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用于量子保密通信、近紅外探測成像、高速量子光通信、激光雷達探測。 針對單光子探測需求，提取關鍵技術參數，通過多次半導體器件仿真優化，最終得到外延結構設計。結合 13 所 自主外延生長技術與精準的鋅擴散方案，最終實現較為成功的 GM-APD 芯片。該芯片已經成功達到量子保密通信中單光子探測需求，并在安徽問天量子技術有限公司的產品中得到應用。 

本發明公開了一種廣譜成像探測芯片。包括熱輻射結構和光敏陣列。廣譜入射光波進入熱輻射結構后，在納尖表面激勵產生等離激元，驅動圖形化金屬膜中的自由電子向納尖產生振蕩性集聚，納尖收集的自由電子與等離激元驅控下涌入的自由電子相疊合，產生壓縮性脈動，使電子急劇升溫并向周圍空域發射主要成分為可見光的熱電磁輻射，光敏陣列將熱電磁輻射轉換為電信號，經預處理后得到電子圖像數據并輸出。本發明能將廣譜入射光波基于壓縮在納空間中的高溫

本發明公開了一種多頂針芯片剝離裝置，包括多頂針主體機構， 安裝于 Z 向升降機構上并連接旋轉驅動機構，其包括中心頂針和外圈 頂針，外圈頂針先接觸藍膜上芯片的外緣實現預頂松，然后中心頂針 上升至外圈頂針等高并協作頂起芯片，完成芯片剝離；旋轉驅動機構， 連接多頂針主體機構，用于先后驅動外圈頂針和中心頂針上升以完成 芯片頂起動作；Z 向升降機構，安裝于三自由度微調對準機構上，停 機狀態時其處于下降位置，工作狀態其處于抬升位置，為頂起芯片做 好準備；三自由度微調對準機構，用于對多頂針主體機構進行 X、Y 和 Z 向的微調。本發明可實現頂針的快捷更換以及各頂針高度的方便 調節，芯片受力均勻，有效減少剝離過程中的芯片失效。 

本發明公開了一種超薄芯片的制備方法，具體為：首先在硅晶圓表面光刻形成掩膜以暴露出需要減薄的區域，再采用刻蝕工藝對硅晶圓進行局部減薄，對減薄后的區域進行芯片后續工藝處理得到芯片，最后將芯片與硅晶圓分離。本發明只是部分減薄了硅片，所以硅晶圓的機械強度仍然可以支持硅片進行后續的加工工藝，相對于傳統的利用支撐基底來減薄芯片的方法，簡化了工藝流程，降低了工藝成本。另外由于不需要用機械研磨工藝來進行減薄，所以不會因為機械研磨對硅晶圓造成的輕微震動而使厚度不能減得過小，通過本發明可以使芯片減薄到比機械研磨方法更薄的程度。

在海洋環境、酸雨污染、高溫高濕等的環境條件下，紫銅、黃銅及其合金的加工器件在中間工序存放和使用過程中會造成點蝕，進而擴展為大面積腐蝕，而作為連接部件會加劇縫隙腐蝕引發應力腐蝕斷裂。該項目成功研制了耐腐蝕耐磨防腐蝕環保涂料，大大延長銅類尤其是紫銅的自然存放期，對銅器件生產和運輸過程中起到了很好的保護作用；由于耐蝕性優異，也可作為長期防護涂層。該技術獲得的涂層在厚度為5μ條件下測試相關主要技術指標如下：   外觀    無色透明   可保留銅的金屬光澤；可調整任意顏色   粘度    25秒      《涂料粘度測定法》（涂-4杯）（GB/T 1723-1993）    附著力  0級      《色漆和清漆漆膜的劃格試驗》（GB/T9286-1998）    耐鹽霧   200h       《色漆和清漆耐中性鹽霧的測定》（GB/T1771-1991）   耐沖擊  50Kg·cm   《漆膜耐沖擊測定法》GB/T1732-1993   耐磨擦  0.005千克 《漆膜耐磨性測定法》（GB/T1768-1989）   硬度    4H        《涂膜硬度鉛筆測定法》（GB/T6739-1996）   相容性  與彈藥相容 《真空安定性試驗-壓力傳感器法》（GJB772A-97 501.2） 該技術適合噴涂、刷涂、輥涂等工藝，不含任何有害稀釋劑，為環保產品。該產品用量少、性能和使用工藝優于防銹油；其另一特色在于必要時很容易去除，比防銹油的去除要容易的多。

