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博志金鉆技術(shù)團(tuán)隊(duì)在磁控濺射領(lǐng)域深耕二十余年，目前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、單晶金剛石、單晶碳化硅覆銅板的量產(chǎn)，三英寸陶瓷覆銅板月產(chǎn)能10萬片，包括各類種子層方案，銅層厚度0.5-100um，表面無毛刺、劃痕、色差等異樣，350度加熱平臺(tái)烘烤5分鐘不起泡。 一、項(xiàng)目進(jìn)展 已注冊(cè)公司運(yùn)營 二、企業(yè)信息 企業(yè)名稱 蘇州博志金鉆科技有限責(zé)任公司 企業(yè)法人 潘遠(yuǎn)志 注冊(cè)時(shí)間 2022/3/31 注冊(cè)所在省市 江蘇省 蘇州市 組織機(jī)構(gòu)代碼 91610131MA712U7Q06 經(jīng)營范圍 一般項(xiàng)目：技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣；金屬表面處理及熱處理加工；新材料技術(shù)研發(fā)；新材料技術(shù)推廣服務(wù)；電子元器件制造；集成電路制造；信息安全設(shè)備制造；通信設(shè)備制造；光通信設(shè)備制造；雷達(dá)及配套設(shè)備制造；光電子器件制造；真空鍍膜加工；表面功能材料銷售；金屬基復(fù)合材料和陶瓷基復(fù)合材料銷售；合成材料銷售；有色金屬合金銷售；半導(dǎo)體器件專用設(shè)備制造；新型陶瓷材料銷售；電子元器件零售；電子元器件批發(fā)；泵及真空設(shè)備制造；泵及真空設(shè)備銷售；通用設(shè)備制造（不含特種設(shè)備制造）；玻璃、陶瓷和搪瓷制品生產(chǎn)專用設(shè)備制造；電子專用材料研發(fā)；電子專用材料制造；特種陶瓷制品銷售；半導(dǎo)體器件專用設(shè)備銷售；集成電路設(shè)計(jì)；機(jī)械設(shè)備租賃；租賃服務(wù)（不含許可類租賃服務(wù)）（除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動(dòng)） 企業(yè)地址 江蘇省 蘇州高新區(qū)長亭路8號(hào)大新科技園3幢二樓 獲投資情況 2021/07/01蘇州匯伯壹號(hào)創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）天使輪1000萬元 2022/03/22蘇州融享進(jìn)取創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）preA輪2500萬元 三、負(fù)責(zé)人及成員 姓名 學(xué)院/所學(xué)專業(yè) 入學(xué)/畢業(yè)時(shí)間 潘遠(yuǎn)志 鄧敏航 楊添皓 電子與信息學(xué)部/自動(dòng)化 2020/2024 陶佳怡 管理學(xué)院/大數(shù)據(jù)管理 2020/2024 林子涵 電氣工程學(xué)院/電氣工程及其自動(dòng)化 2020/2024 袁子涵 電氣工程學(xué)院/電氣工程及其自動(dòng)化 2020/2024 牟國瑜 電氣工程學(xué)院/電氣工程及其自動(dòng)化 2020/2024 楊志鵬 能源與動(dòng)力工程學(xué)院/強(qiáng)基（核工程與核技術(shù)） 2020/2024 田繼森 航天航空學(xué)院/工程力學(xué) 2020/2024 孫浩然 機(jī)械工程學(xué)院/機(jī)械工程 2020/2024 鄭力愷 電氣工程學(xué)院/電氣工程及其自動(dòng)化 2019/2023 王羿淮 管理學(xué)院/工商管理 2019/2025 李青卓 材料科學(xué)與工程學(xué)院/材料科學(xué)與工程 2018/2023 四、指導(dǎo)教師 姓名 學(xué)院/所學(xué)專業(yè) 職務(wù)/職稱 研究方向 宋忠孝 材料學(xué)院/材料系 教授、博士生導(dǎo)師 核電領(lǐng)域；電化學(xué)、催化、電池領(lǐng)域；器件、封裝領(lǐng)域：高溫抗氧化燒蝕、高壓抗電弧燒蝕領(lǐng)域；輕量化領(lǐng)域硬質(zhì)涂層領(lǐng)域 王小華 電氣學(xué)院/電機(jī)電器及其控制 教授/博導(dǎo)，國家級(jí)人才計(jì)劃入選者（特聘教授），國家級(jí)青年人才計(jì)劃入選者（青年學(xué)者），教育部新世紀(jì)優(yōu)秀人才，陜西省青年科技標(biāo)兵。