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本項目屬光、機、電、材一體化技術領域，具有多學科綜合的特點。半導體激光器具有效率高、體積小、重量輕、結構簡單、能將電能直接轉(zhuǎn)換為激光能、功率轉(zhuǎn)換效率高、便于直接調(diào)制、省電等優(yōu)點，因此應用領域日益擴大。半導體激光技術已成為一種具有巨大吸引力的新興技術并在工業(yè)中得到了廣泛的應用。高功率半導體泵浦激光器是半導體激光技術中最具發(fā)展?jié)摿Φ念I域之一。 半導體激光器最大的缺點是激光性能受溫度影響大，光束的發(fā)散角較大。封裝成本占半導體激光器組件成本的一半，封裝技術不僅直接影響泵浦激光器組件的可靠性，而且直接關系到泵浦激光器芯片的性能能否充分發(fā)揮。本項目對非致冷高功率980nm泵浦激光器的封裝技術進行了研究，整個封裝技術涉及光學、電學、熱學、機械等，精度達微米數(shù)量級。通過采用激光器芯片的倒裝貼片技術，小型化、全金屬化無膠封裝技術，最終滿足了光纖放大器對泵浦激光器小體積、高功率、低成本、高可靠性的要求。光耦合則采用透鏡光纖直接耦合，最大限度地減小耦合系統(tǒng)的元件數(shù)和相關損耗，提高了光路可靠性和易操作性。采用雙光纖光柵波長鎖定技術，提高了非致冷高功率980nm泵浦激光器的邊模抑制比和波長穩(wěn)定性。項目組通過采用這些技術，最終解決了一系列非致冷高功率980nm泵浦激光器封裝關鍵技術。 經(jīng)國家光學儀器質(zhì)量監(jiān)督檢測中心測試，非致冷高功率980nm泵浦激光器主要技術指標如下：    1. 管殼尺寸：12.7(mm)×7.4(mm)×5.2 (mm)    2. 工作溫度：0-70℃    3. 中心波長：980nm    4. 譜 寬：1nm    5. 閾值電流：24mA    6. 輸出功率：240mW    7. 功 耗：小于1W 本項目的研究成果，通過與相關企業(yè)開展產(chǎn)學研合作，經(jīng)過近五年的技術研發(fā)和不斷改進，非致冷高功率980nm泵浦激光器封裝關鍵技術研究成果已成功應用于相關產(chǎn)品的批量生產(chǎn)，為企業(yè)創(chuàng)造了較好的經(jīng)濟效益。在社會效益方面，填補了我國非致冷高功率半導體泵浦激光器方面的不足，對行業(yè)技術進步和產(chǎn)業(yè)結構優(yōu)化升級起到了積極的推動作用。 耦合封裝是對精度要求非常高的一系列工藝過程，這注定它很難實現(xiàn)自動化技術。因此，小型化泵浦激光器封裝技術的研究成果，特別適合在中國這樣人力成本低且技術基礎好的環(huán)境。通過對小型化980nm泵浦激光器封裝技術的研究，實現(xiàn)了封裝技術的源頭性創(chuàng)新，有助于向其他半導體泵浦激光器和光電器件的耦合封裝拓展。該技術在光電子器件的應用方面具有廣闊的市場潛力和廣泛的推廣應用前景，將成為形成光電子器件封裝技術產(chǎn)業(yè)的重要技術支撐。

本實用新型公開了一種一體化高轉(zhuǎn)速斜盤旋轉(zhuǎn)式電機泵。包括電機泵殼體和集成地安裝在電機泵殼體中的五相容錯永磁無刷直流電機和斜盤，電機泵殼體為由大、小端殼體相連的結構，大端殼體端面安裝有端蓋，并通過密封圈進行密封，小端殼體端面安裝有后泵體；大、小端殼體內(nèi)的大、小端腔連接相通，分別裝有五相容錯永磁無刷直流電機和斜盤機構，電機與斜盤機構同軸連接，斜盤旋轉(zhuǎn)帶動一端伸入到后泵體中的配流軸同步旋轉(zhuǎn)。本實用新型將斜盤旋轉(zhuǎn)式軸向柱塞泵和五相容錯永磁無刷直流電機沿軸向串接并集成在同一殼體內(nèi)，大大降低了徑向尺寸，減小了轉(zhuǎn)動慣量，提高了動態(tài)響應速度；可靠性及容錯能力強，進一步增大了功率密度，更易和液壓缸進行集成。

