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高性能纖維紙基功能材料制備技術(shù)
本技術(shù)適用于芳綸纖維、高強(qiáng)高模聚乙烯纖維、碳纖維、聚醚醚酮纖維、聚酰亞胺纖維等高性能化學(xué)纖維，采用濕法造紙技術(shù)，制備絕緣紙、摩擦材料等紙基功能材料和蜂窩紙等高強(qiáng)度結(jié)構(gòu)材料等。解決了高性能纖維紙基功能材料生產(chǎn)中的纖維改性、分散、濕法成形和高溫?zé)釅旱汝P(guān)鍵技術(shù)。可提供高性能纖維紙基材料濕法連續(xù)生產(chǎn)線成套技術(shù)，為相關(guān)行業(yè)提供高性能纖維紙基功能材料和結(jié)構(gòu)材料及其復(fù)合材料等高新技術(shù)材料產(chǎn)品。
江南大學(xué)
2021-05-11
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4-哌啶基哌啶的生產(chǎn)技術(shù)
本發(fā)明涉及一種治療腫瘤藥物的新的制備方法。 癌癥是人類健康的大敵，目前的抗癌藥物大都存在著較大的副作用，限制了用藥量， 從而降低了療效。另外，如果患者長(zhǎng)期服用某一種抗腫瘤藥物，腫瘤細(xì)胞就會(huì)產(chǎn)生抗藥 性，抑制了療效的發(fā)揮。4-哌啶基哌啶能夠抑制腫瘤細(xì)胞的繁殖，溶解其他抗腫瘤藥物 的抗體，當(dāng)它與其他抗腫瘤藥物配合使用時(shí)，能夠大大提高它們的抗腫瘤效果。因此， 能夠解決癌癥治療中存在的藥量受限，副作用大，抗藥性等問(wèn)題。同時(shí)，4-哌啶基哌啶 也是合成其他抗腫瘤藥物的一個(gè)非常重要的中間體。因此，4-哌啶基哌啶的制備對(duì)于癌 癥的治療具有重要的意義。 本發(fā)明提供了一種腫瘤治療藥物 4-哌啶基哌啶的全合成制備方法。 本發(fā)明采用廉價(jià)，易得的芐胺和丙烯酸甲酯為起始原料，依次經(jīng)過(guò) 1，4-加成反應(yīng)， 迪克曼（Dieckmann）縮合反應(yīng)，水解脫羧反應(yīng)，1，2-加成反應(yīng)，和氫解反應(yīng)最終制得 本發(fā)明的最終產(chǎn)物 4-哌啶基哌啶。發(fā)明所用的原料來(lái)源廣，供應(yīng)充足，價(jià)格便宜且反應(yīng) 條件溫和易于控制，無(wú)須復(fù)雜的實(shí)驗(yàn)設(shè)備，易于實(shí)際工業(yè)化生產(chǎn)。
同濟(jì)大學(xué)
2021-04-13
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顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料制備技術(shù)
本項(xiàng)目由北京交通大學(xué)機(jī)電學(xué)院材料成型研究室研制成功，用于制備SiC顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料，制備設(shè)備如圖所示。設(shè)備主要由7部分組成：坩鍋、雙攪拌裝置、電阻爐、真空雙攪拌系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)。該設(shè)備可以在大氣、氬氣或氮?dú)庖约罢婵詹煌瑺顟B(tài)下制備復(fù)合材料，不同保護(hù)氣氛下所制備的材料質(zhì)量各不相同。采用雙重?cái)嚢杞Y(jié)構(gòu)，內(nèi)攪拌和外攪拌，即主攪拌和副攪拌。主攪拌桿上安裝螺旋槳葉，螺旋槳葉片上裝有攪拌翅，這種雙重?cái)嚢铏C(jī)構(gòu)在原理上可使渦流作用降到最低程度，可減少熔體吸入氣體量，刮除掛在坩鍋壁上的SiC顆粒，能將顆粒帶入熔體并使其彌散分布，有利于提高復(fù)合質(zhì)量。 40kg復(fù)合材料制備設(shè)備應(yīng)用范圍： 本項(xiàng)目主要用于顆粒增強(qiáng)復(fù)合材料的生產(chǎn)，也可對(duì)其它發(fā)氣量大的材料進(jìn)行脫氣，除雜，制備高質(zhì)量的材料。
