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本發(fā)明涉及無損檢測領域，具體涉及一種重構(gòu)非均勻介質(zhì)中的缺陷形狀的方法，具 體包括以下步驟：首先利用超聲波檢測系統(tǒng)檢測非均勻介質(zhì)，獲得非均勻介質(zhì)中的缺陷回波 幅值，在計算機中利用工程計算軟件進行程序編寫，然后輸入相應的缺陷回波的幅值即可實 現(xiàn)非均勻介質(zhì)的缺陷形狀的重構(gòu)；所以本發(fā)明的重構(gòu)非均勻介質(zhì)中缺陷形狀的方法簡單方 便，能快速、準確、低成本的重構(gòu)出非均勻介質(zhì)中三維缺陷的形狀。 

成果簡介： 1、主要功能和應用領域： 本設備可滿足液晶屏/觸摸屏制造行業(yè)對導電金球在COG綁定后的在線質(zhì)量全檢需求，即對導電金球的深淺、個數(shù)和偏位進行準確高效的自動檢測，以滿足液晶行業(yè)日益上升的金球質(zhì)檢標準和產(chǎn)能要求。金球內(nèi)核為聚合物材料，外殼為金或鎳，直徑3~5微米。ACF熱壓后金球有的被壓扁，有的被壓開口，并充當LCD和驅(qū)動芯片之間的導電通道，如金球壓合不好會造成導電不良，使得液晶屏發(fā)生批量缺線等故障。 2、特色及先進性： 1）金球深淺判斷。導電金球的壓合輕重程度沒有量化指標，主要依靠人眼目視的感受，需要從圖像上提取物理特征參數(shù)，以反映金球被壓迫從過輕到合適再到過重變化，對應無變形-變形良好-變形過多(壓碎)的過程。 2）偏位測量情況多樣。當BUMP比金手指尺寸大的時候，完全對準的情況下看不到金手指，和剛好錯開一個金手指的情況一樣。需保證調(diào)機良好情況下的3微米精度，對于偏位較大的情況則需要采用額外的算法來判斷。 3）檢查標準設置繁多。設計并實現(xiàn)了一個智能分組的工具，在采集了所有視場的圖像后，將建標的時候識別出來的BUMP(多為白色)尺寸分組，尺寸相近的在一組，則通過點擊智能分組工具，然后就把尺寸、面積和比例相似的分在一起，簡化操作。 4）屏幕放置精度和尺寸精度高。系統(tǒng)的檢測流程需要根據(jù)被測屏幕的放置位置精度和尺寸精度來確定，若屏幕在自動對邊后相同特征不同片子產(chǎn)生的位置差異遠大于線寬線距，則需要添加自動尋找定位點，然后將其作為位置起點再進行自動檢測。 3、技術指標： 金球直徑：3微米；分辨率：0.7微米；放大倍數(shù)：10；圖片大小：4000*100000，4億像素；采集時間：2秒 ；計算時間：0.8秒 ；ITO引腳：200~500個；單個引腳金球個數(shù)：10~50個；整機檢測效率：一代機5 s，二代機3.5 s 4、關鍵問題和實施效果： 目前傳統(tǒng)液晶屏和觸摸屏生產(chǎn)線上，對于ACF熱壓后的金球壓合質(zhì)量均采用人工抽檢的方式，借助顯微鏡進行人工檢測，8-10片抽檢一片。該設備可以實現(xiàn)產(chǎn)品的全檢，一臺設備相當于8-10個人，對于提高產(chǎn)能提升產(chǎn)品質(zhì)量具有非常重大的意義。該設備采用線陣相機配合精密運動平臺實現(xiàn)0.7微米分辨率的圖像采集，其光學采集部分如下圖所示。

一種表面缺陷電磁超聲檢測方法，屬于無損檢測技術，解決現(xiàn) 有電磁超聲檢測方法中提離距離的變化影響檢測準確度的問題。本發(fā) 明通過改變電磁超聲傳感器檢測探頭的提離距離，測量不同提離距離 下標準試樣的信號，并進行信號處理，得到提離斜率，利用不同缺陷 深度下提離斜率與缺陷深度的關系，建立相應的擬合函數(shù)；將檢測待 測缺陷所得到的提離斜率代入所述擬合函數(shù)，達到定量檢測缺陷的目 的。本發(fā)明簡單易行，與現(xiàn)有的采用峰峰值強度和透射系數(shù)定量檢測 缺陷的方法相比，本發(fā)明可以減少檢測探頭提離距離的影響，而且不 用在檢測過程中

