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一種提高激光轉(zhuǎn)盤斬波調(diào) Q 性能的裝置及調(diào) Q 激光器
本發(fā)明公開了一種提高激光轉(zhuǎn)盤斬波調(diào) Q 性能的裝置及包含該 裝置的調(diào) Q 激光器，裝置包括位于諧振腔內(nèi)部或外部的伽利略望遠鏡 裝置以及位于諧振腔內(nèi)部用于對壓縮后的激光光束進行調(diào) Q 的轉(zhuǎn)盤斬 波調(diào) Q 器件。激光介質(zhì)為一個時，第一伽利略式望遠鏡裝置位于諧振 腔之內(nèi)，用于壓縮激光光束直徑，以減少 Q 開關(guān)時間增強調(diào) Q 效果； 激光介質(zhì)大于一個時，第二伽利略式望遠鏡裝置位于諧振腔之外，由 各路激光諧振腔共用，用于將多路
華中科技大學
2021-04-14
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基于Ag NWs定向排布的高靈敏高透過率的柔性傳感器制備及研究
該研究利用水浴提拉法制備了雙層定向排列Ag NWs網(wǎng)絡(luò)。基于該網(wǎng)絡(luò)的柔性傳感器可以實現(xiàn)不同變形行為的在線監(jiān)測。基于該傳感器制備了實時手勢探測器，在計算機中對手勢進行重建，為虛擬與現(xiàn)實交互提供了可能性。該研究成果已經(jīng)在SCIENTIC REPORTS 上成功發(fā)表，并入選該期刊年度下載次數(shù)Top 100。
哈爾濱工業(yè)大學
2021-04-14
一種基于服役年齡和負荷水平的變壓器可靠性分析方法
本發(fā)明公開了一種基于服役年齡和負荷水平的變壓器可靠性分 析方法，包括如下步驟：(1)確定變壓器負荷等級；(2)確定變壓器在初 始狀態(tài)下的負荷值；(3)獲取變壓器的熱點溫度；(4)根據(jù)變壓器的熱點 溫度獲取變壓器的絕緣壽命； (5)獲取變壓器的故障概率累計分布函數(shù)； (6)獲取變壓器在初始狀態(tài)下的平均故障率指標以及故障狀態(tài)下的平均 故障率指標；(7)獲取連鎖故障啟動概率指標 Pic 和連鎖故障脆弱環(huán)節(jié) 指示量 Pvc；通過對 Pic 與 Pvc 率排序，識別出系統(tǒng)中處于臨界狀態(tài)的變壓器；本發(fā)明提供的可
華中科技大學
2021-04-14
一種旋轉(zhuǎn)補償器型橢偏儀的系統(tǒng)誤差評估及消除方法
本發(fā)明公開了一種旋轉(zhuǎn)補償器型橢偏儀系統(tǒng)誤差評估及消除方法該方法，包括首先建立待優(yōu)化橢偏儀的系統(tǒng)模型，并求的待測樣品穆勒矩陣解析表達式；然后通過對泰勒展開，獲得 n 階旋轉(zhuǎn)補償器型橢偏儀橢儀系統(tǒng)誤差與元件誤差之間的關(guān)系。最后改變旋轉(zhuǎn)補償器型橢偏儀起檢器與檢偏器方位角，經(jīng)過四次測量，并求得四次測量結(jié)果的均值，這個均值就是已消除了橢偏儀系統(tǒng)誤差的待測樣品的穆勒矩陣。本發(fā)明方法可以獲得旋轉(zhuǎn)補償器型橢偏儀由元件誤差導致的系統(tǒng)誤差的解析表達式，計算過程明確，系統(tǒng)誤差的消除方法操作簡單可行，可以適用于現(xiàn)有不同結(jié)構(gòu)
華中科技大學
2021-04-14
一種適用于中壓直流斷路器的電流轉(zhuǎn)移電路及方法
目前在中壓直流配電網(wǎng)領(lǐng)域研究的大容量直流開斷設(shè)備，需考慮體積、成本等問題。該成果適用于中壓直流配電網(wǎng)領(lǐng)域，特別是涉及一種適用于中壓直流斷路器的電流轉(zhuǎn)移電路及方法，基于混合式直流斷路器，提供一種適用于中壓場合的電流轉(zhuǎn)移電路及方法，通過配置輔助換流單元，對儲能電容器預先充以適量電壓，實現(xiàn)對故障電流的轉(zhuǎn)移，滿足中壓直流配電網(wǎng)對故障快速切除需求。
該成果提出一種中壓混合式直流斷路器電流轉(zhuǎn)移電路及方法，使故障電流轉(zhuǎn)移與關(guān)斷功能集成化，又能兼顧中壓直流配網(wǎng)對斷路器設(shè)備的體積、成本以及工作可靠性等要求，對擴大直流斷路器的應(yīng)用范圍具有重要工程意義。
華北電力大學
2022-07-21
探銳科技：高靈敏度探測器技術(shù)研發(fā)與市場推廣領(lǐng)航者
光電探測器在量子科技、三維成像、激光雷達、生物醫(yī)學等方面有著廣泛應(yīng)用，被譽為是無人駕駛、無人機、智能機器人等關(guān)鍵設(shè)備的眼睛。目前我國在針對極微弱光的探測器主要依賴進口，北京探銳科技有限公司（創(chuàng)業(yè)團隊擬注冊）基于中央民族大學光電實驗室和中科院半導體所的自主研發(fā)成果和知識產(chǎn)權(quán)開展成果轉(zhuǎn)化，開展基于光通訊波段及可見光波段高靈敏度探測器的產(chǎn)業(yè)化，微光成像芯片的設(shè)計、加工及銷售服務(wù)。目前已擁有三五族化合物探測器和微型硅基探測器等產(chǎn)品，從材料和器件結(jié)構(gòu)上進行優(yōu)化和創(chuàng)新，國內(nèi)首創(chuàng)的高速、低噪APD單光子探測器件設(shè)計與制備已達到國際領(lǐng)先水平。團隊擁有國家發(fā)明專利3項、在申專利10余項，榮獲國家自然科學基金、科技部重點研究項目等20余項成果。