北京交通大學(xué)
2021-04-13
科學(xué)院大學(xué).jpg){kind=logo}
新型硅基環(huán)柵納米線MOS?器件
已有樣品/n在主流硅基FinFET集成工藝基礎(chǔ)上，通過(guò)高級(jí)刻蝕技術(shù)形成體硅絕緣硅Fin和高k金屬柵取代柵工藝中選擇腐蝕SiO2相結(jié)合，最終形成全隔離硅基環(huán)柵納米線MOS器件的新方法。并在取代柵中絕緣硅Fin釋放之后，采用氧化和氫氣退火兩種工藝分別將隔離的“多邊形硅Fin”轉(zhuǎn)化成“倒水滴形”和“圓形”兩種納米線結(jié)構(gòu)。
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
陽(yáng)離子基阻變器件電流-保持特性
已有樣品/n通過(guò)石墨烯缺陷工程控制活性電極離子向阻變功能層中注入的路徑尺寸和數(shù)量，集中化/離散化陽(yáng)離子基阻變器件中導(dǎo)電通路的分布來(lái)調(diào)控其穩(wěn)定性,此工作是該領(lǐng)域首次在相同結(jié)構(gòu)阻變器件中實(shí)現(xiàn)電流-保持特性的雙向調(diào)控，這種通用的基于二維材料阻擋概念的離子遷移調(diào)控方法，也能夠移植應(yīng)用到離子電池，離子傳感等研究領(lǐng)域。
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
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陶瓷顆粒增強(qiáng)鋼鐵基表面復(fù)合材料
冶金、電力、建材、化工等行業(yè)存在著大量既具有酸堿腐蝕又具有磨料磨損、或既具有高溫氧化又具有磨料磨損的嚴(yán)酷磨損工況，這些工況下目前常用的不銹鋼或耐熱鋼，其價(jià)格昂貴，只具有較好的抗腐蝕性與抗高溫氧化性，耐磨性很低。本成果則將硬度高，可作為抗磨骨干材料使用的陶瓷顆粒與不銹鋼或耐熱鋼類鋼鐵材料復(fù)合，形成一定厚度的表層復(fù)合材料，可用在工件的某一磨損局部，打破了傳統(tǒng)材
西安交通大學(xué)
2021-01-12
顆粒增強(qiáng)無(wú)機(jī)非金屬基復(fù)合材料
本材料采用無(wú)機(jī)高分子材料與各種高硬度陶瓷顆粒（硬度Hv1800～2800）在常溫復(fù)合固化而成。由于采用與金屬結(jié)合力極強(qiáng)的高分子樹(shù)脂，因此特別適用于對(duì)磨損后部件的修復(fù)。
西安交通大學(xué)
2021-01-12
業(yè)大學(xué).jpg){kind=logo}
制作斜面培養(yǎng)基的可調(diào)式支架
本實(shí)用新型公開(kāi)一種制作斜面培養(yǎng)基的可調(diào)式支架，包括底板以及垂直設(shè)置在底板上的支撐座、限位板和支撐板，底板上還設(shè)置有滑軌，限位板和支撐板可沿所述滑軌左右滑動(dòng)；支撐座上設(shè)置有支撐凹槽，限位板上設(shè)置有限位通孔，支撐板上設(shè)置有卡槽；本實(shí)用新型通過(guò)左右滑動(dòng)支撐板改變?cè)嚬艿膬A斜角度，并通過(guò)滑動(dòng)限位板實(shí)現(xiàn)限位，達(dá)到一架多用的目的，有效保證了培養(yǎng)基在制作過(guò)程中的穩(wěn)定性，且支撐板的高度可設(shè)計(jì)成高度可調(diào)的形式，進(jìn)一步擴(kuò)寬應(yīng)用范圍；另外在底板上設(shè)置有刻度線、凸板上設(shè)置標(biāo)示卡，方便實(shí)驗(yàn)人員進(jìn)行記錄和觀察，操作方便，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，保證了實(shí)驗(yàn)的穩(wěn)定性，具有廣泛的實(shí)用價(jià)值。