本發明公開一種薄膜型LED器件及其制造方法，本發明器件包括：薄片型線路基板，免金線倒裝結構LED芯 片以及一層透光保護膜。本器件LED芯片為倒裝結構，芯片電極通過共晶焊接方式固定于薄片型基板，實現免金線鍵合的電氣互聯，一層透光保護膜覆蓋于芯片和 基板表面。本發明公開的LED器件電極位于器件底部，易于實現表面貼裝技術。本發明公開器件厚度在0.25-0.6mm之間，具有厚度薄，體積小，發光角 度大，光效高，可靠性高，制造工藝簡單，生產效率高，成本低等諸多優點，適合大功率及普通功率LED封裝，可廣泛應用于照明、顯示等領域。截至目前，已累計創造產值超過33.66億元，新增利潤2.60億元。2017年，以本專利技術為核心的科技成果“半導體發光器件跨尺度光功能結構設計與制造關鍵技術”獲得廣東省人民政府頒發的廣東省科技進步一等獎，并且本專利獲得中國專利優秀獎。

本項目將提供一款高品質的非晶 ZnTiSnO 微型半導體氣體傳感器，為一種具有納米材料特征的薄膜型氣體傳感器，用于可燃性氣體（特別是乙醇）的檢測。該半導體氣體傳感器具有下述優點：靈敏度高、選擇性好、響應快、穩定性好、抗干擾性強、可室溫工作、易于微型化、與微電子系統兼容，而且制作工藝簡單、組裝成本低、價格低廉。 （1）半導體氣體傳感器件的核心材料為氣敏層，即非晶ZnTiSnO 薄膜，該材料質量如何直接決定了器件的性能。通過前期預研究，我們設計并合成了具有表面微納結構的絨面 a-ZnTiSnO 薄膜，如何進一步優化工藝參數，更加提升 a-ZnTiSnO 薄膜高質量，實現精確可控生長，依然是本項目擬解決的關鍵技術。 （2）氣體傳感器的實用性在于器件參數的確立，因而，通過系統研究，建立非晶 ZnTiSnO 氣體傳感器各氣敏性能與氣體參數之間的定量關系曲線，特別是室溫工作條件下的定量關系，是本項目擬解決的關鍵技術。 （3）為使氣體傳感器獲得廣泛應用，器件良好的穩定性至關重要。通過工藝優化、器件設計和封裝保護等措施，實現非晶ZnTiSnO 氣體傳感器的高穩定性和抗干擾性，使器件具有長的使用壽命，也是本項目擬解決的關鍵技術。制備出高質量非晶 ZnTiSnO 薄膜，具有均勻且均一的表面微納結構，絨度大于35%；薄膜與襯底附著力大于 21N。非晶 ZnTiSnO氣體傳感器性能指標：氣敏層尺寸 10~300μm，易于集成化；對可燃性氣體有高選擇性，其中對乙醇的敏感度最高；室溫工作條件下，對 100ppm 乙醇的響應度不低于 30；響應時間小于 1.8s，恢復時間小于 1.5s；穩定性好，有效使用壽命不低于3 年。 理論與實驗相結合，揭示出 a-ZnTiSnO 氣體傳感器室溫氣敏性能和穩定性機理，建立理論模型，闡明器件的耐候性規律。研制出具有實用價值的高品質 a-ZnTiSnO 半導體氣體傳感器，建立一套非晶 ZnTiSnO 材料生長和器件制備的完整工藝，關鍵技術擁有自主知識產權。 應用范圍：  納米氧化銅產品廣泛應用于各類抗菌、抗紫外線、空氣凈化產品中，如抗菌保鮮膜、抗菌塑料、抗菌纖維、抗菌整理液、抗菌陶瓷、抗菌地板、抗菌紡織品、防嗮化妝品、室內甲醛治理等產品中。 納米CuO應用前景 催化劑：主要用于國防領域，作為復合固體推進劑的重要成分，用來調節推進劑燃耗性能。 傳感器：納米氧化銅對外界環境的溫度，光，濕氣等十分敏感，并且可以提高傳感器的響應速度，靈敏度和選擇性。 在超導，陶瓷，電極活性材料等領域作為一種重要的無機材料有廣泛的應用。 用作玻璃，瓷器的著色劑，光學玻璃磨光劑，有機合成的催化劑，油類的脫硫劑，氫化劑。 用于制造人造寶石及其它銅氧化物，用于人造絲的制造，以及氣體分析和測定有機化合物等。 用于飼料中，提高銅的表觀消化率。 用于抗菌劑，納米氧化銅具有清潔，高效，能耗低，污染小，被廣泛用于醫藥，紡織等領域。 用于粒子助力制冷器節能，提高熱傳遞效率。 降低冷凍機油的粘度。 提高煙氣脫硝性能。 應用范圍： 橡膠工業中硫化活性劑，石油化工行業催化及添加劑，是汽車輪胎、飛機輪胎、工業電纜行業材料以及氧化鋅陶瓷； 涂料油漆、透明橡膠、乳膠和塑料行業用，可增加產品強度和致密性、粘合性、光潔度； 抗菌抑菌和除臭材料、醫藥衛生用殺菌材料、玻璃陶瓷殺菌自潔材料、醫藥行業殺菌敷料； 電子工業和儀表工業、制造電器件、無線電、無線熒光燈、圖像記錄儀、變阻儀、熒光體； 軍事工業：紅外吸收材料。   五、納米氧化鋅分散液 項目 Item 標準 Standard 氧化鋅(W/%) ZnO 4% 外觀 Exterior 乳白略顯黃色易流動液體 Milky white slightly yellow liquid PH 7.2   分散液氧化鋅含量可以根據需要在30%以下定制