本團隊屬典型的師生共創(chuàng)，李傳波教授為團隊的技術(shù)帶頭人、國家特聘專家，“青年千人計劃”的核心骨干，常年從事半導體光子材料與器件、能源光子器件開發(fā)與研制，目前也是中科院半導體研究所教授和中央民族大學教授。梁巖帶領(lǐng)的學生核心創(chuàng)業(yè)團隊包括理學院、經(jīng)管學院的碩士和博士生。團隊主創(chuàng)人員有多年的海外工作經(jīng)歷，也有中科院半導體所的工作經(jīng)歷，也有自主知識產(chǎn)權(quán)，可以設(shè)計并達到國際領(lǐng)先的參數(shù)，實現(xiàn)其進口替代。除了技術(shù)之外，最大的優(yōu)勢是成本優(yōu)勢。團隊依托主創(chuàng)人員多年來半導體光電材料與芯片的研究工作，有多年海外知名高校及中科院半導體所研究經(jīng)歷，為項目提供強大的技術(shù)支撐。初創(chuàng)期間采用產(chǎn)學研相結(jié)合的方式，芯片的生產(chǎn)在實驗室生產(chǎn)，公司是進行宣傳包裝、銷售。未來規(guī)劃拓展業(yè)務(wù)范圍。專注于做高靈敏度探測器的技術(shù)研發(fā)和市場推廣，助力“中國芯”走向世界！
中央民族大學
2021-02-25
一種抑制系統(tǒng)高頻振蕩的并網(wǎng)變換器電流自適應(yīng)控制系統(tǒng)
本發(fā)明公開了一種抑制系統(tǒng)高頻振蕩的自適應(yīng)電流控制系統(tǒng)； 包括常規(guī)的旋轉(zhuǎn)坐標下的雙 PI 控制、諧波在線檢測環(huán)節(jié)、電流環(huán)特定 頻段增益調(diào)節(jié)控制等三個主要部分。該方法通過實時檢測運行中并網(wǎng) 變流器濾波電容電流波形，對波形中的諧波成份進行分析，得到諧波 分量的幅值；當檢測到的諧波分量幅值大于設(shè)定閾值，則通過調(diào)整電 流控制器輸出端相應(yīng)的陷波器以抑制電流控制器在該諧波頻率處的增 益，從而防止并網(wǎng)變流器在該頻率點與系統(tǒng)發(fā)生相互作用，放大該諧波。本發(fā)明提出的控制方法可實現(xiàn)不同電網(wǎng)諧振環(huán)境下，電流控制器 在諧振頻率
華中科技大學
2021-04-14
一種無位置傳感器的無刷雙饋電動機調(diào)速控制方法
本發(fā)明公開了一種無位置傳感器的無刷雙饋電動機調(diào)速控制方 法，包括：獲取功率繞組的頻率 fp；獲取控制繞組的頻率 fc；根據(jù)功 率 繞組 的 頻 率 fp 和 控制 繞 組 的頻 率 fc 獲 得轉(zhuǎn) 速 辨 識值<img file=""DDA0000636051420000011.GIF"" wi=""379"" he=""155"" />將轉(zhuǎn) 速的指令值減去轉(zhuǎn)速辨識值<img file=""DDA0000636051420000012. GIF"" wi=""64"" he=""8
華中科技大學
2021-04-14
一種核電站蒸汽發(fā)生器傳熱管微動損傷的裝置及其測試方法
本成果來自有重大應(yīng)用前景的橫向項目，獲得國家發(fā)明專利授權(quán)，為重大裝備服役、延壽提供技術(shù)支撐。該成果結(jié)合大型先進壓水堆重大專項(2010ZX06004-18)，研發(fā)出一套檢測核電站蒸汽發(fā)生器傳熱管微動損傷的裝置及其測試方法。它的主要體現(xiàn)形式為；微動磨損測試裝置和評價傳熱管微動損傷的方法和判定標準。該方法及設(shè)備為國產(chǎn)核電材料的評價提供了重要的技術(shù)支持、相關(guān)研究結(jié)果處于我國核電行業(yè)領(lǐng)先。
西南交通大學
2016-06-27
一種基于二維 FFT 處理器的行轉(zhuǎn)置架構(gòu)設(shè)計方法
本發(fā)明公開了一種二維 FFT 處理器的行轉(zhuǎn)置架構(gòu)，具有以下特點：FFT 處理器包含片上行轉(zhuǎn)置存儲器，用于保存圖像行變換結(jié)果。當行變換結(jié)果超過該片上存儲器容量時，每行變換結(jié)果的前 2k 個數(shù)據(jù)寫入片上行轉(zhuǎn)置存儲器，剩余數(shù)據(jù)寫入片外 SDRAM，k 根據(jù)行變換結(jié)果和片上行轉(zhuǎn)置存儲器容量計算得到。此時，將片上行轉(zhuǎn)置存儲器一分為二，記為存儲器 A、B，用于保存行變換部分結(jié)果以及暫存片外SDRAM 讀出數(shù)據(jù)。在從存儲器 A 或
華中科技大學
2021-04-14