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本項目重點研究面向物聯(lián)網(wǎng)極低功耗微控制器關(guān)鍵技術(shù)，包括寬電壓標(biāo)準(zhǔn)單元和片上存儲器設(shè)計技術(shù)、工藝-電壓-溫度（PVT）偏差檢測技術(shù)與自適應(yīng)動態(tài)電壓和頻率調(diào)節(jié)技術(shù)、快速響應(yīng)的寬負載高效率電源轉(zhuǎn)換技術(shù)、低功耗高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換電路設(shè)計技術(shù)、極低功耗快速啟動晶體振蕩器技術(shù)；面向工業(yè)控制微控制器關(guān)鍵技術(shù)，包括高可靠處理器架構(gòu)、低延時訪問存儲策略、納秒級中斷響應(yīng)處理技術(shù)、容錯型自糾錯SRAM 設(shè)計技術(shù)、高精度時鐘基準(zhǔn)電路設(shè)計技術(shù)。

本技術(shù)成果涉及集成電路測試技術(shù)領(lǐng) 域，公開了一種RFID讀寫器芯片中測系 統(tǒng)及方法

隨著集成電路的發(fā)展，功耗問題越來越成為制約的瓶頸問題。特別是在即將到來的萬物互聯(lián)智能時代，物聯(lián)網(wǎng)、生物醫(yī)療、可穿戴設(shè)備和人工智能等新興領(lǐng)域更加追求極低功耗，尤其是極低靜態(tài)功耗。面向未來龐大的物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點應(yīng)用的需求，極低功耗器件及其電路芯片受到越來越多的關(guān)注。受玻爾茲曼限制，傳統(tǒng)晶體管的亞閾擺幅存在理論極限，這一限制是阻礙器件功耗降低的關(guān)鍵因素，基于傳統(tǒng)CMOS晶體管的集成電路已經(jīng)無法滿足物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點等對極低功耗的需求。 本項目基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝研制新型超陡擺幅隧穿器件，并進一步研發(fā)具有極低功耗的物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點芯片。新型超陡擺幅隧穿器件采用有別于傳統(tǒng)晶體管的量子帶帶隧穿機制，可突破亞閾擺幅極限，同時獲得比傳統(tǒng)晶體管低2個量級以上的關(guān)態(tài)電流性能，具備極其優(yōu)越的低靜態(tài)功耗性能。通過超陡亞閾擺幅器件及電路技術(shù)的研究和突破，可促進我國物聯(lián)網(wǎng)芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，顯著提高物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點的工作時間，具有重要的應(yīng)用價值。