薄膜電致發光器件作為顯示器件主要用于工業現場儀表顯示、車站、機場、銀行、證券交易市場、街頭廣告信息顯示，作為大平面高清晰顯示可用于各種會場、廣場高清晰電視彩像顯示，及可檢索軍用地圖、筆記本電腦及賓館等山水、立體彩色裝飾。其特點為全固體化、亮度高、壽命長、可大平面化和可裝飾表面。響應速度快，使用溫度范圍寬。由于制備方法簡單較之國內外同類產品成本低，可批量工業

內容介紹： 本項目通過通過研究EMI多層片式LC濾波器的制造技術，攻克了材料 的低溫燒結技術、器件的獨石化流延工藝技術、異種材料的疊層共燒技術 和多層片式LC濾波器的結構設計技術等產業化關鍵技術難題，釆用先進 的流延成型工藝技術制備出尺寸為2Xl.2X0.8mm （0805規格）的EMI多 層片式LC濾波器，電學參數測試結果表明其各項性能參數與國外同類產 品相當，關鍵技術獲得國家專利3項，并榮獲陜西省科

本技術涵蓋大尺寸鈮酸鋰晶體生長工藝及裝備、晶圓制備、單晶薄膜制備及聲表面波器件，實現材料、裝備、器件協同發展。主要針對8英寸鈮酸鋰晶體、單晶薄膜及聲表面波器件進行開發研究，該技術屬于我國“卡脖子”技術，目前國際市場空白。在鈮酸鋰晶體生長方面，開發了大尺寸智能單晶生長設備及工藝，包括大尺寸鈮酸鋰晶體生長模擬仿真設計、鈮酸鋰熔體-晶體固液界面特性與控制、大尺寸鈮酸鋰晶體生長工藝開發、生長-檢測-分析-控制人工智能系統。采用離子束切片鍵合技術制備鈮酸鋰單晶薄膜，突破傳統的薄膜制備方法無法制備單晶鈮酸鋰薄膜