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       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。       DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點(diǎn)： ※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；  ※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度； ※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640 ※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%； ※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達(dá)：75V； ※ 損壞前電流高達(dá)：長時(shí)間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用； ※ 磁場(chǎng)影響：不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用。 ???????

本發(fā)明公開了一種大流量插裝式三位四通電液伺服閥，包括控 制單元和四個(gè)插裝式二通伺服閥；控制單元的四個(gè)信號(hào)輸出口分別與 四個(gè)插裝式二通伺服閥的控制信號(hào)輸入口連接；控制單元的四個(gè)信號(hào) 輸入口分別與四個(gè)插裝式二通伺服閥的閥芯位移信號(hào)輸出口連接；四 個(gè)插裝式二通伺服閥兩兩串聯(lián)，一個(gè)閥的出油口與另一個(gè)閥的進(jìn)油口 相連接，形成兩組串聯(lián)雙閥；兩組串聯(lián)雙閥的出油口均用于與油箱相 連接，兩組串聯(lián)雙閥的進(jìn)油口均用于與液壓油源相連接；相當(dāng)于兩組 串聯(lián)雙閥并聯(lián)，構(gòu)成橋式回路，形成具有三位四通功能的大流量插裝 式電液伺服閥；

一種獨(dú)特的仿生礦化刻蝕法，合成釕原子單分散的介孔單晶TiO 2 ，析氫性能極其優(yōu)異。高分辨透射電子顯微鏡與元素面掃描測(cè)試結(jié)果表明，單個(gè)釕原子的均勻分散在具有介孔結(jié)構(gòu)的TiO 2 晶體中。結(jié)合X射線光電子能譜與電子順磁共振測(cè)試結(jié)果，首次證實(shí)，釕表現(xiàn)出異常的+5高價(jià)態(tài)而非+4價(jià)，而晶格中的部分鈦原子接收來自釕的電子形成Ti 3+ 。在0.1 M KOH電解液中，Ru-TiO 2 的起始過電勢(shì)僅為82 mV，通過鋁還原調(diào)節(jié)樣品的電子結(jié)構(gòu)，其析氫性能得到了進(jìn)一步的加強(qiáng)，起始過電勢(shì)降低至45 mV，10 mA/cm 2 的電流密度下過電勢(shì)僅為150 mV。通過第一性原理的密度泛函計(jì)算證明，Ru 5+ 與Ti 3+ 協(xié)同作用降低了氫吸附能，使得其與氫吸附火山頂更為接近，從而獲得優(yōu)異的電化學(xué)析氫性能。

本發(fā)明提供一種基于石墨烯/介孔碳納米復(fù)合材料生物傳感器及其制備方法。本發(fā)明包括采用水熱合 成法制備石墨烯/介孔碳納米復(fù)合材料，將其作為吸附酶固載材料；采用生物傳感及電化學(xué)原理，通過將 絲網(wǎng)和噴墨印刷相結(jié)合的方法制作檢測(cè)試紙，絲網(wǎng)印刷用于印制導(dǎo)電線路，采用非接觸的噴涂方式將敏 感生物元件噴印到電極支持物上，其中噴涂材料的噴涂量和噴涂面積可以控制。納米復(fù)合載體材料是在 石墨烯片層的兩面生長介孔碳，制成石墨烯/介孔碳復(fù)合材料，將其作為載體固載酶，與生

本發(fā)明公開了一種在硅基質(zhì)表面制備油水浸潤性光控可逆SiO2/TiO2復(fù)合涂層的方法，將硫酸洗液清洗過的硅基質(zhì)樣品浸入到SiO2凝膠中，以14厘米/分鐘速度勻速提拉出液面，使玻璃表面覆蓋均勻的SiO2涂層，220℃煅燒涂層，得到的覆蓋SiO2涂層的樣品浸入到TiO2凝膠中，以14厘米/分鐘速度勻速提拉出液面，并在500℃煅燒涂層。最后經(jīng)氟硅烷溶液浸泡進(jìn)行涂層表面改性得到光控油水浸潤性可逆轉(zhuǎn)換的SiO2/TiO2復(fù)合涂層。本發(fā)明和以往制備親疏水親疏油可逆轉(zhuǎn)換材料的方法相比，方法簡(jiǎn)便，耗時(shí)少，不需要特殊儀器。涂層呈現(xiàn)納米TiO2微球包裹微米SiO2微球的類荷葉表面結(jié)構(gòu)，在工程領(lǐng)域中具有良好的應(yīng)用前景。

（專利號(hào)：ZL 201410081879.7） 簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開一種超級(jí)電容器用三維中孔納米籠狀碳材料的一步法制備方法，屬于碳材料制備技術(shù)領(lǐng)域。該方法是以有機(jī)金屬配位化合物為碳源和模板，氫氧化鉀為活化劑，兩者研磨混合后轉(zhuǎn)移至陶瓷坩堝中，采用微波加熱制得超級(jí)電容器用三維中孔納米籠狀碳材料。所得三維中孔納米籠狀碳材料的比表面積介于1041～1595m2/g之間，總孔孔容介于0.79～1.52cm3/g之間，平均孔徑介于3.05～4.88nm之

（專利號(hào)：ZL 201410468864.6） 簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開了一種酸化介孔SiO2膠體球催化劑的制備方法，屬于化學(xué)催化劑制備領(lǐng)域。該催化劑制備方法如下：首先，在室溫下使CTAB與磷鉬酸在溶劑無水乙醇中反應(yīng)，兩者混合后立刻產(chǎn)生沉淀，過濾，干燥，得到表面活性劑M-6，將M-6分散到具有一定比例的乙醇/水的混合體系中，加入TEOS，使其在堿性條件下水解，過濾，干燥，煅燒得到介孔SiO2膠體球，最后再用酸處理，便得到酸化介孔SiO2膠體球催化

本發(fā)明提供了一株樺褐孔菌QD04及其轉(zhuǎn)化虎杖生成白藜蘆醇、三萜皂苷和多糖的方法，所述樺褐孔菌QD04保存于中國典型培養(yǎng)物保藏中心，編號(hào)為CCTCC?M?2015036，本發(fā)明利用藥用真菌QD04將植物中的白藜蘆醇苷轉(zhuǎn)化為白藜蘆醇，大大提高了其白藜蘆醇的收率，工藝簡(jiǎn)單，重復(fù)性好；菌體能夠利用虎杖合成自身活性物質(zhì)三萜皂苷和多糖；發(fā)酵產(chǎn)物樺褐孔菌菌絲體含有豐富的人體必需氨基酸，具有較高的營養(yǎng)價(jià)值；一次發(fā)酵過程同時(shí)獲得白藜蘆醇、三萜皂苷、多糖和樺褐孔菌菌絲體4種產(chǎn)品，生產(chǎn)過程附加值高；所述樺褐孔菌能夠更加徹底地水解虎杖纖維素，使虎杖生物質(zhì)資源得到充分利用，減少了資源浪費(fèi)和環(huán)境污染。

       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。       DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點(diǎn)： ※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；  ※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度； ※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640 ※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%； ※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達(dá)：75V； ※ 損壞前電流高達(dá)：長時(shí)間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用； ※ 磁場(chǎng)影響：不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用。 ???????