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硅基已知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基已知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設(shè)置有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)連接著兩個(gè)間接式熱電式功率傳感器，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量，在前后縫隙之間設(shè)置有一個(gè)移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波導(dǎo)、非對(duì)稱(chēng)共面帶線(xiàn)和一個(gè)電阻組成；間接式熱電式功率傳感器主要由共面波導(dǎo)、兩個(gè)電阻以及
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基未知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基未知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開(kāi)關(guān)、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設(shè)置有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的頻率測(cè)量，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量，在前后縫隙之間設(shè)置有一個(gè)移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波導(dǎo)、非對(duì)稱(chēng)共面帶線(xiàn)和電阻組成；間接式熱電式功率傳感器主要由共面波導(dǎo)、兩個(gè)電阻以及熱電
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基懸臂梁耦合間接加熱式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器
本發(fā)明的硅基懸臂梁耦合間接加熱式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器是由傳感器、模數(shù)轉(zhuǎn)換和液晶顯示三大模塊組成，傳感器模塊是由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、功率分配／合成器、間接加熱式微波功率傳感器和開(kāi)關(guān)構(gòu)成，襯底材料為高阻Ｓｉ，功率通過(guò)輸入端口對(duì)應(yīng)的ＣＰＷ信號(hào)線(xiàn)終端的間接加熱式微波功率傳感器進(jìn)行檢測(cè)；頻率檢測(cè)通過(guò)利用間接加熱式微波功率傳感器測(cè)量?jī)陕吩谥行念l率處相位差為９０度的耦合信號(hào)的合成功率實(shí)現(xiàn)；相位檢測(cè)通過(guò)將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號(hào)，分別同兩路等分后的參考信號(hào)合成，同樣利用間接加熱式微波功率傳感器檢測(cè)合成功率
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基已知頻率縫隙耦合式直接式毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基已知頻率縫隙耦合式直接式毫米波相位檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)傳輸線(xiàn)、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設(shè)置有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)連接著兩個(gè)直接式熱電式功率傳感器，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量，在前后縫隙之間設(shè)置有一個(gè)移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波導(dǎo)傳輸線(xiàn)、非對(duì)稱(chēng)共面帶線(xiàn)和一個(gè)隔離電阻組成；直接式熱電式功率傳感器主要由共面波
東南大學(xué)
2021-04-14
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高結(jié)晶性銀粉及晶硅太陽(yáng)能電池正面銀漿
本項(xiàng)目是通過(guò)控制液相還原條件下銀納米晶的成核和生長(zhǎng)速度，可以得到 單分散的、高結(jié)晶性的單晶銀納米粉；通過(guò)引入銀納米晶核，控制溶液相中均 79 相成核和晶體的各向異性生長(zhǎng)，可以制備單分散的、高結(jié)晶性的銀微米粉，進(jìn) 而制得太陽(yáng)能電池正面銀漿。
山東大學(xué)
2021-04-13
高結(jié)晶性銀粉及晶硅太陽(yáng)能電池正面銀漿
本項(xiàng)目是通過(guò)控制液相還原條件下銀納米晶的成核和生長(zhǎng)速度，可以得到單分散的、高結(jié)晶性的單晶銀納米粉；通過(guò)引入銀納米晶核，控制溶液相中均相成核和晶體的各向異性生長(zhǎng)，可以制備單分散的、高結(jié)晶性的銀微米粉，進(jìn)而制得太陽(yáng)能電池正面銀漿。
山東大學(xué)
2021-04-14
科學(xué)技術(shù)大學(xué).jpg){kind=logo}
中國(guó)科大實(shí)現(xiàn)硅基量子芯片中自旋軌道耦合強(qiáng)度的高效調(diào)控
