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本實用新型公開了一種基于釜底壓力測量的多相攪拌釜攪拌器氣泛轉速測量裝置。包括釜體以及置于釜體內的擋板、攪拌器和氣體分布器，釜體內壁設有擋板，釜體內的攪拌器經轉速測量儀和電機的輸出軸連接，電機與控制柜連接；釜體底部安裝有壓力變送器，攪拌器正下方的釜體內設有氣體分布器，空氣壓縮機依次經穩壓閥、轉子流量計和開關閥后與氣體分布器連接，壓力變送器和數字顯示儀表連接。本實用新型裝置使得測量條件降低低，不受外界因素干擾，能適應各種惡劣的測量環境，測量誤差小，具有較好的適應性。

本發明公開了一種通過自底向上填充實現通孔互聯的方法，包括：（a）在基片的一個表面上加工制得盲孔；（b）在加工盲孔的基片表面上依次生長絕緣層、阻擋層和種子層；（c）向種子層表面上涂布光刻膠并填平盲孔，然后執行曝光及顯影處理，以使光刻膠僅在盲孔底部的種子層表面上殘留；（d）去除未覆蓋光刻膠的種子層，而盲孔底部的種子層不受影響；（e）去除殘留的光刻膠；（f）向盲孔中填充導電材料完成自底向上的生長；（g）減薄基片未加工盲孔的表面形成通孔，由此完成通孔互聯過程。本發明還公開了相應的通孔互聯結構產品。通過本發明

研究背景 芯片是人類最偉大的發明之一，也是現代電子信息產業的基礎和核心。小到手機、電腦、數碼相機，大到6G、物聯網、云計算均基于芯片技術的不斷突破。半導體光刻工藝水平的發展是以芯片為核心的電子信息產業的基石，目前半導體光刻的制造工藝幾乎是摩爾定律的物理極限。隨著制造工藝的越來越小，芯片內晶體管單元已經接近分子尺度，半導體制作工藝的“瓶頸效應”越來越明顯。隨著全球化以及科技的高速發展，急劇增長的龐大數據量要求數據處理模型和算法結構不斷優化升級，帶來的結果就是對計算能力和系統功耗的要求不斷提高。而目前智能電子設備大多存在傳輸瓶頸、功耗增加以及計算力瓶頸等現象，已越來越難以滿足大數據時代對計算力與功耗的需求，因此提高運算速度同時降低運算功耗是目前信息工業界面臨的緊要問題。 如當年集成電路開創信息時代一樣，當下已經普及的光通信正在成為新革命力量的開路先鋒。與此同時，光子芯片正在從分立式器件向集成光路演進，光子芯片向小型化、集成化的發展趨勢已是必然。相對于電子驅動的集成電路，光子芯片有超高速率，超低功耗等特點，利用光信號進行數據獲取、傳輸、計算、存儲和顯示的光子芯片，具有非常廣闊的發展空間和巨大的潛能。 項目功能 本項目瞄準光通信關鍵技術及核心芯片，基于量子阱二極管發光探測共存現象，探索關鍵微納制造技術，研制出可以同時實現通信、感知功能的一體化光電子芯片。 技術路線 一、技術原理及可行性 本項目主要負責人王永進教授發現如圖1所示的量子阱二極管發光探測共存現象，首次研制出同質集成發射、傳輸、調制和接收器件的光電子芯片，這些原創工作引起了業界相關科研小組地廣泛關注，化合物半導體同質集成光電子芯片成為研究熱點。香港大學的蔡凱威小組和申請人合作提出濕法刻蝕和激光選擇性剝離技術，在藍寶石氮化物晶圓上實現LED基同質集成光電子芯片(Optica 5, 564-569 (2018))。沙特阿卜杜拉國王科技大學Ooi教授和美國加州大學圣巴巴拉分校Nakamura教授小組在藍寶石氮化物晶圓上，研制出基于氮化物激光器的同質集成光電子芯片(Opt. Express 26, A219(2018))。中科院蘇州納米所孫錢小組在硅襯底氮化物晶圓上，研制出基于氮化物激光器的同質集成光電子芯片(IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 24, 8200305 (2018))。在NRZ-OOK調制方式下，InGaN/GaN量子阱二極管可實現Gbps的光發射、調制和探測速率(Appl. Phys. Express 13, 014001 (2020))。這些工作表明研發基于光子傳輸的化合物半導體同質集成光電子芯片以實現片上光子通信是可行的。   二、總體結構設計及工藝流程 本項目提出的同時通信/感知一體化光電子芯片基于常規的藍寶石襯底氮化鎵基多量子阱LED外延片進行設計，無需特殊定制的外延結構。以典型的2寸氮化鎵基藍光LED外延片為例，其外延片結構如圖2所示，從下至上依次為藍寶石襯底、AlGaN緩沖層、未摻雜GaN層、N型GaN層、InGaN/GaN多量子阱層和P型GaN層，通過調節InGaN/GaN多量子阱層的參數（層厚度與In的比例等等）可制備具有不同中心波長的光源器件。   圖3為本項目所提出的同時通信/感知一體化光電子芯片結構。在藍寶石襯底的氮化物晶圓上通過刻蝕和沉積等一系列晶圓級微納加工技術，制備出單片集成的InGaN/GaN多量子阱LED和PD。光子芯片的P、N電極可以采用倒裝技術直接與基板相連，光線從透明的藍寶石襯底發出，這樣不僅使得器件具有優良的電性能和熱特性而且簡化了其后期的封裝工藝。 三、技術創新優勢 1、同一塊晶圓上集成LED和PD使得兩者間距離大大縮短，不僅有助于增強PD對藍寶石表面反射光線的耦合，提升感知系統性能，而且縮小了器件整體外形，符合集成電子器件小型化、便攜化的發展趨勢； 2、單片集成的LED和PD器件相比于傳統異質的、分立的LED和PD簡化了封裝形式和工藝，不再需要對LED和PD進行單獨的封裝，而且同質集成器件的基板也較異質結構的簡單統一，極大地縮短了集成系統的制作周期； 3、同時通信/感知一體化光電子芯片采用相同的工藝就可以制作出LED和PD，簡化了生長異質材料的復雜性，縮短了器件流片的周期，使用同一工藝就可將LED和PD進行批量生產，有效地降低了生產成本。 四、實驗驗證 本項目團隊所在的Peter Grünberg研究中心擁有完整的LED器件制備、光電性能測試與電學性能測試平臺，并且項目成員積累了豐富的測試技術與經驗，能夠滿足本項目的同時通信/感知一體化光電子芯片測試同時表征光電參數與電學參數的需求。下圖4所示為器件形貌表征圖，從左邊依次是掃描電鏡圖、光鏡圖、原子力顯微鏡圖。   基于通信感知一體化芯片，本項目利用單個多功能集成器件成功實現了對人體脈搏的監測功能，如圖5所示。   另外基于通信感知一體化氮化鎵光電子芯片，我們還實現了照明、成像和探測功能為一體的LED陣列系統，如圖6所示。該系統可以在點亮照明的同時，實現對外界光信號的探測與感知，通過后端系統處理后，再將信息通過陣列顯示出來，實現多種功能的集成。 項目負責人王永進教授是國家自然基金委優秀青年項目、國家973項目獲得者，他以第一或通訊作者身份在Light-Sci Appl.等主流學術期刊發表一系列高質量研究論文，獲授權中國發明專利23項，美國發明專利2項，被National Science Review、Semiconductor Today等做9次專題報道，榮獲2019年中國電子學會科學技術獎（自然科學）、2019年南京市十大重大原創成果獎等。

