溶液依次加入硫酸銅溶液中，使充分絡(luò)合；調(diào)節(jié)溶液pH值至7.0～10.0；置于50°C～95°C水浴溫度中反應(yīng)1.0h～3.