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一種二硼化釩粉體的制備方法
（專利號：ZL 201410219036.9） 簡介：本發明公開了一種二硼化釩粉體的制備方法，屬于陶瓷粉體制備技術領域。該制備方法是將摩爾比為3：11的偏釩酸銨和單質硼粉及一定量的熔鹽混合均勻后，在惰性氣體保護下在800～1100℃下熱處理0.5～4h得到二硼化釩粉體。反應產生的副產物三氧化二硼和熔鹽可通過用熱水浸潤溶解的方法去除。本發明方法采用的釩源無毒害，生產工藝簡單，適合批量生產。本發明方法引入的熔融鹽環境加速了固相物質的擴散速度，
安徽工業大學
2021-01-12
一種硼化鈮納米粉體的制備方法
（專利號：ZL 201410219065.5） 簡介：本發明公開了一種硼化鈮納米粉體的制備方法，屬于陶瓷粉體制備技術領域。該方法首先在熔融鹽環境中以單質硼還原五氧化二鈮，然后通過用熱水浸潤溶解熔鹽及反應產生的三氧化二硼得到納米硼化鈮粉體。本發明具有制備工藝簡單，成本低廉、合成溫度低(800～1000℃)，合成時間短(1～4h)，合成粉體純度高，粒徑小等特點。本發明所得到的硼化鈮納米粉體可用于制備超高溫陶瓷、耐磨材料和超導材料。
安徽工業大學
2021-01-12
一種納米級碳化釩粉末的制備方法
本發明提供了一種納米級碳化釩粉末的制備方法。其特征是:以粉狀釩酸銨、碳質還原劑和微量稀土等催化劑為原料,按一定配比將它們溶于去離子水或蒸餾水中,并攪拌均勻,制得溶液。然后將該溶液加熱、干燥,最后得到含有釩源和碳源的前驅體粉末。將前驅體粉末置于高溫反應爐中,真空或氣氛保護條件下,于800～950℃、30～60min條件下碳化得到平均粒徑<100nm,粒度分布均勻的碳化釩粉末。本方法具有反應溫度低、反應時間短、生產成本低、工藝簡單等特點,適合工業化生產納米級碳化釩粉末。
四川大學
2021-04-11
新型多層結構碳化硅光電導開關及其制備方法
（專利號：ZL 201310038265.6） 簡介：本發明公開一種新型多層結構碳化硅光電導開關及其制備方法，屬于寬禁帶半導體技術領域。它包括襯底，所述的襯底由釩摻雜形成的半絕緣碳化硅晶片或本征碳化硅晶片構成，在所述襯底的硅面上有一層導電類型的第一摻雜層，摻雜類型為N型；所述襯底的碳面上有兩層導電類型的摻雜層，從內到外依次為：第二摻雜層和第三摻雜層，所述的第二摻雜層摻雜類型為P型，所述第三摻雜層摻雜類型為N型；所述硅面一側設置有開關的陽極
安徽工業大學
2021-01-12
一種六方氮化硼粉體及其制備方法
小試階段/n本發明解決六方氮化硼制備工藝復雜、生產周期長原料毒性大和不易規模化生產的技術問題。本發明具有生產周期短、工藝簡單、適宜工業化規模生產的特點，所制備的六方氮化硼粉體純度和結晶度顯著高于現有方法制備的六方氮化硼粉體。本發明處于待轉化階段，應用范圍廣闊，市場前景可觀，預期經濟效益優異。
武漢科技大學
2021-01-12
油菜硼高效利用機制與硼肥優化施用技術研究應用
研發階段/n本技術根據當前推廣油菜高產優質品種的需硼規律，通過湖北省油菜主產區土壤有效硼現狀的調查，以及油菜施硼效果的大田和示范，修訂了當前油菜種植中土壤有效硼和植株硼營養豐缺的診斷指標，制定了《油菜硼肥施用技術規范》。該規范概括為"測土定肥、依產調肥、因勢補肥"12個字。主要表現在：在油菜整地之前，測定土壤有效硼及其他有效養分的含量，以此為主要指標，根據土壤有效硼的等級所對應的硼肥推薦量，確定硼肥施用量、施用環節和方式。然后根據產量目標和品質需硼特性調整硼肥用量，并根據土壤氮磷鉀等肥力狀況，制定硼
華中農業大學
2021-01-12
基于石墨烯、氮化硼等二維材料的防腐應用
已有樣品/n石墨烯由于其獨特的二維納米結構，且具有高強度、高熱穩定性、高化學穩定性以及優良的導熱性等特性，在防腐涂料領域具有廣闊的應用前景。石墨烯、氮化硼等二維材料由于其特殊的結構使其具有不透過性，作為金屬基底與腐蝕環境的阻隔層而保護基底不被自然環境所腐蝕。通過化學氣相沉積法及塊體剝離法可分別制備直接生長于金屬表面的大面積石墨烯、氮化硼薄膜，或粉狀的石墨烯、氮化硼納米片。通過化學氣相沉淀法，二維材料可以在任意形狀的金屬基底的所有暴露面上生長，實現對金屬表面的全面保護。市場預期：該技術可應用于精細元器
中國科學院大學
2021-01-12
一種硼吸附劑的制備方法及其產品和應用
本發明涉及一種硼吸附劑的制備方法，包括如下步驟：1)分別配制單寧酸溶液和腐殖酸溶液，混合單寧酸溶液和腐殖酸溶液，得到混合溶液；2)調節步驟1)中混合溶液的PH至6～8，避光反應，得到海綿狀絮體溶液；3)將步驟2)中得到的海綿狀絮體溶液進行分離，冷凍干燥，研磨得到硼吸附劑。本發明還涉及上述方法制備得到的硼吸附劑及其應用，制備方法簡單，無污染，所得硼吸附劑抗干擾性能強，且應用簡單。
浙江大學
2021-04-13
寬禁帶半導體碳化硅電力電子器件技術
寬禁帶半導體碳化硅(SiC)材料是第三代半導體的典型代表之一，具有寬帶隙、高飽和電子漂移速度、高臨界擊穿電場、高熱導率等突出優點，能滿足下一代電力電子裝備對功率器件更大功率、更小體積和更惡劣條件下工作的要求，正逐步應用于混合動力車輛、電動汽車、太陽能發電、列車牽引設備、高壓直流輸電設備以及艦艇、飛機等軍事設備的功率電子系統領域。與傳統硅功率器件相比，目前已實用化的SiC功率模塊可降低功耗50%以上，從而減少甚至取消冷卻系統，大幅度降低系統體積和重量，因此SiC功率器件也被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源”器件。 本團隊在SiC功率器件擊穿機理、SiC功率器件結終端技術、SiC新型器件結構、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設計與研制方案。目前基于國內工藝平臺制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶體管（圖1，有源區面積0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二極管（圖2）；擊穿電壓>5000V的SiC JBS二極管（圖3）。 a b c 圖1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圓照片(b)正向IV測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圓照片(b)正向導通測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖3 5kV SiC JBS器件：(a)顯微照片(b)正向導通測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線
電子科技大學
2021-04-10
寬禁帶半導體碳化硅電力電子器件技術
本團隊在SiC功率器件擊穿機理、SiC功率器件結終端技術、SiC新型器件結構、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設計與研制方案。
電子科技大學
2021-04-10