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西安電子科技大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院多智能體研究中心鄭元世教授團(tuán)隊(duì)通過引入了智能體及鄰居的歷史狀態(tài)，提出了一種基于記憶信息的一致性協(xié)議并建立了該協(xié)議下顯式的一致域。

一、項(xiàng)目簡(jiǎn)介可針對(duì)不同環(huán)境，完成震動(dòng)能、壓電能、摩擦電能、光電能、熱能、化學(xué)能、風(fēng)能、電磁能、射頻信號(hào)能等能量的收集、存儲(chǔ)，并根據(jù)需要為片上或片外低功耗傳感器提供穩(wěn)定且低噪的輸出能量供給。此外，針對(duì)不同的傳感器結(jié)構(gòu)和類型進(jìn)一步提供豐富的接口電路，用來讀取傳感器所產(chǎn)生的感應(yīng)信號(hào)。配合低功耗收發(fā)機(jī)模塊，可實(shí)現(xiàn)完整的無線傳感節(jié)點(diǎn)功能。二、特點(diǎn)12345678.電源管理部分靜態(tài)電流可低至 65nA；.整個(gè) ASIC 功耗（包含溫度傳感）不足 1μW；.具有最大功率點(diǎn)追蹤；.匹配最小 16kΩ的厘米級(jí)以下壓電片.具有能量收集、存儲(chǔ)和調(diào)整輸出功能；.提供超低噪聲電源供給（10nA-100μA）片上/片外傳感器；.存儲(chǔ)的能量支持 ZigBee、Bluetooth 等低功耗協(xié)議間歇數(shù)據(jù)傳輸；.構(gòu)建平均功耗小于 5μW 的無線傳感節(jié)點(diǎn)。三、市場(chǎng)情況本項(xiàng)目能以超低功耗實(shí)現(xiàn)完整無線傳感節(jié)點(diǎn)，在 IoT、環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域有良好的應(yīng)用前景和社會(huì)經(jīng)濟(jì)效益。四、技術(shù)成熟度此技術(shù)成熟，即將獲得專利授權(quán)，尋求與企業(yè)合作。-- 28 --西安交通大學(xué)國(guó)家技術(shù)轉(zhuǎn)移中心五、合作方式聯(lián)合研發(fā) 技術(shù)入股 □轉(zhuǎn)讓授權(quán)（許可） 面議

近幾年，硅基集成電路的速度遭遇瓶頸、停滯不前，解決的辦法之一是引入光子學(xué)器件，部分取代電子學(xué)集成電路中的信號(hào)處理和互聯(lián)器件，這就要求光子學(xué)器件具有像電子學(xué)集成那樣的小尺度和三維集成能力，同時(shí)具有和電子學(xué)集成兼容的制備工藝。這些要求使得光電混合集成面臨巨大的挑戰(zhàn)，是一個(gè)世界性的難題。 光學(xué)所張家森教授團(tuán)隊(duì)與信息科學(xué)學(xué)院彭練矛教授團(tuán)隊(duì)合作，提出了基于表面等離激元和碳納米管的三維光電混合集成系統(tǒng)，該系統(tǒng)與現(xiàn)有的COMS制備工藝兼容，可以實(shí)現(xiàn)光子學(xué)和電子學(xué)的三維集成和互聯(lián)，為解決集成電路的速度瓶頸提供了一種方法。他們演示了幾種集成回路，包括在片光操控回路、波長(zhǎng)和偏振復(fù)用回路和具有COMS信號(hào)處理電路的集成模塊。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 這種三維集成系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)包括：1. 使用低溫COMS兼容制備工藝，可以在單片集成回路中集成光子學(xué)模塊、電子學(xué)信號(hào)處理系統(tǒng)和存儲(chǔ)系統(tǒng)；2. 利用具有原子厚度的碳納米管材料以及金屬工藝，使得光子學(xué)集成和電子學(xué)集成在材料上兼容；3. 基于表面等離激元使得光子學(xué)器件尺度可以和電子學(xué)器件尺度相近，便于集成；4. 碳納米管的工作波段可以覆蓋整個(gè)通訊波段，這是硅材料無法做到的；5. 光電探測(cè)器工作于光伏模式，可以減小能耗。該工作是首次利用原子厚度材料實(shí)現(xiàn)三維光電混合集成，可以實(shí)現(xiàn)更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同時(shí)，有可能解決電子學(xué)集成回路在速度上的瓶頸。 上述實(shí)驗(yàn)結(jié)果近期發(fā)表于最新一期《自然 電子學(xué)》雜志。 相關(guān)文獻(xiàn)：Yang Liu, Jiasen Zhang, and Lian-Mao Peng, Three-dimensional integration of plasmonics and electronics. Nature Electronics 1, 644-651 (2018).Yang Liu, Jiasen Zhang, Huaping Liu, Sheng Wang, and Lian-Mao Peng, Electrically-driven monolithic subwavelength plasmonic interconnect circuits. Science Advances 3, e1701456 (2017).