西安交通大學(xué)未來技術(shù)學(xué)院/現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)學(xué)院副院長、實(shí)踐教學(xué)中心（工程坊）副主任、教務(wù)處副處長、創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)學(xué)院副院長，CIGRE開關(guān)設(shè)備狀態(tài)評(píng)估工作組成員，中國電工技術(shù)學(xué)會(huì)電器智能化系統(tǒng)及應(yīng)用專委會(huì)委員 開關(guān)設(shè)備設(shè)計(jì)、狀態(tài)監(jiān)測與壽命評(píng)估 田高良 管理學(xué)院/會(huì)計(jì)與財(cái)務(wù) 教授、博士生導(dǎo)師 財(cái)務(wù)預(yù)警；內(nèi)部控制與風(fēng)險(xiǎn)管理；資產(chǎn)評(píng)估；信用管理等 五、項(xiàng)目簡介 蘇州博志金鉆科技有限責(zé)任公司是一家專門從事高功率半導(dǎo)體封裝材料研發(fā)生產(chǎn)的公司。以先進(jìn)的陶瓷表面金屬化技術(shù)為核心形成了包括（1）粉體表面改性；（2）熱壓燒結(jié)；（3）研磨、拋光；（4）陶瓷金屬化；（5）增厚、刻蝕；（6）預(yù)制金錫焊料；（7）激光切割等環(huán)節(jié)的完整高端熱沉材料生產(chǎn)體系。公司擁有完整的熱沉材料生產(chǎn)體系，致力于成為“國產(chǎn)化功率半導(dǎo)體器件熱沉材料領(lǐng)跑者”，為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展添磚加瓦。 博志金鉆技術(shù)團(tuán)隊(duì)在磁控濺射領(lǐng)域深耕二十余年，目前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、單晶金剛石、單晶碳化硅覆銅板的量產(chǎn)，三英寸陶瓷覆銅板月產(chǎn)能10萬片，包括各類種子層方案，銅層厚度0.5-100um，表面無毛刺、劃痕、色差等異樣，350度加熱平臺(tái)烘烤5分鐘不起泡。博志金鉆目前蘇州主體工廠面積超過5000平米，含萬級(jí)潔凈間。擁有20余臺(tái)研磨拋光設(shè)備、10余臺(tái)燒結(jié)爐、4條臥式連續(xù)鍍膜設(shè)備、5臺(tái)立式鍍膜設(shè)備，以及超聲清洗、噴淋甩干等完善的配套設(shè)備。博志金鉆的工藝流程包括粉體表面改性、熱壓燒結(jié)、研磨/拋光、陶瓷金屬化、增厚/刻蝕、預(yù)制金錫焊料、激光切割，博志金鉆已經(jīng)建立了完善的產(chǎn)品生產(chǎn)管理及質(zhì)量監(jiān)控體系來進(jìn)行管控，完成了包括ISO9001、14001等認(rèn)證，并不斷完善產(chǎn)品檢測設(shè)備及手段，確保產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定。 公司積極進(jìn)行產(chǎn)品迭代和技術(shù)儲(chǔ)備，在高功率半導(dǎo)體封裝材料研發(fā)生產(chǎn)領(lǐng)域有著二十余年研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。中國科學(xué)院院士孫軍教授和國家萬人計(jì)劃領(lǐng)軍人才宋忠孝教授作為本公司首席科學(xué)家領(lǐng)銜公司技術(shù)研發(fā)，進(jìn)行陶瓷金屬化和半導(dǎo)體封裝基板領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)的探索。潘遠(yuǎn)志帶領(lǐng)公司與西安交通大學(xué)表面工程國際研發(fā)中心、金屬材料強(qiáng)度國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室合作進(jìn)行前沿技術(shù)開發(fā)，團(tuán)隊(duì)與蘇州市產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院、高新區(qū)共同設(shè)立蘇州思萃材料表面應(yīng)用技術(shù)研究所，是公司的技術(shù)支持和組織依托。目前公司已完成天使輪、preA輪數(shù)千萬融資交割，公司投后估值逾2億元。

