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一種精確控制微納尺寸相變材料非晶化率連續(xù)變化的方法
本發(fā)明公開了一種通過施加低電平脈沖實現(xiàn)微納尺寸 GST 相變 材料非晶化率連續(xù)變化的控制方法，包括控制非晶化率連續(xù)單調(diào)增大 和連續(xù)單調(diào)減小的操作，通過利用兩個或兩個以上的連續(xù)脈沖的幅值、 寬度和間隔等三個參量綜合自適應(yīng)變化精確控制焦耳熱產(chǎn)生，繼而實 現(xiàn) GST 相變材料晶化率的連續(xù)變化，具體包括步驟：對相變存儲單元 施加具有一定參量的兩個或兩個以上的連續(xù)脈沖；在連續(xù)脈沖的作用 下，相變材料獲得一定的熱量，使部分相變材
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種高分子聚合物微流控芯片的制備方法
本發(fā)明涉及一種微流控芯片制作技術(shù)，主要用于高分子聚合物材質(zhì)微流控芯片制作，其特征在于利用 CNC 雕刻機直接加工微流控設(shè)備， 即利用數(shù)控軟件進(jìn)行微流控芯片的通道設(shè)計，得到相應(yīng)的雕刻路徑， 編寫雕刻用代碼；將雕刻代碼導(dǎo)入控制 CNC 雕刻機的軟件中，對要進(jìn)行制作的高分子聚合物材料進(jìn)行制作；圖案制作結(jié)束后，根據(jù)不同要求，封接芯片，即可得到功能化的微流控設(shè)備。 技術(shù)特點：極大的降低高分子聚合物微流控芯片的制作成本，簡單易用，快速制備，有利于芯片的大批量生產(chǎn)，并能靈活的調(diào)節(jié)芯片 微通道深度，有利于實現(xiàn)微流控
蘭州大學(xué)
2021-01-12
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二維Bi2O2Se超快高敏紅外芯片材料
具有超高電子遷移率、合適帶隙、環(huán)境穩(wěn)定和可批量制備特點的全新二維半導(dǎo)體芯片材料（硒氧化鉍，Bi 2 O 2 Se），在場效應(yīng)晶體管器件、量子輸運和可見光探測方面展現(xiàn)出優(yōu)異性能。由Bi 2 O 2 Se制備成的原型光電探測器件具有很寬的光譜響應(yīng)(從可見光到1700 nm短波紅外區(qū))，并同時具有很高的靈敏度(在近紅外二區(qū)1200nm處靈敏度高達(dá)~65A/W)。 而利用飛秒激光器組建的超快光電流動態(tài)掃描顯示Bi 2 O 2 Se光電探測器具有約1皮秒（10 -12 秒）的本征超快光電流響應(yīng)時間。化合物由交替堆疊的Bi 2 O 2 和Se層組成，晶體中氧的存在，使其在空氣中具有極佳的穩(wěn)定性，完全可暴露于空氣中存放數(shù)月且保持穩(wěn)定。
北京大學(xué)
2021-04-11
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基于卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的可重構(gòu)類腦計算芯片及支撐系統(tǒng)研發(fā)
研發(fā)階段/n主要研究支持神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片的設(shè)計自動化工具及FPGA驗證系統(tǒng)，設(shè)計自動化工 具本身針對ASIC和FPGA都適用。 項目主要研究：（1）研究基于模型層的設(shè)計空間探索方法;（2）研究可重構(gòu) 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)硬件單元抽象和歸約方法；（3）開發(fā)面向嵌入式、功耗約束下的FPGA神 經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片系統(tǒng)，突破神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片設(shè)計小型化遇到的關(guān)鍵難題。本項目提出的自 動綜合工具至少支持CNN 等兩類不同神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)拓?fù)洌С諧affe配置文件prototex 拓?fù)涿枋稣Z言，生成的FPGA芯片，性能比CPU快1個數(shù)量級，能效比
中國科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
一種用于多自由度倒裝鍵合過程的芯片控制方法
