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具有碲鉬多層復合薄膜的碲化鎘太陽電池
具有碲鉬多層復合薄膜的碲化鎘太陽電池，屬于新能源材料與器件領域。這種太陽電池采用一種碲鉬多層復合薄膜作為碲化鎘太陽電池的無銅過渡層。一方面，由于過渡層具有碲的析出相，因此在碲化鎘退火后，無需采用濕法工藝獲得富碲層。如果采用干法工藝，也無需單獨沉積一碲層。另一方面，過渡層具有碲化鉬的主相，作為p型半導體，與碲化鎘價帶不連續很小，可起到很好的過渡作用，實現碲化鎘與金屬電極間的歐姆接觸。采用上述結構的太陽電池，避免了化學腐蝕，實現了低電阻接觸，可有效提高太陽電池的性能和改善器件的長效穩定性。
四川大學
2016-10-25
碲化鎘薄膜太陽電池的產業化制造技術
本成果包含如下內容：高轉換效率的小面積碲化鎘太陽電池制造技術，面積為1200mm×600mm 的碲化鎘太陽電池組件規模化生產技術，年產30-50MW碲化鎘太陽電池生產線及關鍵設備的設計。 主要技術指標： 組件效率超過12%。 應用范圍： 用于太陽能直接發電，建立大規模光伏電站或小型戶用光伏發電系統。國家扶持光伏發電系統的建設，每年新建在10GW以上。由于是薄膜太陽電池，出口不會受到限制。 項目目前已進入產業化階段，成果權屬為我校獨自擁有。
四川大學
2021-04-11
一種柔性碲化鎘薄膜太陽電池制造方法
一種柔性碲化鎘薄膜太陽電池結構，本項發明所屬領域為新型 能源。為了降低碲化鎘太陽電池的成本，擴大電池的應用范圍，柔性 碲化鎘太陽電池將是未來發展方向之一。柔性碲化鎘電池面臨的難題 之一是如何解決金屬背電極與碲化鎘薄膜歐姆接觸，即尋找一種材 料，加入到金屬電極與碲化鎘薄膜之間，有利于p載流子傳輸。本發 明是采用石墨烯作為碲化鎘層與金屬電極層的過渡層，充分利用石墨 烯載流子傳輸速度高、力學性能好的特點。將結晶石墨進行化學清洗， 用帶膠的聚酰亞胺薄膜剝離石墨，使得一層石墨烯粘附于聚酰亞氨表 面。在此基礎上再濺射沉積碲化鎘，惰性氣體保護下CdCl2退火，濺 射沉積硫化鎘和ITO薄膜。制作出的柔性碲化鎘薄膜電池具有重量 輕、成本低的優點。
四川大學
2021-04-11
碲化鉛薄膜和納米粉體的同步制備方法
該項目為制備碲化鉛薄膜與納米顆粒的新工藝。目前，PbTe薄膜通常采用真空蒸鍍、 激光閃蒸、磁控濺射等物理方法制備，這些方法采用昂貴的鍍膜設備，成本較高；電化 學方法沉積PbTe薄膜成本相對較低，但缺點在于必須使用導電基片，適用范圍較窄。PbTe 納米顆粒大多采用水熱法或溶劑熱法、電化學法、乳液法等方法合成，這些方法在合成 過程中或者涉及了高壓設備，或者采用了復雜的儀器和涉及冗長的工藝，或者由于引入 大量有機物給后處理及環境保護帶來難題。 本項目提出以堿性水溶液作為溶劑，以成本低廉的含鉛無機鹽和碲化物或亞碲酸鹽 作為反應物，在常壓、室溫至 50o C 同步合成 PbTe 薄膜和納米顆粒，制備的薄膜平整致 密且對基片無特殊要求，納米顆粒尺度均一且可隨溫度調節。與其他現有的 PbTe 薄膜 與納米粉體制備方法相比，該方法簡單易行，性價比高，幾乎無能耗，反應介質為容易 凈化處理的水溶液，利于環保。
同濟大學
2021-04-11
碲化鉛薄膜和納米粉體的同步制備方法