其他成果/n本發(fā)明公開了一種安裝在汽車進(jìn)氣系統(tǒng)上的薄膜吸振器，用于消除由進(jìn)氣系統(tǒng)引起的至少一種車內(nèi)噪聲，所述汽車進(jìn)氣系統(tǒng)包括依次連接的進(jìn)氣管、空氣濾清器和出氣管，該吸振器包括開設(shè)在所述進(jìn)氣管振動(dòng)異常處的開孔以及密封覆蓋在所述開孔外側(cè)的薄膜，所述開孔的孔徑小于進(jìn)氣管的直徑。本發(fā)明在不增加進(jìn)氣系統(tǒng)降噪空間的前提下，以及合理的成本控制下，可以有效改善進(jìn)氣系統(tǒng)低、中、高各頻率段噪聲。

北京大學(xué)“極端光學(xué)創(chuàng)新研究團(tuán)隊(duì)”發(fā)展了一種高精度的暗場(chǎng)光學(xué)成像定位技術(shù)(位置不確定度僅21 nm)，并結(jié)合電子束套刻工藝，實(shí)現(xiàn)了片上量子點(diǎn)微盤激光器與銀納米線表面等離激元波導(dǎo)的精確、并行、無損集成。這種微盤-銀納米線復(fù)合結(jié)構(gòu)同時(shí)具有介質(zhì)激光器與表面等離激元波導(dǎo)的優(yōu)勢(shì)，因此不僅具有介質(zhì)激光器的低閾值與窄線寬特性，而且具有表面等離激元波導(dǎo)的深亞波長(zhǎng)場(chǎng)束縛特性。基于這種靈活、可控的制備方法，他們實(shí)現(xiàn)了片上微盤激光器與表面等離激元波導(dǎo)間多種形式的精確可控集成，包括切向集成、徑向集成以及復(fù)雜集成，并且對(duì)量子點(diǎn)無任何加工損傷；進(jìn)一步，通過同時(shí)集成多個(gè)片上微盤激光器與多個(gè)銀納米線表面等離激元波導(dǎo)，他們獲得了多模、單色單模以及雙色單模的深亞波長(zhǎng)(0.008λ2)相干輸出光源。這些高性能的深亞波長(zhǎng)相干輸出光源可以容易地耦合并分配至其它深亞波長(zhǎng)表面等離激元光子器件和回路中。因此，這種靈活、可控的精確集成方法在高集成密度的光子-表面等離激元復(fù)合光子回路中具有重要應(yīng)用，并且這種方法可以拓展到其它材料和其它功能的微納光子器件集成中，為未來光子芯片的實(shí)現(xiàn)提供了一種可行的解決方案。  該工作于2018年5月發(fā)表在Advanced Materials上(Advanced Materials 2018, 30, 1706546)，并以卷首插畫(Frontispiece)的形式予以重點(diǎn)報(bào)道。文章的第一作者為北京大學(xué)物理學(xué)院博士研究生容科秀，陳建軍研究員為通訊作者。該研究工作得到了國(guó)家自然科學(xué)基金委、科技部、人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、量子物質(zhì)科學(xué)協(xié)同創(chuàng)新中心和極端光學(xué)協(xié)同創(chuàng)新中心等的支持。 圖1. 片上膠體量子點(diǎn)微盤激光器與銀納米線表面等離激元波導(dǎo)的精確、并行、無損集成。

傳統(tǒng)熒光指示劑以有機(jī)染料和量子點(diǎn)晶體等下轉(zhuǎn)換發(fā)光材料為主，而本項(xiàng)目申報(bào)的上轉(zhuǎn)換熒光納米材料是一 種全新的熒光材料。現(xiàn)有基于熒光的成像、檢測(cè)技術(shù)所使用的都是下轉(zhuǎn)換發(fā)光材料，與其相比，上轉(zhuǎn)換熒光材料和技術(shù)有顯著優(yōu)勢(shì)：光學(xué)性能獨(dú)特、背景噪音低、靈敏度高、 光學(xué)穩(wěn)定性好。目前對(duì)此新型材料的關(guān)注越來越多，可在很多領(lǐng)域取代傳統(tǒng)發(fā)光材料設(shè)計(jì)新的產(chǎn)品，具有很大的市場(chǎng)發(fā)展空間。 

產(chǎn)品詳細(xì)介紹FX-GD精密電子天平采用快速靈敏的SHS稱重傳感器,1秒鐘快速穩(wěn)定;體積小巧,滿足各種場(chǎng)合的精密稱重要求。特點(diǎn)：l         小型B5大小，方便自動(dòng)化生產(chǎn)線安裝；l         全數(shù)字校準(zhǔn)功能，可以直接輸入精確校準(zhǔn)砝碼值。減小校準(zhǔn)砝碼本身誤差，讓校準(zhǔn)工作真實(shí)、準(zhǔn)確無誤;l         高清晰熒光顯示，即使陰暗環(huán)境亦可清晰讀數(shù)；l         防潮防塵，環(huán)境適應(yīng)性強(qiáng)，能適應(yīng)各種環(huán)境；l         采用快速靈敏的SHS稱重傳感器快速穩(wěn)定只需一秒：l         多種常用的稱重單位可以在世界各地使用；l         用標(biāo)準(zhǔn)的RS-232C串行接口可以連接到計(jì)算機(jī)輸出GLP數(shù)據(jù)；l         數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)功能可以對(duì)稱重?cái)?shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)計(jì)算，顯示和輸出這些數(shù)據(jù)的總和、最大值、最小值、差值（最大值-最小值）、平均值、標(biāo)準(zhǔn)偏差及變化系數(shù)；l         比較指示，以HI OK LO顯示比較結(jié)果；l         保持功能，可以用于動(dòng)物稱重；l         FX-120 GD /200 GD /300 GD配置小型組合防風(fēng)罩，可做精密稱重；l         下掛鉤，可稱重含磁性的樣品；l         USB接口（FXi-02）、因特網(wǎng)接口（FXi-08）及內(nèi)置電池（FXi-09）為選配件；l         符合GLP、GMP、ISO標(biāo)準(zhǔn)。l          詳細(xì)參數(shù)：