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一種重力梯度儀自標定方法及離心梯度補償方法
本發明公開一種重力梯度儀自標定方法及離心梯度補償方法，其中重力梯度儀自標定方法通過改變重力梯度儀的水平傾斜角或慣性穩定平臺的旋轉角速度改變重力梯度儀敏感的離心梯度，記錄不同離心梯度激勵下重力梯度儀的輸出及檢測的離心梯度數據完成重力梯度儀標度系數、零偏的標定；根據標定模型及重力梯度儀的輸出得到含有離心梯度的重力梯度數據，將其減去檢測的離心梯度，實現離心梯度補償。本發明提供的標定方法可由計算機自動運行，實現自標定，該方法僅依靠重力梯度儀本身，不需要依賴外部檢測質量即可完成標定，該標定方法，方便、簡潔、容易實施。
東南大學
2021-04-11
一種自走式鏈式耦合傳動的沙灘表面垃圾清理系統
本發明涉及一種沙灘表面垃圾清理系統，由車架、垃圾升抬板、對稱承重輪、電機、垃圾儲存箱、車架覆蓋板、太陽能光伏電池板、二級減速箱、鋼絲網、垃圾擋板、主動鏈輪、從動鏈輪、鏈條、輸出軸、傳動軸、輕型承重輪胎、減震裝置組成。太陽能光伏板將光能轉化為電能，供發動機驅動并蓄能，通過控制器帶動車輪推動小車前行時，利用推力將垃圾及沙子經抬升板導入分離機構，經鐵絲網過濾分離后沙子回落沙灘，垃圾則進入儲存桶。同時，該車采用鋼板彈簧和減震連接件等設計，提高了車輛的穩定性和承重能力。本發明的沙灘垃圾清理車無需外部動力模塊的牽引并能夠適應各種復雜的沙灘環境，可以更好地提高垃圾清理效率。
南京工業大學
2021-01-12
一種自支撐類石墨多孔非晶碳薄膜的制備方法
本發明公開了一種自支撐類石墨多孔非晶碳薄膜的制備方法，包括下述步驟：S1：對金屬鎳片襯底進行超聲清洗，并烘干后放置于管式爐中；S2：向所述管式爐中通入惰性氣體；S3：對所述管式爐進行升溫處理使其達到600℃-720℃，向所述管式爐中通入氫氣，并對所述金屬鎳片襯底進行熱處理；S4：向所述管式爐中通入碳氫化合物，使得經過熱處理后的金屬鎳片襯底催化碳氫化合物裂解后生長非晶碳薄膜；S5：對所述管式爐進行降溫處理，并將生長有非晶碳薄膜的鎳片浸泡在腐蝕液中腐蝕掉襯底鎳片后獲得自支撐類石墨多孔非晶碳薄膜。采用本發明制備方法對環境溫度要求不高，制備得到的非晶碳薄膜具有多孔結構和自支撐結構，可以很方便轉移至任何襯底。
華中科技大學
2021-04-14
快速提取OSM數據中自定義多邊形區域內路網的方法
本發明公開了一種快速提取OSM數據中用戶自定義多邊形區域內路網的方法，該方法能夠快速地將用戶自定義的需要研究的范圍外的節點和路段刪除，最終得到用戶自定義多邊形區域內的OSM路網數據。目前從OSM數據導出的路網區域只能是矩形，本發明可以讓用戶自定義多邊形研究區域，并快速地自動刪除自定義多邊形區域外的節點和路網，節省了用戶先解析矩形范圍的OSM數據再手工刪除區域外的節點和路段產生的額外的時間和工作量，同時也避免該過程中人工操作可能產生的錯誤。
東南大學
2021-04-11
舟形藻的一種開放式培養方法及其專用培養基
本發明公開了舟形藻的一種開放式培養方法及其專用培養基。本發明所提供的培養基為ZWN，其配方為：硝酸鉀，180-220mg；磷酸二氫鈉，18-22mg；硅酸鈉，270 -330mg；脲素，7-9mg；維生素B1，350-450μg；乙二胺四乙酸二鈉，5-7mg；氯化鐵，5-7mg；海水定容至1升。應用本發明所提供的培養基培養舟形藻，包括如下步驟：1)用海水配置培養基；2)在藻種密度為3×105細胞/毫升是，按舟形藻與培養基體積比為1:5-9的比例將舟形藻接種到培養基中，在19-25℃，光照強度3000 -6000Lux，光照時間8-12h/天條件下通氣培養。舟形藻在本發明所提供的ZWN培養基中生長速度快，生物量高；加入碘化鉀，能有效達到防治綠藻污染的目的，可以采用開放式的培養方式大規模獲得舟形藻及其目標產物，具有重要的應用價值。