本發(fā)明公開了一種微型旋轉(zhuǎn)機械泵的葉輪固定結構及固定方法，主要應用于諸如微型的旋轉(zhuǎn)機械泵及其它微型軸端固定場合，其結構主要包括：葉輪、電機軸、填充料。葉輪包括葉片和輪轂并固定在電機軸端，葉輪輪轂一端開設有填料階梯孔，電機軸插入葉輪輪轂一側(cè)的軸段開設有槽道，槽道的開設方向與軸向垂直。電機軸穿過葉輪輪轂后，電機軸槽道完全處于輪轂一端的填料階梯孔內(nèi)，填充料填充并固化在填料階梯孔與槽道合圍的空間內(nèi)，從而形成輪轂-電機軸咬合結構，最終實現(xiàn)小空間內(nèi)葉輪固定于電機軸上的目的。輪轂-電機軸咬合工藝結構相比單純的輪轂-電機軸粘接工藝擁有更高的固定強度。

本發(fā)明公開了一種基于激光沖擊波力學效應的無閥微泵，該微泵包括泵體、流體入口、流體出口和犧牲層元件，其中泵體包括泵膜、泵腔以及擴張管和收縮管，所述擴張管和收縮管分別呈錐形管結構，所述犧牲層元件設置在泵腔上部泵膜處并由對激光輻射敏感的材料制成。當犧牲層表面受到激光輻射時，其吸收激光能量并瞬間氣化，發(fā)生膨脹并產(chǎn)生等離子體爆炸氣團以對泵膜起到?jīng)_擊波的作用，相應使得泵腔體積交替改變由此執(zhí)行流體的輸送操作。本發(fā)明還公開了相應的制造方法。通過本發(fā)明，能夠通過對微泵結構上的設計，有效利用激光沖擊波力學效應來實現(xiàn)泵送

項目簡介 為了提高泵內(nèi)導葉體的效率及穩(wěn)定性，本成果基于流體動力學理論，打破傳統(tǒng)的葉 片沿圓周方向均勻布置方式，提出了一種葉片沿圓周方向非對稱布置的導葉體及設計方 法。屬國內(nèi)首創(chuàng)項目。該成果經(jīng)計算流體動力學計算驗證，并申請了專利，專利號： 201320001584.5。 性能指標 根據(jù)導葉體出口過流斷面上流體沿水泵旋轉(zhuǎn)方向流量增加這一特性，通過逐漸增加 葉片之間的角度，重構每一流道的過流能力，

我校量子信息技術研究所王琴教授團隊在量子密碼領域取得新進展，該團隊首次利用參量下轉(zhuǎn)換光源實現(xiàn)了被動式誘騙態(tài)量子數(shù)字簽名，達到了200公里的安全傳輸距離，創(chuàng)造了當前量子數(shù)字簽名實驗的最新記錄。該成果9月19日在線發(fā)表在國際權威學術期刊《Physical Review Applied》上。 　　量子數(shù)字簽名是量子密碼學的重要應用方向之一。相比經(jīng)典數(shù)字簽名，量子數(shù)字簽名原則上具有量子力學賦予的無條件安全性，在密碼學中具有巨大的發(fā)展?jié)摿Γ蚨玫綄W術界的廣泛關注。目前大多數(shù)研究團隊使用的是主動式多強度誘騙態(tài)方案，可能存在著強度調(diào)制側(cè)信道漏洞，直接影響量子數(shù)字簽名系統(tǒng)的實際安全性。此前報道過的量子數(shù)字簽名最遠安全傳輸距離為134公里。針對目前主動式多強度誘騙態(tài)量子數(shù)字簽名協(xié)議存在的缺點，我校王琴教授團隊在自主研制的新型標記單光子源基礎上，提出了被動式誘騙態(tài)的量子數(shù)字簽名方案，從協(xié)議層面提高了安全性。隨后，他們對提出的量子數(shù)字簽名方案進行了原理性驗證，在100公里處每7秒可簽名1比特消息，兼顧了安全性和實用性。另外，該實驗將量子數(shù)字簽名的安全傳輸距離紀錄刷新到了200公里，充分展示了標記單光子源在量子密碼中的優(yōu)勢，為未來量子數(shù)字簽名的實際應用打下良好基礎。 　　該項工作的第一作者是我校通信與信息工程學院博士生張春輝，量子信息技術研究所的王琴教授和張春梅老師是該工作的共同通訊作者。該工作得到了中國科學技術大學量子信息重點實驗室韓正甫、陳巍、王雙、銀振強，南京大學張臘寶等人提供的技術支持。此項工作受到國家重點研發(fā)計劃，國家自然科學基金以及江蘇省優(yōu)勢學科等項目支持。

