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本項(xiàng)目共包括10項(xiàng)授權(quán)專利，其中高品質(zhì)微波單晶薄膜的制備工藝獲得3項(xiàng)專利技術(shù)，同時(shí)將這種單晶薄膜應(yīng)用在微波器件/結(jié)構(gòu)、太赫茲結(jié)構(gòu)/器件和自旋邏輯器件中等，共獲得7項(xiàng)專利技術(shù)。本項(xiàng)目突破了我國(guó)在3英寸石榴石系列單晶體材料以及相關(guān)器件研究上的瓶頸技術(shù)，獲得了高法拉第效應(yīng)和低鐵磁共振線寬的大尺寸高質(zhì)量石榴石單晶薄膜材料。滿足了國(guó)內(nèi)在磁光、微波及毫米波集成器件方面對(duì)石榴石系晶體材料的需求，擺脫了完全依賴進(jìn)口、受制于人的不利局面。（1）建成了我國(guó)第一條大尺寸磁

本發(fā)明公開(kāi)了一種可尋址電調(diào)光反射率薄膜。包括陰極，陽(yáng)極陣列，以及設(shè)置在陰極和陽(yáng)極陣列間的介電層；陽(yáng)極陣列由 M×N 元陣列分布的陽(yáng)極單元構(gòu)成，陽(yáng)極單元由規(guī)則排列且相互連通的多個(gè)子電極構(gòu)成，可尋址電調(diào)光反射率薄膜被劃分為 M×N 元陣列分布的電調(diào)光反射率單元，陽(yáng)極單元與電調(diào)光反射率單元一一對(duì)應(yīng)，構(gòu)成電調(diào)光反射率單元的陽(yáng)極，所有電調(diào)光反射率單元共用陰極；通過(guò)陽(yáng)極單元和陰極對(duì)電調(diào)光反射率單元執(zhí)行獨(dú)立加電操作，進(jìn)而通過(guò)調(diào)變加

一種多層柔性薄膜的剝離裝置，剝離裝置的剝離刀為橫截面為圓角多邊形的柱狀結(jié)構(gòu)，具有多個(gè)不同彎曲半徑和彎曲角度的圓弧剝離面，使用時(shí)可根據(jù)不同的薄膜選擇不同剝離面進(jìn)行剝離加工，無(wú)須更換剝離刀，大大提高了剝離刀的適用范圍，并進(jìn)一步運(yùn)用剝離刀的幾何參數(shù)與剝離效果的關(guān)系理論，設(shè)計(jì)優(yōu)化得到最優(yōu)的剝離刀結(jié)構(gòu)，得到最佳的剝離質(zhì)量和剝離效率，剝離裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低廉，在大面積柔性器件的封裝領(lǐng)域具有廣闊應(yīng)用前景。

項(xiàng)目簡(jiǎn)介： 隨著石油化學(xué)

本發(fā)明提供一種用于薄膜復(fù)合的同步驅(qū)動(dòng)對(duì)輥裝置，包括主動(dòng)輥組件，其具有一可轉(zhuǎn)動(dòng)的主動(dòng)輥，該主動(dòng)輥組件固定安裝在一安裝板上，其一端與一驅(qū)動(dòng)組件聯(lián)接，用以提供驅(qū)動(dòng)力帶動(dòng)該主動(dòng)輥轉(zhuǎn)動(dòng)；浮輥組件，其具有一可轉(zhuǎn)動(dòng)的浮輥，該浮輥與所述主動(dòng)輥呈有間隙地相對(duì)布置，兩輥的中心軸線平行；齒輪組件，其包括外嚙合的呈同步轉(zhuǎn)動(dòng)的兩齒輪，該兩齒輪分別通過(guò)軸端同步帶輪上的同步帶與主動(dòng)輥和浮輥相連，實(shí)現(xiàn)兩輥的同步轉(zhuǎn)動(dòng)；在驅(qū)動(dòng)組件驅(qū)動(dòng)下，所述主動(dòng)輥轉(zhuǎn)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)所述齒輪組件的兩齒輪轉(zhuǎn)動(dòng)，從而帶動(dòng)所述浮輥與該主動(dòng)輥同步轉(zhuǎn)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)對(duì)兩輥間的薄膜的驅(qū)動(dòng)或復(fù)合。本發(fā)明方便調(diào)節(jié)，可穩(wěn)定完成多層薄膜的復(fù)合和輸送，保證薄膜復(fù)合的均勻性。