青島農(nóng)業(yè)大學(xué)
2021-04-13
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天然高分子基醫(yī)用植物膠囊（產(chǎn)品）
成果簡(jiǎn)介：傳統(tǒng)膠囊囊殼基本由動(dòng)物明膠構(gòu)成，其易失水硬化、吸潮軟化，遇醛類易交聯(lián)，再加上國(guó)際穆斯林、猶太教和素食協(xié)會(huì)等特殊文化人群的抵 制，使植物膠囊成為傳統(tǒng)膠囊優(yōu)選的替代產(chǎn)品。但國(guó)產(chǎn)的植物膠囊骨架材料——羥丙基甲基纖維素(HPMC)性能不達(dá)標(biāo)。本技術(shù)解決了植物膠囊專用醫(yī)藥 級(jí) HPMC 研發(fā)、應(yīng)用，及其膠囊母料復(fù)配技術(shù)與加工成型難題。膠囊的制備 充分利用現(xiàn)有明膠生產(chǎn)設(shè)備與條件，在不改動(dòng)或少改動(dòng)膠囊加工設(shè)備的前提 下，調(diào)整溶液濃度、成型工藝，控制烘干溫度、風(fēng)速、時(shí)間來(lái)調(diào)整膠囊的形狀、厚度及透明度、脫
北京理工大學(xué)
2021-04-14
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發(fā)現(xiàn)高性能AgBiSe2基熱電材料
熱電效應(yīng)（Thermoelectric Effects）提供了一種在熱能和電能之間直接轉(zhuǎn)化的手段，在現(xiàn)今世界能源和環(huán)境問(wèn)題的背景下，熱電效應(yīng)作為一種清潔有效的能源轉(zhuǎn)化方式而受到廣泛關(guān)注。相比于傳統(tǒng)的熱電材料，I?V?VI2 (I=Ag; V=Sb, Bi; and VI=S, Se, Te)型半導(dǎo)體由于本征的極低晶格熱導(dǎo)率而成為具有良好潛力的熱電材料體系。盡管AgSbTe2是其中最為廣泛研究的材料，但是由于其制備需要大量豐度較低的元素碲（Tellurium），且熱穩(wěn)定性較差，因而人們希望用更加廉價(jià)和穩(wěn)定的AgBiSe2來(lái)代替。之前對(duì)于AgBiSe2的研究，主要集中在通過(guò)對(duì)其進(jìn)行元素?fù)诫s優(yōu)化載流子濃度這一方面，而本文指出通過(guò)將AgBiSe2與AgBiS2復(fù)合，使用球磨的方法使兩相完全固溶，可以更進(jìn)一步降低材料的晶格熱導(dǎo)率。結(jié)果顯示，材料的熱導(dǎo)率在773K溫度下，從原本的~0.5 W/mK降低到了0.33 W/mK，成為這個(gè)體系到目前為止報(bào)道的最低的熱導(dǎo)率。結(jié)合電性能用銦摻雜改性，最終，該材料在773K時(shí)的最高ZT值到達(dá)了0.9，與該體系之前取得的最高ZT相近，是本征AgBiSe2的2.5倍左右(如圖所示)。這種運(yùn)用球磨實(shí)現(xiàn)多相固溶以降低晶格熱導(dǎo)率的方法，也為其他體系熱電材料的相關(guān)研究指出了一個(gè)值得嘗試的方向。
南方科技大學(xué)
2021-04-13