近日，我校藥學院李微研究員和謝唯佳副教授合作在化學領域頂級期刊AngewandteChemieInternationalEdition（IF：15.336）上發(fā)表了關于多種復雜脫氧糖糖鏈的立體選擇性高效合成的高水平論文。

科研團隊經(jīng)過3年多研究，形成了集理論分析、試驗測試和計算機仿真于一體的技術方法，為工程單位整機性能進行振動與噪聲評估、分析、優(yōu)化及驗證。 一、項目分類 關鍵核心技術突破 二、成果簡介 科研團隊經(jīng)過3年多研究，形成了集理論分析、試驗測試和計算機仿真于一體的技術方法，為工程單位整機性能進行振動與噪聲評估、分析、優(yōu)化及驗證。 研究成果早期應用與寧波大學與玉柴動力的發(fā)動機減振降噪、方太葉輪異音減振項目，并在山東巨明集團的452、688等玉米機械上進行了減振降噪的優(yōu)化改進上，使其發(fā)動機、駕駛室的傳遞率分別從156%降低至75%、157%降低至78%，駕駛室舒適性也得以大幅度改善，有效地提升了該款產(chǎn)品市場競爭力。2019年該兩款產(chǎn)品的銷售量為22500萬元，年增長約20%。 2019年寧波大學與柳工集團所簽訂的TC800起重機減振降噪技術合同是本項目技術的進一步推廣應用。

本發(fā)明公開了一種 SRAM 型 FPGA 的配置、刷新與程序上注一體化系統(tǒng)，屬于航天技術領域，目的是克服在空間輻照環(huán)境下 SRAM型 FPGA 的 SEU(Single-Event-Upset，單粒子翻轉(zhuǎn))問題，具備對長時間在軌工作的 SRAM 型 FPGA 進行程序升級的能力。本發(fā)明包括現(xiàn)場可編程邏輯門陣列 SRAM 型 FPGA、綜合管理反熔絲 FPGA、配置程序存儲芯片 PROM、在軌升級程序存放芯片 EEPORM、RS42

一種鈦基底上制備有機分子雜化TiO2納米復合薄膜的方法，其主要步驟是：A、將純鈦片兩次放入多巴胺溶液中各浸泡10-14h，得涂層模板；B、將沒食子酸、己二胺配成混合溶液，置于35-39℃的水浴中，再將涂層模板在混合溶液中浸3-5h，取出超聲清洗三遍，得有機分子層模板；C、將0.1-0.2 mol/L的(NH4)2TiF6溶液和0.2-0.4 mol/L的H3BO3溶液，按體積比1:1混合成混合液；再調(diào)節(jié)PH值至2.7-2.9；D、將有機分子層模板浸入混合液中，在45-55℃的水浴鍋中浸泡10-40h，即得。該法在鈦基底上制備得到的TiO2薄膜的結合力高、分布均勻、光電轉(zhuǎn)換效率高，生物相容性好。