在大尺寸寬禁帶/半導體單晶襯底外延設備、材料生長等方面做出了突出的工作。2001年始，研制出國內第一臺用于氮化鎵（GaN）襯底的鹵化物氣相外延（HVPE）系統，研究發展了獲得高質量GaN襯底所需的所有關鍵技術并擁有自主知識產權，在氮化鎵單晶襯底設備和材料技術領域已獲授權國家發明專利30余項、申請國家發明專利30余項。在國內最早研制出2英寸毫米級GaN單晶襯底，建成6英寸HVPE系統并實現7片2吋及4-6吋GaN均勻生長；研究出創新性的GaN襯底批量制備技術，即將進行高質量、低成本GaN襯底的產業化應用，為第三代半導體應用奠定了材料基礎。

團隊與合作者首次報道了米級單晶Cu(111)襯底的制備方法，并在此基礎上實現了米級單晶石墨烯的外延生長（Science. Bulletin 2017, 62, 1074）。與石墨烯不同，六方氮化硼等其它絕大多數二維材料不具有中心反演對稱性，其外延生長普遍存在孿晶晶界問題：旋轉180°時晶格方向發生改變，外延生長時不可避免地出現反向晶疇，而在拼接時形成缺陷晶界。 開發合適對稱性的外延單晶襯底是解決這一科學難題的關鍵。研究團隊探索出利用對稱性破缺的襯底外延非中心反演對稱二維單晶薄膜的新方

