|
搜索
搜 索
高等教育領域數字化綜合服務平臺
通訊波段碳化硅色心的室溫自旋操控
郭光燦院士團隊的李傳鋒、許金時、王俊峰等人與其合作者在國際上首次實現了碳化硅中氮-空位（NV）色心的室溫相干操縱，并且實現了單個NV色心的可控制備和光探測磁共振譜的探測。這種色心的發光波長在通訊波段，在量子通信和量子網絡中具有重要用途，基于這種色心自旋的量子器件十分適合光電集成以及產業化。該成果于2
中國科學技術大學
2021-01-12
碳化硅襯底晶片
碳化硅襯底晶片及其功率器件● 襯底晶片應用：高端照明、SiC外延片、GaN外延片、PSS襯底等● 新能源汽車應用：電動汽車電驅系統功率器件、充電樁功率器件等● 軍工應用：機載雷達通訊設備功率器件、微波通訊大功率器件等● 超高速集成電路：RFIC（射頻集成電路）、SOS 芯片、光通訊芯片、5G 技術等
青島嘉星晶電科技有限公司
2021-08-30
冶煉碳化硅的多芯爐及其生產碳化硅的方法
碳化硅的工業生產，國內外一直沿用 100 多年前 Acheson 發明的單爐芯技術，該法能耗高、產品品質差、環境污染大、生產不安全、單爐產量小，因而生產效率低，產品市場競爭力差。高品質 SiC 新材料市場奇缺，嚴重制約了其在諸多高新技術領域的應用。 1995 年以來，課題組對以往國內外 SiC 生產爐的結構、生產技術和工藝進行了全面深入的調查、經多年潛心研究，創立了多熱源多向流合成碳化硅理論體系，發明了 “ 冶煉碳化硅的多爐芯爐及其生產碳化硅的方法 ” 新技術。該技術獲國家發明專利授權 1 項，獲西安市科技進步一等獎、陜西省科技進步三等獎以及陜西省職工優秀發明創新成果金獎。已在國內陜西、青海、寧夏、新疆、福建等地建成生產線 10 余條，占據我國 SiC 產能的 1/4 ，創產值 30 億余元，有力地推動了行業技術進步。
西安科技大學
2021-04-11
金剛砂（綠碳化硅）
產品應用：半導體硅片和藍寶石晶體的線切割光學濾波片、石英鏡片的粗研磨工藝優勢：我們提供的每一種研磨粉/砂都是經過嚴格的粒徑控制和專業的加工工藝，在高切削力條件下保證加工表面具有較好的研磨效果，具有粒度均勻、純度高、可根據客戶個性要求單獨提供高精度微粉。碳化硅線切割產品特點：1、高純度、大結晶的碳化硅原材料，保證了碳化硅切割微粉的優良切割性能和穩定的物理狀態；2、粒度形狀為等積且刃鋒，保證了碳化硅微粉作為切割刃料的均衡性，從而保證被切割材料TTV的最小化；3、粒度分布集中并且均勻；4、有高熱震穩定性和荷重軟化溫度，確保了在荷重切割時小線膨脹系數，保證切割的穩定,并且同切割機有很好的適配性；5、表面經過特殊處理，微粉具備大比表面積和清潔外表，與聚乙二醇等切削液有很好的適配性。碳化硅精磨產品特點：1、嚴格的粒度控制，降低了碳化硅微粒精磨過程的劃痕。2、按照歐洲標準和日本標準檢測，保證了產品的穩定供應。
山東麥豐新材料科技股份有限公司
2021-09-01
碳纖維增強碳化硅陶瓷基復合材料
碳纖維增強碳化硅陶瓷基復合材料耐腐蝕、耐高溫、耐磨損、韌性高，能夠廣泛用于能源、交通、化工等領域的關鍵部件，比如摩擦制動材料、耐化學腐蝕葉片等。
東南大學
2025-02-08
碳化硅紫外光電探測器