利用大規(guī)模集成硅基納米光量子芯片技術(shù)，實現(xiàn)對高維度光量子糾纏體系的高精度和普適化量子調(diào)控和量子測量。 （圖一）基于硅納米光波導(dǎo)的大規(guī)模集成光量子芯片(可實現(xiàn)對高維量子糾纏體系的高精度、可編程、且任意通用量子操控和量子測量)       集成光學(xué)量子芯片技術(shù)，基于量子力學(xué)基本物理原理，使用半導(dǎo)體微納加工工藝實現(xiàn)單片集成光波導(dǎo)量子器件（包括單光子源、量子操控和測量光路，以及單光子探測器等），可以實現(xiàn)對量子信息的載體單光子進行處理、計算、傳輸和存儲等。集成光學(xué)量子芯片具有集成度高、穩(wěn)定性高、性能好、體積小、制造成本低等諸多優(yōu)點。因此，該技術(shù)被普遍認為是一種實現(xiàn)光量子信息應(yīng)用的有效技術(shù)手段。      利用硅基納米光波導(dǎo)技術(shù)實現(xiàn)的光量子芯片具有諸多獨特優(yōu)點，例如與傳統(tǒng)微電子加工工藝兼容、可集成度高、非線性效用強、以及工作波長與光纖量子通信兼容等。然而，迄今為止光量子芯片的復(fù)雜度僅限于小規(guī)模的演示，如集成少數(shù)馬赫-曾德干涉儀對光子態(tài)進行簡單操控。因此，我們迫切需要擴大集成量子光路的復(fù)雜性和功能性，增強其量子信息處理技術(shù)的能力，從而推進量子信息技術(shù)的應(yīng)用。       相干且精確地控制復(fù)雜量子器件和多維糾纏系統(tǒng)是量子信息科學(xué)和技術(shù)領(lǐng)域的一項難點。相對于目前普遍采用的二維體系量子技術(shù)，高維體系量子技術(shù)具有信息容量大、計算效率高、以及抗噪聲性強等諸多優(yōu)點。最近，多維度量子糾纏系統(tǒng)已分別在光子、超導(dǎo)、離子和量子點等物理體系中實現(xiàn)。利用光子的不同自由度，如軌道角動量模式、時域和頻域模式等，可以有效編碼和處理多維光量子態(tài)。然而，實現(xiàn)高保真度、可編程、及任意通用的高維度量子態(tài)操控和量子測量，依然面臨很多困難和挑戰(zhàn)。       針對上述問題，英國布里斯托爾大學(xué)、北京大學(xué)、丹麥技術(shù)大學(xué)、德國馬普研究所、西班牙光學(xué)研究所和波蘭科學(xué)院的科研人員密切合作，并取得了突破性進展。研究團隊提出并實現(xiàn)了一種新型的多路徑加載高維量子態(tài)方式，即每個光子以量子疊加態(tài)的形式同時存在于多條光波導(dǎo)路徑，從而實現(xiàn)了一個高達15×15的高維量子糾纏系統(tǒng)。通過可控地激發(fā)16個參量四波混頻單光子源陣列，可以制備具有任意復(fù)系數(shù)的高維度量子糾纏態(tài)。通過單片集成通用型線性光路，可對高維量子糾纏態(tài)進行任意操控和任意測量。因此，該多路徑高維量子方案具有任意通用性。與此同時，團隊充分利用集成光路的高穩(wěn)定性和高可控性，實現(xiàn)了高保真度的高維量子糾纏態(tài)，如4、8和12維度糾纏態(tài)的量子態(tài)層析結(jié)果分別為96、87% 和 81%保真度，遠超其他方式制備的高維量子糾纏態(tài)性能。       更重要的是，團隊通過硅基納米光子集成技術(shù)，實現(xiàn)了目前集成度最復(fù)雜的光量子芯片（圖一所示），單片集成550多個光量子元器件，包括16個全同的參量四波混頻單光子源陣列、93個光學(xué)移相器、122個光束分束器、256個波導(dǎo)交叉結(jié)構(gòu)以及64個光柵耦合器，從而達到對高維量子糾纏體系的高精度、可編程、且任意通用量子操控和量子測量。       研究進一步利用該高維光量子芯片技術(shù)，驗證高維度量子糾纏系統(tǒng)的強量子糾纏關(guān)聯(lián)特性，包括普適化貝爾不等式和EPR導(dǎo)引不等式等，證明量子物理和經(jīng)典物理定律的重要區(qū)別。例如，對4維度量子糾纏態(tài)，實驗觀察得到了2.867±0.014的貝爾參數(shù)，不僅成功違背經(jīng)典物理定律61.9個標(biāo)準(zhǔn)差，而且超過普通二維糾纏體系的最大可到達值的2.8個標(biāo)準(zhǔn)差。研究還首次實現(xiàn)高維量子系統(tǒng)的貝爾自檢測和量子隨機放大等新功能，例如，對3維度最大糾纏態(tài)和部分糾纏態(tài)的自檢測保真度約為76%，對14維以下糾纏態(tài)均實現(xiàn)了量子隨機放大功能。

一、創(chuàng)新點： 1.創(chuàng)新1-高低壓兼容工藝技術(shù)：世界首個P-sub/P-Epi高低壓兼容浮置沉底工藝平臺 2.創(chuàng)新2-抗瞬時電沖擊電路技術(shù)：國際最高品質(zhì)因子600V等級浮柵控制芯片 3.創(chuàng)新3-低損耗功率器件技術(shù)：超低開關(guān)損耗階梯柵氧600V超結(jié)功率器件 4.創(chuàng)新4-高功率密度互聯(lián)技術(shù)：國內(nèi)首款微型智能功率驅(qū)動芯片及600V單片智能功率驅(qū)動芯片。 二、產(chǎn)出情況： 被Amazon、Philips、Samsung、美的等100多家國內(nèi)外公司采用，項目新增銷售27.2億元，新增利潤4.9億元，新增創(chuàng)匯3115.5萬美元，解決了我國智能功率驅(qū)動芯片的“卡脖子”問題。 1.智能生活家電領(lǐng)域累計銷售超16億顆，市場占有率全國第一（超過40%） 2.首次實現(xiàn)國產(chǎn)智能功率驅(qū)動芯片應(yīng)用于高鐵空調(diào)控制器 3.唯一一款應(yīng)用于智能電表的國產(chǎn)功率芯片，解決了我國智能電表系統(tǒng)的戰(zhàn)略安全問題 4.在新能源交通工具領(lǐng)域出貨量超30億顆 成功應(yīng)用于亞馬遜無人倉儲機器人，首批供貨超過1萬套。