石墨烯中電子除了自旋這個內(nèi)秉自由度，還有子格贗自旋和谷贗自旋自由度。石墨烯中電子的多自由度給石墨烯帶來了很多新奇的物理性質(zhì)。單原子缺陷是材料體系中最簡單的缺陷形式，可以作為一種模型體系來幫助了解缺陷對材料性質(zhì)的影響和調(diào)控。物理學系何林教授課題組長期致力于研究石墨烯中的單原子缺陷，發(fā)現(xiàn)缺陷可對石墨烯中自旋、子格贗自旋和谷贗自旋相關的電學性質(zhì)產(chǎn)生深刻影響。例如，他們利用掃描隧道顯微鏡（STM）首次證實石墨烯中單原子空位缺陷存在局域自旋磁矩，并在原子尺度上實現(xiàn)了對其自旋磁矩調(diào)控，實現(xiàn)了三種自旋量子態(tài)；觀測到石墨烯中單原子缺陷引入的對稱性破缺態(tài)，并系統(tǒng)地測量了缺陷附近谷極化和谷依賴的自旋極化在實空間的分布情況。 石墨烯中電子的子格贗自旋來自于其六角晶格結(jié)構(gòu)，有A和B兩套子格，因此波函數(shù)數(shù)學形式上類似于自旋。對于電子自旋有很多有意思的可觀測物理現(xiàn)象，那么對應石墨烯中的子格贗自旋是否有可觀測的物理現(xiàn)象呢？帶著這一問題，何林教授課題組開展了深入研究。他們發(fā)現(xiàn)石墨烯中的單原子缺陷可以使準粒子在石墨烯手性不同的兩個谷之間發(fā)生彈性散射，并伴隨著子格贗自旋的旋轉(zhuǎn)，在缺陷附近產(chǎn)生一個原子尺度的子格贗自旋渦旋，而贗自旋在渦旋（單原子缺陷）的繞數(shù)直接反映了體系的Berry相位（圖1）。通常來說，貝利相位的測量需要借助于外加磁場，因為磁場可以驅(qū)動準粒子沿閉合的軌跡絕熱運動，所以這一的結(jié)果提供了一個簡單的方法測量不同層石墨烯Berry相位的方法。何林教授課題組利用STM測量單原子缺陷引起的谷間散射形成的電荷密度波振蕩，證明電荷密度波振蕩在實空間中增加的額外波前條紋數(shù)直接反映了子格贗自旋在渦旋的繞數(shù)，從而可直接測量不同層石墨烯的Berry相位。最近的工作中，他們對雙層石墨烯進行了詳細的研究，并將相關結(jié)果推廣到多層石墨烯體系。進一步他們還研究了相同和相反繞數(shù)的子格贗自旋渦旋的量子干涉。上述結(jié)果直接證明了子格贗自旋有很多豐富有趣的物理現(xiàn)象亟待深入研究，也為子格贗自旋物理提供了全新的研究思路。