大功率射頻LDMOS器件以其線性度好、增益高、輸出功率大、熱穩(wěn)定性好、效率高、寬帶匹配性能好、價(jià)格低廉等方面的優(yōu)勢(shì)已經(jīng)成為基站、廣播電視發(fā)射機(jī)、航空電子、雷達(dá)等領(lǐng)域等應(yīng)用最廣泛的射頻功率器件。 本團(tuán)隊(duì)利用優(yōu)化的法拉第屏蔽罩結(jié)構(gòu)和版圖布局技術(shù)，基于國(guó)內(nèi)8英吋工藝技術(shù)平臺(tái)，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（圖1），能夠提供完整的RF LDMOS器件的設(shè)計(jì)與研制方案。目前已制作出頻率0.5GHz，輸出功率>500W，功率增益>18dB、漏極效率>50%的單芯片RF LDMOS 器件；頻率1.2GHz，輸出功率>600W，功率增益>20dB、漏極效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；頻率3.1GHz，輸出功率>80W，功率增益>10dB、漏極效率>35%的單芯片S波段RF LDMOS 器件（圖2）。 (a) (b) 圖1 RF LDMOS器件：(a)晶圓顯微照片 (b)封裝器件 a b c 圖2 RF LDMOS器件功率測(cè)試曲線：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段

本團(tuán)隊(duì)利用優(yōu)化的法拉第屏蔽罩結(jié)構(gòu)和版圖布局技術(shù)，基于國(guó)內(nèi)8英吋工藝技術(shù)平臺(tái)，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件，能夠提供完整的RF LDMOS器件的設(shè)計(jì)與研制方案。

我國(guó)是世界最大的鋁生產(chǎn)國(guó)和消費(fèi)國(guó)，鋁產(chǎn)量占世界總產(chǎn)量的40%多，而且仍處于高速增 長(zhǎng)中。但我國(guó)鋁土礦儲(chǔ)量?jī)H占世界2.3%，按現(xiàn)有鋁工業(yè)發(fā)展速度靜態(tài)計(jì)算，我國(guó)鋁土礦資源 將只能用10年。煤炭是我國(guó)最主要的能源資源，不僅是重要的燃料，還是重要的化工原料。煤 炭開(kāi)采的副產(chǎn)物煤矸石，其排放量約占煤炭開(kāi)采量的10%-25%，目前我國(guó)煤矸石堆積量約40億 噸；煤燃燒利用的必然產(chǎn)物粉煤灰，占原煤質(zhì)量的15%-40%。目前我國(guó)粉煤灰堆貯量已超過(guò)30 億噸，而且每年以超過(guò)3億噸的量繼續(xù)產(chǎn)生。煤氣化、液化等產(chǎn)生的煤化工灰渣在我國(guó)年排放 約4000萬(wàn)噸，未來(lái)40年我國(guó)將產(chǎn)生煤化工灰渣100-250億噸。由于地質(zhì)構(gòu)造原因，我國(guó)的煤系固 廢中氧化鋁含量較高，具有回收利用鋁資源的巨大潛力。 本項(xiàng)目采用界面活化方法誘導(dǎo)產(chǎn)生鋁硅酸鹽結(jié)構(gòu)缺陷，在少量助劑協(xié)同作用下激發(fā)配位體 大量重組而最終提高煤系固廢的反應(yīng)活性，并以工業(yè)大量副產(chǎn)稀鹽酸或硫酸為浸取劑，獲取多 種高附加值化工產(chǎn)品；對(duì)于提鋁殘?jiān)n題組有成熟技術(shù)生產(chǎn)保溫建筑材料,導(dǎo)熱系數(shù)小于0.1 W/m.K，防火等級(jí)達(dá)到A級(jí)，成本低于泡沫混凝土；另外還可用于生產(chǎn)其它高性能建材產(chǎn)品。 伴隨我國(guó)勞動(dòng)力成本持續(xù)上升與環(huán)境保護(hù)日趨嚴(yán)峻，加大環(huán)境保護(hù)力度、緩解資源供給 瓶頸、推動(dòng)循環(huán)經(jīng)濟(jì)形成較大規(guī)模、促進(jìn)資源循環(huán)利用產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)是廢物資源化科技創(chuàng)新的 準(zhǔn)則。本項(xiàng)目的開(kāi)發(fā)成功可有效地解決煤化工灰渣的規(guī)模化處置和資源化難題，提供新型鋁資 源，并將形成能源、資源、化工、冶金、環(huán)保新型循環(huán)產(chǎn)業(yè)鏈，帶動(dòng)我國(guó)新型煤化工技術(shù)進(jìn)步 和相關(guān)產(chǎn)業(yè)升級(jí)。