江蘇師范大學
2021-04-11
一種大型薄壁件的拉形和電磁復合漸進成形方法及裝置
本發明公開了一種大型薄壁件的拉形和電磁復合漸進成形方法 及裝置，該方法將驅動板置于待變形板料上方，用壓板和托板夾持住 驅動板和待變形板料，通過升降油缸帶動托板移動使得驅動板和待變 形板料初步拉彎和繃緊，實現拉形過程，調整電磁線圈的位置，使其 正對待變形驅動板進行放電，線圈繞凸模軸線在驅動板的表面旋轉一 周，實現同一高度下待變形板料與凸模貼合，隨后油缸再次下降并將 板料拉彎，線圈放電使待變形板料再次變形并與凸模貼合，依次類推， 實現板料的拉形-放電-再拉形-再放電的交替成形過程，直到板料變形 結束。本發明可改善材料流動的均勻性，降低板料的減薄率，實現大 型難變形材料的柔性加工和精確塑性制造。
華中科技大學
2021-04-13
一種用于角向偏振選擇的小錐角 W 形軸錐鏡
本發明公開了一種用于角向偏振選擇的小錐角 W 形軸錐鏡。小 錐角W形錐鏡的反射面由位于中央區域的外錐面和外圍區域的內錐面 組成，內錐面和外錐面形成內部中空的反射結構，外錐面的半錐角α 和內錐面的半錐角β滿足幾何關系式：3α+2β＝90°，且 0°<α <30°。本發明結構簡單，對稱性好、抗失調能力強，熱穩定性能和機 械性能優良，制作簡單，成本低，可廣泛應用于氣體、固體和半導體 激光器產生高功率、高純度的角向偏振光。
華中科技大學
2021-04-14
用于 GIS 矢量建筑物多邊形的多尺度表達信息生成方法
本發明提供一種用于 GIS 矢量建筑物多邊形的多尺度表達信息生成方法，包括輸入不同尺度下的同 名矢量建筑物多邊形，然后對起始圖形和目標圖形分別轉為轉向角函數表達形式；基于轉向角函數分析 建筑物多邊形的邊特征，獲得邊的變換規律，包括將特征點匹配得到的邊集分別與目標圖形對應邊進行 轉向角匹配，劃分同邊和異邊；融合得到任意中間尺度下多邊形的轉向角函數，轉為坐標串表達形式， 得到中間尺度的插值圖形。本發明能在有效保持矢量建筑物多邊形直角化邊界特征的前提
武漢大學
2021-04-14
InVO4/g-C3N4復合材料的制備方法
本發明是關于半導體材料領域，旨在提供InVO4/g-C3N4復合材料的制備方法。本發明包括如下步驟：將H2SO4水溶液逐滴加入三聚氰胺水溶液中形成白色懸浮液；80℃下攪拌2h后獲得沉淀，過濾，并用蒸餾水和無水乙醇洗滌，干燥處理后獲得三聚氰胺硫酸鹽；獲得g-C3N4顆粒；將g-C3N4顆粒分散到無水乙醇中得到分散體系，將偏釩酸銨水溶液逐滴加入該混合溶液中形成黃色澄清溶液；攪拌獲得沉淀，過濾、洗滌，加入表面活性劑并進行水熱反應；所得沉淀過濾，獲得InVO4/g-C3N4復合材料。本發明的有益效果是：解決了InVO4納米晶的形核、生長問題，促使InVO4納米晶在疏松g-C3N4顆粒表面原位生長。
浙江大學
2021-04-13
一類N-取代胺基香豆素及其除草與殺菌用途
本發明涉及25種N?取代氨基香豆素衍生物及其制備方法，以及在抑菌、除草方面的用途。25種N?取代氨基香豆素衍生物，通過6?氨基香豆素與間氟苯甲醛縮合并用NaBH4還原得中間體，再將其與不用酰氯在三乙胺存在下縮合得系列目標化合物。這些化合物可作為除草劑防治雜草馬唐及反枝莧，也可作為殺菌劑防治番茄灰霉病菌及蘋果腐爛病菌。
青島農業大學
2021-04-13