郭國(guó)平教授、李海歐教授等人與中科院物理所張建軍研究員、紐約州立大學(xué)布法羅分校胡學(xué)東教授以及本源量子計(jì)算有限公司合作，在硅基鍺空穴量子點(diǎn)中實(shí)現(xiàn)了自旋軌道耦合強(qiáng)度的高效調(diào)控，為該體系實(shí)現(xiàn)自旋軌道開(kāi)關(guān)以及提升自旋量子比特的品質(zhì)提供了重要的指導(dǎo)意義。
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2022-06-02
金屬元素分析儀, 錳磷硅分析儀,分析儀器
產(chǎn)品詳細(xì)介紹 南京金牛高速分析儀器有限公司專(zhuān)業(yè)制造各類(lèi)鋼鐵成分分析儀器,鑄造生鐵化驗(yàn)儀,有色金屬分析儀，多元素分析儀，高頻紅外碳硫分析儀，電腦碳硫分析儀，五大元素分析儀等高速分析儀器，產(chǎn)品高、中、低檔齊全。一、碳硫主要技術(shù)指標(biāo)：1、測(cè)量范圍：碳0.02％～6.00％ 硫0.002％～2.00％;2、測(cè)量時(shí)間：C、 S約45秒;3、測(cè)量精度：符合GB/T223.69-97 GB/T223.68-97標(biāo)準(zhǔn);二、元素分析主要技術(shù)指標(biāo)：1、分析方法：光電比色分析法;2、量程范圍：吸光度值0～1.999A、濃度值0～99.99％;3、測(cè)量精度：符合GB223.3－5.88標(biāo)準(zhǔn);4、可測(cè)元素：錳、磷、硅、鎳、鉬、鉻、鈦、銅、鉛、鋅、鐵、鋁、鎂、稀土、鈮、釩等元素的分析;5、電源電壓：220v±10% 50Hz ;三、碳硫主要特點(diǎn)：1、氣體容量法差壓式定碳、碘量法定硫；2、單片機(jī)控制電路，工作過(guò)程全自動(dòng)操作、徹底消除人為誤差、性能穩(wěn)定可靠；3、進(jìn)口精密傳感器檢測(cè)數(shù)據(jù)，測(cè)量準(zhǔn)確，自動(dòng)打印測(cè)量結(jié)果。4、啟動(dòng)一次完成碳硫全部測(cè)定。操作簡(jiǎn)單、維修方便。四、元素分析主要特點(diǎn)：1、零點(diǎn)、滿(mǎn)度均可自動(dòng)調(diào)整，無(wú)需準(zhǔn)確調(diào)整，直讀吸光度或百分比含量，自動(dòng)打印結(jié)果，包括爐號(hào)、日期、濃度百分含量；2、采用單片機(jī)控制電路，可儲(chǔ)存15條曲線(xiàn)；3、采用精密觸摸式鍵盤(pán)，32鍵音響提示，操作簡(jiǎn)單、適用、穩(wěn)定性好；4、更換不同的冷光源或?yàn)V光片，可擴(kuò)大測(cè)量元素的種類(lèi)和含量范圍；5、采用先進(jìn)的光電轉(zhuǎn)換技術(shù)，適用于各種金屬材料化驗(yàn)。
南京金牛高速分析儀器有限公司
2021-08-23
硅二極管溫度傳感器錦正茂非標(biāo)定制
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專(zhuān)門(mén)適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線(xiàn)，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。
DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。
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特點(diǎn)：
※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；
※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線(xiàn)，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度；
※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線(xiàn)；
※ 多種可選封裝方式。
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參數(shù)：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線(xiàn)：DT640
※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%；
※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達(dá)：75V；
※ 損壞前電流高達(dá)：長(zhǎng)時(shí)間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用；
※ 磁場(chǎng)影響：不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-07-28
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非制冷薄膜型紅外焦平面陣列探測(cè)器結(jié)構(gòu)及其制備方法
非制冷薄膜型紅外焦平面陣列探測(cè)器結(jié)構(gòu)，包括含讀出電路的第一基片，含熱隔離微橋陣列和敏感元陣列的第二基片，所述第一基片與第二基片鍵合成一體，所述熱隔離微橋陣列中的各熱隔離微橋單元以刻蝕后的第二基片為橋墩，以與所述橋墩頂面緊密結(jié)合的支撐層為橋面；各熱隔離微橋單元的橋面上均設(shè)置有敏感元陣列，各敏感元陣列通過(guò)引線(xiàn)電極與第一基片上對(duì)應(yīng)的讀出電路實(shí)現(xiàn)電連接。制備方法：第一基片鍵合面圖形的制備；支撐層制備；敏感元陣列的制備；第二基片正面保護(hù)；熱隔離微橋陣列的制備；第一基片與第二基片的鍵合；除去第二基片的正面保護(hù)層；敏感元電極讀出電路電極的連接。
四川大學(xué)
2021-04-11