新能源汽車的迅猛發(fā)展，為動(dòng)力電池產(chǎn)業(yè)提供了萬(wàn)億級(jí)的市場(chǎng)容量，到 2020 年底，城市公交、出租車及城市配送等領(lǐng)域新能源車保有量達(dá) 60 萬(wàn)輛。目前使 用的石墨類伏擊材料容量低，無(wú)法滿足高能量密度的需求。該項(xiàng)目通過(guò)為動(dòng)力電 池廠商提供高性能硅碳負(fù)極及其他負(fù)極材料，以提高純電動(dòng)汽車的續(xù)航里程 2 倍以上。硅負(fù)極材料具有極高的理論容量(~4200 mAh/g)，其容量是現(xiàn)有商業(yè)化 的石墨負(fù)極的 10 多倍。但其充放電過(guò)程中產(chǎn)生的大體積膨脹(~400%)會(huì)嚴(yán)重影響 其循環(huán)壽命。我們團(tuán)隊(duì)經(jīng)過(guò)數(shù)年研究，提出“清矽硅碳”使普通微米硅粉進(jìn)行包 覆“均勻+可控”功能層的工藝過(guò)程實(shí)現(xiàn)“性能+成本”的最優(yōu)產(chǎn)業(yè)升級(jí)。美國(guó)能 源部高度評(píng)價(jià)了該項(xiàng)研究成果（2015 年僅有 2 項(xiàng)研究成果受此殊榮）。

太陽(yáng)能作為一種潔凈和相對(duì)易于獲取的能源在未來(lái)的動(dòng)力產(chǎn)品中將占有越來(lái)越大的比份。如何發(fā)展高光電能量轉(zhuǎn)換效率、高可靠性和低成本的太陽(yáng)能電池是目前太陽(yáng)能利用領(lǐng)域所面臨的關(guān)鍵問(wèn)題。相對(duì)于第一代和第二代太陽(yáng)能電池(轉(zhuǎn)換效率<<50％)，各國(guó)科學(xué)家紛紛研究不同的應(yīng)用于第三代太陽(yáng)能電池的新材料和新結(jié)構(gòu)，目標(biāo)是使光電轉(zhuǎn)換效率大于5 0％。近年來(lái)，一種具有微、納米量級(jí)特殊結(jié)構(gòu)的光伏材料成為太陽(yáng)能電池的研究熱點(diǎn)。利用飛秒脈沖激光在極短的持續(xù)時(shí)間內(nèi)激發(fā)出極大的峰值能量，其在硅片的相互作用過(guò)程中具有很強(qiáng)的非線性效應(yīng)，聚焦燒蝕硅表面很小的一塊面積，形成規(guī)則排列的微納米結(jié)構(gòu)。這種微納米結(jié)構(gòu)由于表面積增大，對(duì)入射光波有很大的吸收，且對(duì)光的敏感性提高了數(shù)百倍，這些性質(zhì)對(duì)我們提高光電轉(zhuǎn)換效率具有很大的指導(dǎo)意義。這種材料與本底未處理材料的性質(zhì)相比，材料帶隙減小，對(duì)光的敏感性提高了數(shù)百倍，這使得其對(duì)波長(zhǎng)為250—2500 nm的入射光波有大于90％的吸收；另外，黑硅比傳統(tǒng)材質(zhì)的硅的比重低。這些奇特的光電和物理性質(zhì)能進(jìn)一步提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。根據(jù)光吸收效率，激子光量子效率，化學(xué)電勢(shì)效率以及填充因子計(jì)算總的光電轉(zhuǎn)換效率，普通硅基太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率只有1 5％，而基于微納結(jié)構(gòu)光伏材料的太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率可望達(dá)到50%-60%。 針對(duì)國(guó)民經(jīng)濟(jì)可持續(xù)發(fā)展在太陽(yáng)能光伏技術(shù)方面的重大需求，發(fā)展利用超短脈沖激光制備具有優(yōu)異光電轉(zhuǎn)化效率的微納結(jié)構(gòu)光伏材料的新方法，以及通過(guò)探測(cè)光伏材料中非平衡載流子的能帶結(jié)構(gòu)及微分負(fù)電導(dǎo)等特性，探知光伏材料的光電轉(zhuǎn)換效率，從而篩選出轉(zhuǎn)換效率較高的微納結(jié)構(gòu)光伏材料，最終在發(fā)展新型、高效太陽(yáng)能電池的新原理和新技術(shù)方面取得創(chuàng)新性突破，為我國(guó)研發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高效第三代光伏電池打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。