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造紙堿回收苛化白泥渣生產陶瓷濾料技術
造紙堿回收苛化白泥渣的主要成分是碳酸鈣，呈粉狀、細度大，煅燒時粉塵污染嚴重。將白泥渣加入合適的添加劑，成球固化后自然養護再進行煅燒，使碳酸鈣充分分解，二氧化碳氣體不斷逸出形成氣孔的同時也減輕了濾料的質量，濾料密度減小、比表面積增大。原料屬于鈣硅鋁體系，在煅燒過程中先生成鈣鋁黃長石，溫度升高鈣鋁黃長石作為中間產物生成鈣長石，這些礦物相的生成保證了濾料的強度。 性能指標： 堆積密度在0.7-0.9 g/cm3；表觀密度1.2-1.8 g/cm
南京理工大學
2021-04-14
高強度高韌性氧化鋯基陶瓷及其制備方法
本研究開發了一種高強度高韌性陶瓷及其制備方法。解決了現有常壓燒結技術中制備氧化鋯基陶瓷韌性較低以及濕法成型時高濃度、低粘度漿料制備困難的問題。將氫氧化鋁包覆在納米氧化鋯(含4.37～6.04％氧化釔)粉體表面，熱處理組合成氧化鋯-氧化鋁復合微粉(微粉中四方相氧化鋯含量占氧化鋯總量的70-90％)。以該復合微粉、丙烯酰胺、交聯劑和分散劑為原料，通過注凝成型制備生坯，在常壓燒結條件下制備本發明的陶瓷，強度為700～1000MPa，韌性達15～17MPa·m1/2。本發明以氧化鋁對納米氧化鋯粉體的包覆和有
南京工業大學
2021-04-14
一種低溫共燒陶瓷材料及其制備方法
本發明公開了一種低溫共燒陶瓷材料及其制備方法。用化學通 式(1-x-y)ZnO-xMnO2-yTiO2-uH3BO3-wZBG 表示所述陶瓷材料的組 成，其中，(1-x-y)ZnO-xMnO2-yTiO2 為基體陶瓷粉體，ZnO、MnO2 和 TiO2 的摩爾比為(1-x-y):x:y，u 為 H3BO3 占所述陶瓷材料的質量百 分比，ZBG 表示鋅硼玻璃，w 為鋅硼玻璃占所述陶瓷材料的質量百分 比，0<、x≤0.75，0&
華中科技大學
2021-04-14
采用激光選區燒結工藝制備碳化硅陶瓷件的方法
本發明公開了一種采用激光選區燒結工藝制備碳化硅陶瓷件的 方法，包括以下步驟：按照預定質量比稱取碳粉、碳化硅粉末、粘結 劑及固化劑倒入球磨罐內，并進行球磨以得到粘接劑-碳化硅混合粉 末；采用計算機對待制備的零件進行三維數字建模，并將三維數字模 型信息輸入到激光選區燒結成型機，以所述粘接劑-碳化硅混合粉末為 原料，采用激光選區燒結快速成形工藝進行粉末燒結成型，以得到所 述零件的碳化硅素坯；對所述碳化硅素坯進行加熱固化；將
華中科技大學
2021-04-14
中低介電常數微波介質陶瓷復合材料的研究及其應用
國內現有的中低介微波介質陶瓷不能同時實現高Q值與近零τf，經過科研攻關，研發了4種中低介微波介質陶瓷復合材料，實現了優異的微波介電性能，填補了國內該范圍微波介質陶瓷的空白。獲得江蘇省復合材料科技進步獎二等獎，石油與化工部科技獎(發明三等獎）。
南京工業大學
2021-01-12
中央臺、邊臺專用碟形陶瓷臺面（一體成型）
陶克板類型：中央臺、邊臺專用碟形臺面（一體成型）
產品名稱： 中央臺、邊臺專用碟形臺面
產品型號： TOOK D06
適用范圍：中央臺、邊臺、儀器臺等
釉面色澤：多色可選
主要成分及優勢：
1.8m長碟形陶瓷臺面，極大提高了臺面用材率，從源頭節約資源成本。
一體成型阻水邊（非加工粘貼而成），有效避免了試劑不慎外溢到實驗員身上或地面造成傷害的問題。
由高嶺土、藍瓷土、長石等硅酸鹽材料，表面釉料采用了進口原料，經1280℃長時間高溫煅燒，陶克板由于材料屬性不耐氫氟酸，可抵御（除氫氟酸等同類型化學試劑）任何強酸強堿及有機溶劑腐蝕，其耐高溫、耐污染、抗輻射、抗細菌、抗釉裂等性能良好，是目前國內乃至全球實驗室臺面的最佳材質選擇。
如何判斷優質陶瓷臺面
釉面：表面平整度、抗釉裂性、耐腐蝕性能、表面耐劃痕等級、有無瑕疵、色飽滿度如何。
燒制溫度：是否達到1250℃的磁化燒制溫度（低于此溫度的板材無法瓷化，未瓷化的陶瓷板容易斷裂 ,陶克板是1280℃燒制而成。）
耐污染指標：是否符合國家檢測標準。
輻射限量指數：是否低于國家限量標準。
陶克基業（北京）科技有限公司
2022-04-18
工信部：今年新建5G基站將達60萬個以上
目前5G網絡已覆蓋我國所有地市一級和縣城城區以及87%的鄉鎮鎮區，覆蓋面在全球領先。
人民網
2022-03-09
InVO4/g-C3N4復合材料的制備方法
本發明是關于半導體材料領域，旨在提供InVO4/g-C3N4復合材料的制備方法。本發明包括如下步驟：將H2SO4水溶液逐滴加入三聚氰胺水溶液中形成白色懸浮液；80℃下攪拌2h后獲得沉淀，過濾，并用蒸餾水和無水乙醇洗滌，干燥處理后獲得三聚氰胺硫酸鹽；獲得g-C3N4顆粒；將g-C3N4顆粒分散到無水乙醇中得到分散體系，將偏釩酸銨水溶液逐滴加入該混合溶液中形成黃色澄清溶液；攪拌獲得沉淀，過濾、洗滌，加入表面活性劑并進行水熱反應；所得沉淀過濾，獲得InVO4/g-C3N4復合材料。本發明的有益效果是：解決了InVO4納米晶的形核、生長問題，促使InVO4納米晶在疏松g-C3N4顆粒表面原位生長。
浙江大學
2021-04-13
面向自動駕駛的低延遲（5G）摩擦發電智能道路系統
北京工業大學
2021-04-14
新型的G蛋白偶聯受體細胞水平篩選系統構建與應用
本發明涉及一種新型的G蛋白偶聯受體(GPCR)細胞水平篩選系統及其構建方法與應用。所述篩選系統由HEK293細胞或CHO細胞構建，含有來自以下序列中不同組間基因序列構建的2種融合表達載體：第1組：(1)DnaE基因的C端與報告基因的C端的拼接序列：DnaE-C-Report-C，(2)DnaE基因的N端與報告基因的N端的拼接序列：Report-N-DnaE-N；第2組：①GPCR基因，②β-arrestin基因。本發明的有益效果主要體現在：應用本發明篩選系統進行G蛋白偶聯受體(GPCR)細胞水平篩選，靈敏度高、特異性強，操作簡單、快速，檢測范圍廣，對任何靶細胞型中任何GPCR或GPCR信號轉導途徑的激動劑、拮抗劑都可以篩選。
浙江大學
2021-04-13