       芯片功率器件測試平臺(tái)，以工程教育專業(yè)認(rèn)證為引領(lǐng)參與高校專業(yè)建設(shè)，以信息化引領(lǐng)構(gòu)建學(xué)習(xí)者為中心的教育生態(tài)，培養(yǎng)集成電路硬件測試人才。為學(xué)生提供豐富的教學(xué)資源以及貼近現(xiàn)實(shí)的產(chǎn)業(yè)環(huán)境，支撐集成電路相關(guān)課程的教學(xué)與實(shí)訓(xùn)，且能進(jìn)行項(xiàng)目開發(fā)和師資培訓(xùn)。

已有樣品/nSTT-MRAM 是一種極具應(yīng)用潛力的下一代新型存儲(chǔ)器解決方案。由于采用了大量的新材料、新結(jié)構(gòu)，加工制備難度極大。當(dāng)前，美韓日三國在該項(xiàng)技術(shù)上全面領(lǐng)先，很有可能在繼硬盤、DRAM 及閃存等存儲(chǔ)芯片之后再次實(shí)現(xiàn)對(duì)我國100%的壟斷。微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心研究員趙超與北京航空航天大學(xué)教授趙巍勝的聯(lián)合團(tuán)隊(duì)通過3 年的艱苦攻關(guān)，在STT-MRAM 關(guān)鍵工藝技術(shù)研究上實(shí)現(xiàn)了重要突破，在國內(nèi)首次采用可兼容CMOS 工藝成

現(xiàn)場可編程門陣列(Field-Programmable Gate Array，F(xiàn)PGA)是半導(dǎo) 體集成電路領(lǐng)域的一類通用核心器件，在國民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域有著廣 泛的應(yīng)用。美國廠商壟斷了全球幾乎所有的 FPGA 芯片市場，而我國 的航空航天技術(shù)和國防工業(yè)對(duì) FPGA 芯片有超大量的需求和嚴(yán)重的 依賴，高端 FPGA 技術(shù)和芯片產(chǎn)品被美國等列為對(duì)華出口的嚴(yán)格限制 清單中，嚴(yán)重制約了航空航天技術(shù)和國防工業(yè)發(fā)展。針對(duì)上述問題， 項(xiàng)目組通過自主創(chuàng)新研制

隨著集成電路的發(fā)展，功耗問題越來越成為制約的瓶頸問題。特別是在即將到來的萬物互聯(lián)智能時(shí)代，物聯(lián)網(wǎng)、生物醫(yī)療、可穿戴設(shè)備和人工智能等新興領(lǐng)域更加追求極低功耗，尤其是極低靜態(tài)功耗。面向未來龐大的物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)應(yīng)用的需求，極低功耗器件及其電路芯片受到越來越多的關(guān)注。受玻爾茲曼限制，傳統(tǒng)晶體管的亞閾擺幅存在理論極限，這一限制是阻礙器件功耗降低的關(guān)鍵因素，基于傳統(tǒng)CMOS晶體管的集成電路已經(jīng)無法滿足物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)等對(duì)極低功耗的需求。 本項(xiàng)目基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝研制新型超陡擺幅隧穿器件，并進(jìn)一步研發(fā)具有極低功耗的物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)芯片。新型超陡擺幅隧穿器件采用有別于傳統(tǒng)晶體管的量子帶帶隧穿機(jī)制，可突破亞閾擺幅極限，同時(shí)獲得比傳統(tǒng)晶體管低2個(gè)量級(jí)以上的關(guān)態(tài)電流性能，具備極其優(yōu)越的低靜態(tài)功耗性能。通過超陡亞閾擺幅器件及電路技術(shù)的研究和突破，可促進(jìn)我國物聯(lián)網(wǎng)芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，顯著提高物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)的工作時(shí)間，具有重要的應(yīng)用價(jià)值。