本項目是用 28 納米 FPGA 器件實現(xiàn)了一枚《萬兆網(wǎng)絡(luò)多核處理器》SOC 芯 片。該芯片目標(biāo)客戶是路由器、交換機、防火墻網(wǎng)絡(luò)設(shè)備整機廠商和網(wǎng)絡(luò)技術(shù) 科研、監(jiān)管機構(gòu)。該芯片用于拓展網(wǎng)絡(luò)帶寬到 10Gbps，支持 Open Flow 協(xié)議， 兼容 IPV4/IPV6 協(xié)議，是 SDN 控制器的基礎(chǔ)載體，NFV 的運行平臺。該芯片是 互聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的核心器件、重要的戰(zhàn)略物資，國內(nèi)空白，國家急需。該項目的產(chǎn) 業(yè)化包含 SOC 芯片推廣，F(xiàn)PGA→ASIC 轉(zhuǎn)化、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備整機生產(chǎn) 3 部分。適合 創(chuàng)辦的企業(yè)為 Fabless 模式集成電路芯片設(shè)計為主和網(wǎng)絡(luò)裝備整機生產(chǎn)為輔的電 43 子信息類股份制高科技企業(yè)。

已有樣品/n針對各種生物醫(yī)用儀器對心電、腦電、肌電、神經(jīng)電等電生理信號采集與分析的需求，研制出了一系列專用集成電路芯片。其中包括：1、一款適合大多數(shù)生理信號的通用前端集成電路，完成從電生理傳感器輸出市場預(yù)期：市場需求量：芯片300萬顆/年，傳感器3000萬-5000萬顆/年；可應(yīng)用系統(tǒng)：小型化便攜式電生理檢測設(shè)備、移動健康產(chǎn)品、穿戴式健康產(chǎn)品。的原始信號到CMOS或TTL等標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字電平信號之間的轉(zhuǎn)換，這款前端電路的功能包括跟隨、前放、A/D、濾波等基本功能。2、多款專用的信號處理后端集

組織芯片技術(shù)可廣泛應(yīng)用于腫瘤生物學(xué)、分子流行病學(xué)、生物試研制、生物工程制藥、中藥有效成分篩選等領(lǐng)域。因此，各科研院校、醫(yī)院、生物制藥企業(yè)等都將會是成為其潛在的市場，有很大的需求量。按照保守估計，目前國內(nèi)市場對組織芯片制備器具的年需求量在500-1000套之間；對組織芯片分析系統(tǒng)的年需求量在50-100套；對病理實時遠程控制會診系統(tǒng)的年需求量在50-100套

成果簡介本項目在國家973計劃、863計劃等研究成果基礎(chǔ)上，跟蹤國際趨勢，形成9**nm 大功率單發(fā)光條半導(dǎo)體激光器，輸出功率大于12W，壽命1萬小時。主要優(yōu)勢：（1 ）填補國內(nèi)空白。（2 ）易于光纖耦合。（3 ）多種波長可選。應(yīng)用簡介所處研發(fā)階段：中試階段適合應(yīng)用領(lǐng)域：直接光加工、

本發(fā)明提出這樣一種陽極鍵合工藝方法：將 MEMS 陀螺儀器件層沉積到臨時高分子襯底上，完成金屬電極沉積和 MEMS 結(jié)構(gòu)刻蝕之后，將臨時高分子襯底用化學(xué)機械拋光的方法去除。去除之后，將玻璃基體和玻璃蓋帽分別緊貼 MEMS 結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，加電加熱后一次完成雙面陽極鍵合。這種工藝方法與傳統(tǒng)的兩次陽極鍵合分兩步進行相比，更加節(jié)省成本，而且避免了第二次陽極鍵合對第一次陽極鍵合強度削弱這個固有缺點，使得產(chǎn)品可靠性提高。