物聯網體系 智能連接家、校、人，實現物聯校園數據的實時采集提高教學、教務、校務、辦公的高效管理，離不開智能物聯設備的支持

產品詳細介紹1、刷卡或密碼開門：支持普通IC卡或學校一卡通，門禁系統或停車場使用的射頻 IC 卡都可以注冊為智能儲物柜的鑰匙卡，擴展一卡通功能，可擴展 ID 卡和身份證刷卡(須選加 ID卡模塊和身份證讀卡模塊)等，一卡支持多箱存??；2、其他方式開鎖：機械鎖、人臉識別、指紋認證、微信、密碼等多種方式存取物品，安全性高，存取操作簡單3、使用過程不需要耗材4、內置五孔插座+2個USB口，也可根據要求定制，滿足了人們對物品寄存、安全保管和移動設備充電等需求。5、本地管理：管理員通過輸入管理密碼可進入管理菜單，管理員可以實現對智能儲物柜的全部操作，設定用戶開箱方式，箱門數，維護設備，全清全開箱門或單箱開門，系統日期時間，修改用戶密碼等功能；6、柜門大小根據需求定制尺寸、和數量材質：門板及整體材料為優質冷軋鋼板制作，經過酸洗磷化、表面靜電粉末噴塑處理。安裝方式：落地式，使用電源為 220V，三插插座 1 只/組，待機功耗≤10W/組。產品特色：堅固、耐用、安全可靠、方便充電、擴展性強。功能描述：1、采用 7 寸 IPS 高清觸摸屏，安卓系統，操作方便簡單擴展性強，美觀大方操作方便；每單箱內置電源插座，含 1 三相插口、1 兩相插口和 2USB 口；2、一卡通：學校 IC 卡，門禁系統或停車場使用的射頻 IC 卡都可以注冊為智能儲物柜的鑰匙卡，擴展一卡通功能，可擴展 ID 卡和身份證刷卡(須選加 ID卡模塊和身份證讀卡模塊)等，一卡支持多箱存取；3、人臉識別：人臉識別存儲，刷臉開柜存物，刷臉開柜取物，一臉支持多箱存取，方便安全可靠；4、指紋識別：指紋識別存儲、指紋開柜存物，指紋開柜取物，方便安全可靠（須選加指紋識別模塊）；5、微信手機：通過微信存取物品，可遠程開鎖和查看開鎖記錄(須選加微信模塊和設備聯網)；6、本地管理：管理員通過輸入管理密碼可進入管理菜單，管理員可以實現對智能儲物柜的全部操作，設定用戶開箱方式，箱門數，維護設備，全清全開箱門或單箱開門，系統日期時間，修改用戶密碼等功能；7、應急開箱：我們在設計智能儲物柜和電控鎖時已充分考慮好應急開箱方案，一旦斷線或電鎖故障， 可由管理員打開應急開箱鎖進行手動開箱；8、開箱方式：用戶可選擇自己想使用的空箱，若一箱不夠用可存多箱，單人可用箱數管理員可設置；9、美觀節能：極低的待機功耗(≤10W)，采用 7 寸電容觸摸屏，美觀大方。

氫能源是高效的綠色能源，如何低廉高效的大規模生產是制約其應用的一個關鍵因素。近年來，電解水制氫受到學術界廣泛關注，尋找廉價高效的非鉑電催化劑成為時下研究熱點。本項目分別采用輻射法及水熱法制備了鉬硫化物/碳納米復合材料,其催化析氫性能優于商用Pt/C（20%Pt）催化劑，而且具有良好的催化穩定性,適合大規模制備。

本發明公開了一種表面氧缺陷多孔金屬氧化物材料及其制備和應用。所述表面氧缺陷多孔金屬氧化物材料的制備方法包括以下步驟：1)將金屬鹽溶解于有機溶劑中，形成透明溶液、2)將步驟1)中的透明溶液與軟膜板劑混合，得到二者充分均勻分散的分散液，充分混合形成金屬鹽凝膠、3)將步驟2)中得到的金屬鹽凝膠制備成干凝膠、4)將步驟3)中得到的干凝膠高溫煅燒，所得灰分即為表面氧缺陷多孔金屬氧化物、本方法能夠同步合成出表面氧缺陷多孔金屬氧化物材料。制備方法相對簡單，在形成多孔結構的同時增加了材料表面的氧空穴濃度，改變了材料的電子結構，可應用于吸附、光電催化及電池領域。

本發明公開了一種基于紅外線輻照的石墨烯/聚合物復合材料的制備方法，包括以下步驟：1）將氧化石墨溶液與聚合物溶液或者聚合物乳液混合，得到混合液，澆注或者紡絲，干燥至總溶劑的重量百分含量小于等于50%，得到復合產物；2）在紅外線加熱燈輻照下將復合產物中的溶劑除去并進行氧化石墨的還原反應，得到石墨烯/聚合物復合材料。本發明制備方法中，利用紅外線加熱燈輻照下制備石墨烯/聚合物復合材料，工藝非常簡便、生產成本很低，有利于工業化大規模生產，聚合物可選擇不同的種類，可以制備不同的石墨烯/聚合物復合材料，可以滿足不同的生產和使用要求，在導電高分子復合材料以及薄膜、纖維等領域具有廣闊的應用前景。