本發(fā)明公開了一種用于多自由度倒裝鍵合過程的芯片控制方法，其主要控制過程包括：獲取芯片的貼裝位置信息；鍵合頭拾取芯片，獲取芯片 Z 旋轉(zhuǎn)軸和 X/Y 直線軸的角度及位置粗調(diào)偏差值，然后在執(zhí)行粗調(diào)的同時，實現(xiàn) X/Y 直線軸的閉環(huán)跟隨控制；獲取芯片 X/Y 旋轉(zhuǎn)軸的當(dāng)前實際角度值，并在逐次選擇 X/Y 旋轉(zhuǎn)軸執(zhí)行角度閉環(huán)控制的同時，實現(xiàn)另外兩直線軸的位置閉環(huán)跟隨控制；獲取芯片 Z 旋轉(zhuǎn)軸和X/Y 直線軸的角度及位置精調(diào)偏差值，然后在執(zhí)行精調(diào)的同時，實現(xiàn)X/Y 直線軸的閉環(huán)跟隨控制。通過本發(fā)明，可使得芯片
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種紅外圖像與波前雙模一體化成像探測芯片
本發(fā)明公開了一種紅外圖像與波前雙模一體化成像探測芯片，包括：陶瓷外殼、金屬支撐與散熱板、驅(qū)控與預(yù)處理模塊、面陣非制冷紅外探測器、以及面陣紅外折射微透鏡，驅(qū)控與預(yù)處理模塊、面陣非制冷紅外探測器、以及面陣紅外折射微透鏡同軸順序設(shè)置于陶瓷外殼內(nèi)，陶瓷外殼后部設(shè)置于金屬支撐與散熱板頂部，驅(qū)控與預(yù)處理模塊設(shè)置于陶瓷外殼后部與金屬支撐與散熱板連接處，面陣非制冷紅外探測器設(shè)置于驅(qū)控與預(yù)處理模塊頂部，面陣紅外折射微透鏡設(shè)置于面
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種用于光纖與芯片間光信號傳輸?shù)乃今詈掀?/span>
本發(fā)明公開了一種用于光纖與芯片間光信號傳輸?shù)乃今詈掀?件，包括第一采集模塊，用于引導(dǎo)和收集一階線偏振模式中第一模斑， 第二采集模塊，用于引導(dǎo)和收集一階線偏振模式中第二模斑，耦合模 塊，設(shè)有第一傳輸通道、第二傳輸通道和主通道，第一傳輸通道接收 第一模斑，第二傳輸通道接收第二模斑，并通過模場的空間疊加實現(xiàn) 從耦合模塊的主傳輸通道輸出一階橫電模。本發(fā)明實現(xiàn)了將光纖中一 階線偏振模式轉(zhuǎn)化為芯片中的一階橫電模同時也保證了基模
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于石墨烯電極的電控液晶光發(fā)散微透鏡陣列芯片
本發(fā)明公開了一種基于納米石墨烯電極的電控液晶光發(fā)散微透鏡陣列芯片，包括驅(qū)控信號輸入端口、以及石墨烯液晶散光微透鏡陣列，石墨烯液晶散光微透鏡陣列為 m×n 元，石墨烯液晶散光微透鏡陣列采用液晶夾層結(jié)構(gòu)，且下上層之間順次設(shè)置有第一基片、圖案化石墨烯電極、第一液晶定向?qū)印⒁壕印⒌诙壕Фㄏ驅(qū)印⑹╇姌O、第二基片，圖案化石墨烯電極和石墨烯電極分別制作在第一基片和第二基片上，圖案化石墨烯電極是由 m×n 個以微圓環(huán)隔離并以
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種石墨烯基雙模混合集成電控液晶微透鏡陣列芯片
本發(fā)明公開了一種石墨烯基雙模混合集成電控液晶微透鏡陣列，包括陣列化控光架構(gòu)、第一驅(qū)控信號輸入端口和第二驅(qū)控信號輸入端口，陣列化控光架構(gòu)的上下層之間順次設(shè)置有第一基片、微圓孔形圖案化石墨烯電極、第一液晶定向?qū)印⒌谝灰壕印⒌诙壕Фㄏ驅(qū)印⑹┕驳仉姌O、第二基片、第三液晶定向?qū)印⒌诙壕印⒌谒囊壕Фㄏ驅(qū)印⑽A環(huán)孔形圖案化石墨烯電極、第三基片，微圓孔形圖案化石墨烯電極、石墨烯共地電極和微圓環(huán)孔形圖案化石墨烯電極分別
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于瓊脂糖微流控芯片的細(xì)菌富集裝置
本發(fā)明公開了一種基于瓊脂糖微流控芯片的細(xì)菌富集裝置及其制作方法，該裝置包括貼合的瓊脂糖薄層和親水性薄層，所述瓊脂糖薄層為二分樹式通道結(jié)構(gòu)，具有多個開放的溶液通道入口和一個用于細(xì)胞收集的封閉的通道末端，該裝置的制作方法包括兩個步驟：(1)包括制作二分樹式通道結(jié)構(gòu)的陽膜來制作出瓊脂糖薄層；(2)與親水性薄層基片貼合并且封裝從而制作出微流控裝置。通過本發(fā)明，解決克服現(xiàn)有細(xì)菌富集微流控裝置效率不高，裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜的技術(shù)問題。
華中科技大學(xué)
2021-04-14