石墨烯中電子除了自旋這個內(nèi)秉自由度，還有子格贗自旋和谷贗自旋自由度。石墨烯中電子的多自由度給石墨烯帶來了很多新奇的物理性質(zhì)。單原子缺陷是材料體系中最簡單的缺陷形式，可以作為一種模型體系來幫助了解缺陷對材料性質(zhì)的影響和調(diào)控。物理學系何林教授課題組長期致力于研究石墨烯中的單原子缺陷，發(fā)現(xiàn)缺陷可對石墨烯中自旋、子格贗自旋和谷贗自旋相關的電學性質(zhì)產(chǎn)生深刻影響。例如，他們利用掃描隧道顯微鏡（STM）首次證實石墨烯中單原子空位缺陷存在局域自旋磁矩，并在原子尺度上實現(xiàn)了對其自旋磁矩調(diào)控，實現(xiàn)了三種自旋量子態(tài)；觀測到石墨烯中單原子缺陷引入的對稱性破缺態(tài)，并系統(tǒng)地測量了缺陷附近谷極化和谷依賴的自旋極化在實空間的分布情況。 石墨烯中電子的子格贗自旋來自于其六角晶格結(jié)構(gòu)，有A和B兩套子格，因此波函數(shù)數(shù)學形式上類似于自旋。對于電子自旋有很多有意思的可觀測物理現(xiàn)象，那么對應石墨烯中的子格贗自旋是否有可觀測的物理現(xiàn)象呢？帶著這一問題，何林教授課題組開展了深入研究。他們發(fā)現(xiàn)石墨烯中的單原子缺陷可以使準粒子在石墨烯手性不同的兩個谷之間發(fā)生彈性散射，并伴隨著子格贗自旋的旋轉(zhuǎn)，在缺陷附近產(chǎn)生一個原子尺度的子格贗自旋渦旋，而贗自旋在渦旋（單原子缺陷）的繞數(shù)直接反映了體系的Berry相位（圖1）。通常來說，貝利相位的測量需要借助于外加磁場，因為磁場可以驅(qū)動準粒子沿閉合的軌跡絕熱運動，所以這一的結(jié)果提供了一個簡單的方法測量不同層石墨烯Berry相位的方法。何林教授課題組利用STM測量單原子缺陷引起的谷間散射形成的電荷密度波振蕩，證明電荷密度波振蕩在實空間中增加的額外波前條紋數(shù)直接反映了子格贗自旋在渦旋的繞數(shù)，從而可直接測量不同層石墨烯的Berry相位。最近的工作中，他們對雙層石墨烯進行了詳細的研究，并將相關結(jié)果推廣到多層石墨烯體系。進一步他們還研究了相同和相反繞數(shù)的子格贗自旋渦旋的量子干涉。上述結(jié)果直接證明了子格贗自旋有很多豐富有趣的物理現(xiàn)象亟待深入研究，也為子格贗自旋物理提供了全新的研究思路。

本發(fā)明公開了一種缺陷態(tài)結(jié)構(gòu)聲學超材料板，包括彈性薄膜，兩塊復合材料板以及若干個質(zhì)量片，其中，兩塊所述復合材料板分別粘接于彈性薄膜上下兩側(cè)，所述復合材料板上設置有周期性排列的開口，若干個所述質(zhì)量片分別設置于開口處的彈性薄膜上，所述質(zhì)量片在分布中具有缺陷態(tài)結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提供的缺陷態(tài)結(jié)構(gòu)聲學超材料板，結(jié)構(gòu)簡單，設計性好，所使用基礎材料皆為常規(guī)材料，易于批量化加工、生產(chǎn)，值得在業(yè)內(nèi)推廣。

本發(fā)明公開了一種芯片連晶缺陷識別方法，該發(fā)明主要用于在 芯片制造過程中識別含連晶缺陷的不合格芯片；包括三個步驟：步驟 一，對采集到的芯片圖片進行模板匹配，定位出芯片的位置，根據(jù)芯 片的位置，對圖片進行截取；步驟二，對截取獲得的圖片進行預處理， 增大芯片基體與背景的差別；步驟三、對經(jīng)過預處理的圖片進行分割， 獲取 blob 塊，對 blob 塊進行特征分析：首先以面積為基準判斷出是否 含連晶缺陷；對面積正常的 blob 塊，獲取其 blob 塊最小外接矩形的中 心點以及四邊中點的位置，以中心點以及四邊

?  成果簡介：磁記憶檢測技術是一種新型無損檢測技術，被譽為二十一世紀最有前景的綠色診斷技術。該技術可以對鐵磁性構(gòu)件和機械零部件受損程度進行快速診斷，在檢測時不要求清理金屬表面和進行人工磁化等預先處理，可以完成疲勞損傷的早期診斷，壽命評估和設備可靠性診斷。可以高精度確定滋生裂紋的位置、方向以及定位已生成的裂紋。可以有效發(fā)現(xiàn)超聲、渦流、漏磁等其它無損檢測方法難以察覺的微觀缺陷。該系統(tǒng)由探頭、調(diào)理電路、計算機、信號處理軟件等部分組成，可以根據(jù)需要，做成各種結(jié)構(gòu)的檢測裝置，如多探頭、單

該系統(tǒng)可對鋼輪轂中的焊縫缺陷進行自動識別和判斷，并對缺陷大小進行自動統(tǒng)計，從而自動判斷是否合格。其控制軟件具有圖像采集、數(shù)據(jù)通信、數(shù)據(jù)及工藝文件存儲、合格不合格統(tǒng)計及數(shù)據(jù)庫查詢、圖像的自動處理與模式識別、加密、打印及幫助等功能。