本發(fā)明公開了一種面向芯片級(jí)器件的焊點(diǎn)制備裝置，包括：溶液容器，用于提供焊料溶液；流量分配器，其上設(shè)置有陣列布置的多個(gè)噴嘴，其與溶液容器連通，焊料溶液通過噴嘴噴出；器件固定板，其通過一底板固定在噴嘴下方，其上平鋪有待制備焊點(diǎn)的器件，且該器件固定板與噴嘴通過高壓發(fā)生器相連，兩者之間形成高壓電場；還包括管芯模，其包括呈陣列布置的多個(gè)管芯，且各管芯一一對(duì)應(yīng)配合插裝在噴嘴中，在各噴嘴和管芯之間的空隙內(nèi)形成容納焊料溶液的空間，在電場的作用下，焊料溶液通過該噴嘴中的空間進(jìn)行流量分配后噴出形成噴點(diǎn)或噴絲，滴落于器件

利于層狀納米材料比表面積大的特點(diǎn)，在碳基柔性襯底上制備了高性能柔性 超級(jí)電容器，及葡萄糖傳感器。超級(jí)電容器的能量密度最大為50.2Whkg-1,功 率密度為8002 W kg-1 at 17.6 Wh kg-1,充電1分鐘能點(diǎn)亮兩只綠色LED燈3 到5分鐘。性能處于國際先進(jìn)水平，成果先后發(fā)表于JALC0M , 714(2017) 63-70； 763 (2018) 926-934 等。

TDA（芯片熱設(shè)計(jì)自動(dòng)化）軟件是清華航院曹炳陽教授團(tuán)隊(duì)全自主研發(fā)的國際首個(gè)芯片跨尺度熱仿真與設(shè)計(jì)系統(tǒng)。TDA軟件可實(shí)現(xiàn)芯片從納米至宏觀尺寸的熱設(shè)計(jì)與仿真，支持芯片微納結(jié)構(gòu)內(nèi)部熱輸運(yùn)過程的模擬研究，直接提高芯片熱仿真精度與結(jié)溫預(yù)測準(zhǔn)確度，進(jìn)而提高芯片性能、壽命和可靠性。

本實(shí)用新型提供了一種具有翻轉(zhuǎn)芯片功能的芯片吸取裝置，包括 Z 向高度調(diào)節(jié)與支撐機(jī)構(gòu)、翻轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)、芯片吸取機(jī)構(gòu)，Z 向高度調(diào)節(jié)與支撐機(jī)構(gòu)將芯片吸取機(jī)構(gòu)移動(dòng)到適宜高度，翻轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)芯片吸取機(jī)構(gòu)旋轉(zhuǎn)，芯片吸取機(jī)構(gòu)包括直線導(dǎo)向運(yùn)動(dòng)部件和芯片吸取元件，直線導(dǎo)向運(yùn)動(dòng)部件內(nèi)設(shè)有直線軸承和彈簧，直線導(dǎo)向軸從上往下穿過直線軸承和彈簧，其端部連接芯片吸取元件，由于彈簧的緩沖作用，芯片吸取元件將芯片吸住后跟隨芯片上升一定的高度，再在翻轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的作用下旋轉(zhuǎn)到達(dá)芯片供給位置。本實(shí)用新型一方面避免了非接觸式吸取的不可靠

        技術(shù)成熟度：技術(shù)突破         研發(fā)團(tuán)隊(duì)以設(shè)計(jì)制備寬光譜超材料吸收器和像元級(jí)集成紅外探測器為研究主線，在超薄寬帶高吸收原理與策略、材料/器件設(shè)計(jì)與制備方面取得了突破性進(jìn)展。圍繞器件吸收率低、噪聲等效溫差（NETD）大、集成兼容性差的難題，提出了無損與損耗型介質(zhì)結(jié)合、多模諧振耦合光吸收的思路，獲得超薄寬帶高吸收率材料；提出將超薄寬帶高吸收率材料與非制冷紅外探測器像元級(jí)集成新思路，獲得了寬譜、NETD小、多色探測的非制冷紅外探測器，NETD降低3倍，研究成果已在中國兵器北方夜視廣微科技應(yīng)用轉(zhuǎn)化。         意向開展成果轉(zhuǎn)化的前提條件：中試放大及產(chǎn)業(yè)化工藝開發(fā)資金支持