現今，高響應度光電倍增管(PMT)為最廣泛應用于微弱紫外信號的探測器，然而由于其體積大、易損壞、需要高精度高壓電源、無法實現陣列探測和價格高等因素的制約，研制碳化硅紫外雪崩光電探測器取代光電倍增管已經成為近年來國際上光電探測領域的研究熱點。與光電倍增管相比，碳化硅紫外光電探測器具有體積小、可制作焦平面陣列探測、結構簡單、可在室溫下工作、成本低等優點。隨著碳化硅材料和其器件制備技術的不斷發展，其紫外光電探測器性能指標有望達到甚至超過光電倍增管。本研究小組已就肖特基勢
廈門大學
2021-01-12
碳化硅材料外延關鍵技術研究
小試階段/n本項目研究的碳化硅外延技術有其特殊性，不同于一般的半導體外延技術， SiC 外延生長技術在生長溫度、生長速率、缺陷和均勻性控制的具體指標要求以及實現 途徑上都突出了電力系統應用的特點。目前，國際上已經形成了從碳化硅襯底材料、 外延材料到器件制備的一整套產業體系。高質量 SiC 外延材料是 SiC 功率器件的基 礎材料，目前的國內外電力電子器件需要的碳化硅外延材料的發展趨勢都是向大直 徑、低缺陷、高度均勻性等方向發展。 目前，幾乎所有的碳化硅器件都是在碳化硅外延層上制備的。高質量的碳化硅
中國科學院大學
2021-01-12
一種碳化硅納米線的制備方法
本發明涉及一種碳化硅納米線的制備方法領域。本發明所述的碳化硅納米線的制備 方法如下：將不含氧的碳硅烷置于剛玉坩堝或剛玉舟內，將剛玉坩堝或剛玉舟放在耐高 溫板上面，然后把耐高溫板推入高溫爐，排出爐內氧氣，并以 6－15sccm 的速率通入惰 性氣體保護，以 5－15℃/min 的速度將爐溫升到 1000－1100℃，保溫 1－3 小時后自然 降到室溫。由本發明所述的碳化硅納米線的制備方法所得產物均為碳化硅納米線，長度 比現有的方法制備的碳化硅納米線提高了 2 個量級，且制備方法簡單，原料便宜易得， 設備要求簡化，成本低。
同濟大學
2021-04-11
碳化硅納米粉體分離分級方法與技術
項目成果/簡介:創新了一種納米顆粒的分離方法并實現了一種分離裝置，其原理類似于麥克斯韋速率分布律的驗證方法及其實現裝置的原理，可將不同粒徑的納米顆粒收集到不同的位置，達到分離和分級的目的。技術方面涉及不同粒徑（質量）納米顆粒的荷電狀態、在電場中的運動速度（及其分布）、給料時間間隔、顆粒落點以及收集周期等多種因素的復雜作用及其之間的優化匹配與控制。納米顆粒是指直徑小于 100nm 的顆粒。與傳統分離方法相比，本方法和技術不受被分離的納米顆粒尺寸的限制，分離量可自行調節，分離效果好，可使分離效率大幅提高。應用范圍:本項目采用的方法和技術不是用于納米顆粒的制備，而是將已有的不同粒徑納米顆粒的混料進行分離和分級。效益分析:可用于具有納米顆粒分離、分級需求的廣泛場合，如電子器件、集成電路制膜的原料準備和光學、電子、醫療等精密部件的磨料準備，應用潛力巨大。知識產權類型:發明專利知識產權編號:ZL201610401673.7技術先進程度:達到國內先進水平成果獲得方式:與企業合作獲得政府支持情況:無
蘭州大學
2021-04-10
碳化硅納米粉體分離分級方法與技術
創新了一種納米顆粒的分離方法并實現了一種分離裝置，其原理類似于麥克斯韋速率分布律的驗證方法及其實現裝置的原理，可將不同粒徑的納米顆粒收集到不同的位置，達到分離和分級的目的。技術方面涉及不同粒徑（質量）納米顆粒的荷電狀態、在電場中的運動速度（及其分布）、給料時間間隔、顆粒落點以及收集周期等多種因素的復雜作用及其之間的優化匹配與控制。納米顆粒是指直徑小于 100nm 的顆粒。與傳統分離方法相比，本方法和技術不受被分離的納米顆粒尺寸的限制，分離量可自行調節，分離效果好，可使分離效率大幅提高。
蘭州大學
2021-05-11