本發明屬于碲化鉛（PbTe）薄膜和納米粉體的制備方法領域。本發明公開了一種 PbTe 薄膜和納米粉體的低溫水溶液同步合成方法，該方法以含鉛的無機鹽與二氧化碲或亞碲 酸鈉為原料，以硼氫化鉀或硼氫化鈉為還原劑，在室溫至 50 o C 堿性水溶液下同時合成 PbTe 薄膜和納米粉末。本發明首次在低于 100 o C 且常壓下合成 PbTe 薄膜與納米粉體， 制備的薄膜平整、致密、均勻；粉末產物粒徑小，粒度分布均勻，并可通過控制反應溫 度來控制粒徑大小。整個工藝使用的原料便宜易得，工藝簡單，容易實現規模化生產， 同時反應過程中避免使用有機溶劑，有利于環保。合成的 PbTe 薄膜和納米粉體可廣泛 應用于熱電器件、太陽能電池、熒光器件、紅外光學元件、紅外薄膜器件和半導體探測 器等，應用前景廣闊。
同濟大學
2021-04-11
超薄石墨片作襯底的碲化鎘太陽電池
超薄石墨片作襯底的碲化鎘太陽電池，屬于新能源材料與器件領域。本發明 采用柔性超薄石墨片作為襯底材料，在石墨片上濺射一層銅，進行熱處理。銅 擴散進入石墨形成摻銅石墨片。在摻銅石墨片上沉積一層碲，再沉積碲化鎘并 進行退火處理。在碲化鎘的沉積及退火處理過程中，在石墨片和碲化鎘之間形 成重摻雜的CuxTe層而實現柔性石墨襯底與碲化鎘之間的歐姆接觸。然后依次 沉積硫化鎘、透明導電薄膜和柵狀鋁電極獲得柔性碲化鎘薄膜太陽電池。本發 明解決了制備高效柔性碲化鎘電池所需的較高工藝溫度與常規柔性襯底耐受溫 度低的矛盾。
四川大學
2021-04-11
一種碲化鎘粉末的高溫液相合成方法
本發明公開了一種碲化鎘粉末的高溫液相合成方法，將鎘塊和碲塊，按摩爾比1:1分別裝入到“Y”形管的A,B兩端，并將“Y”形石英管水平放入三段加熱的開合式“Y”形爐膛中；然后對石英管抽真空至1×10-3Pa～1×10-4Pa，并對“Y”形石英管的A,B,C三段分別加熱到？350-400℃，480-600℃和600-1100℃，保溫至試驗完成。當碲和鎘熔化成液體后，通過支架8將三段加熱的開合式爐垂直放置，然后關閉真空閥門1和2，打開通氣閥3、4和放氣閥5，并通入0.01-1MpaAr氣，使碲和鎘液體分別從6和7噴口噴出霧化，碲和鎘的霧化液滴接觸即可合成的高純碲化鎘粉末，并散落于“Y”形石英管的C端底部。霧化完成后，停止加熱，冷卻至室溫，打開C端封頭9，即可收集高純碲化鎘粉末。
四川大學
2021-04-11
銻化銦（InSb）薄膜型霍爾元件
項目簡介： 銻化銦薄膜型霍爾元件主要用于直流無刷電機，大量應用于電腦 的電源風扇，CPU 風扇，打印機，電動自行車等所用的微型直流無刷 馬達。具有靈敏度高，使用壽命長，可靠性高，體積小，重量輕，功 耗小，頻率高，耐震動，耐灰塵、油污、水汽和鹽霧等各種污染或腐 蝕的優點。 項目特色： 制備溫度低，能源消耗低，環境污染極小，易于大規模生產，制 造成本低，投資小的優點。
南開大學
2021-04-11
銻化銦（InSb）薄膜型霍爾元件
項目成果/簡介:銻化銦薄膜型霍爾元件主要用于直流無刷電機，大量應用于電腦的電源風扇，CPU 風扇，打印機，電動自行車等所用的微型直流無刷馬達。具有靈敏度高，使用壽命長，可靠性高，體積小，重量輕，功耗小，頻率高，耐震動，耐灰塵、油污、水汽和鹽霧等各種污染或腐蝕的優點。應用范圍:目前只有日本旭化成和韓國三星可以生產薄膜型銻化銦霍爾元件芯片，國內無芯片生產技術。國內市場約 50 億人民幣，具有市場廣，競爭少的優點。 南開大學開發的芯片制造技術，原材料成本便宜 30%左右，具有很強的市場競爭力和投資價值。效益分析:制備溫度低，能源消耗低，環境污染極小，易于大規模生產，制造成本低，投資小的優點。
南開大學
2021-04-11
銻化銦（InSb）薄膜型霍爾元件
銻化銦薄膜型霍爾元件主要用于直流無刷電機，大量應用于電腦的電源風扇，CPU 風扇，打印機，電動自行車等所用的微型直流無刷馬達。具有靈敏度高，使用壽命長，可靠性高，體積小，重量輕，功耗小，頻率高，耐震動，耐灰塵、油污、水汽和鹽霧等各種污染或腐蝕的優點。
南開大學
2021-02-01