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技術(shù)原理和用途 ：利用乙炔和三氯氫硅進(jìn)行催化加成，合成乙烯基三 氯硅烷。該化合物既是一種硅烷偶聯(lián)劑，又是一種重要的有機(jī)硅單體，以 它為原料，可制得乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷等。這類(lèi)硅 烷偶聯(lián)劑，可用于玻璃纖維表面處理劑、密封劑、涂料、膠粘劑等，還可 用于聚乙烯、聚丙烯、不飽和聚酯等的改性。 技術(shù)特點(diǎn) ：以 150 基本產(chǎn)品或原料，可生產(chǎn)一系列下游產(chǎn)品，有較大 的機(jī)動(dòng)性，而且重點(diǎn)解決了催化劑的穩(wěn)定性及選擇性

我國(guó)是世界最大的鋁生產(chǎn)國(guó)和消費(fèi)國(guó)，鋁產(chǎn)量占世界總產(chǎn)量的40%多，而且仍處于高速增 長(zhǎng)中。但我國(guó)鋁土礦儲(chǔ)量?jī)H占世界2.3%，按現(xiàn)有鋁工業(yè)發(fā)展速度靜態(tài)計(jì)算，我國(guó)鋁土礦資源 將只能用10年。煤炭是我國(guó)最主要的能源資源，不僅是重要的燃料，還是重要的化工原料。煤 炭開(kāi)采的副產(chǎn)物煤矸石，其排放量約占煤炭開(kāi)采量的10%-25%，目前我國(guó)煤矸石堆積量約40億 噸；煤燃燒利用的必然產(chǎn)物粉煤灰，占原煤質(zhì)量的15%-40%。目前我國(guó)粉煤灰堆貯量已超過(guò)30 億噸，而且每年以超過(guò)3億噸的量繼續(xù)產(chǎn)生。煤氣化、液化等產(chǎn)生的煤化工灰渣在我國(guó)年排放 約4000萬(wàn)噸，未來(lái)40年我國(guó)將產(chǎn)生煤化工灰渣100-250億噸。由于地質(zhì)構(gòu)造原因，我國(guó)的煤系固 廢中氧化鋁含量較高，具有回收利用鋁資源的巨大潛力。 本項(xiàng)目采用界面活化方法誘導(dǎo)產(chǎn)生鋁硅酸鹽結(jié)構(gòu)缺陷，在少量助劑協(xié)同作用下激發(fā)配位體 大量重組而最終提高煤系固廢的反應(yīng)活性，并以工業(yè)大量副產(chǎn)稀鹽酸或硫酸為浸取劑，獲取多 種高附加值化工產(chǎn)品；對(duì)于提鋁殘?jiān)n題組有成熟技術(shù)生產(chǎn)保溫建筑材料,導(dǎo)熱系數(shù)小于0.1 W/m.K，防火等級(jí)達(dá)到A級(jí)，成本低于泡沫混凝土；另外還可用于生產(chǎn)其它高性能建材產(chǎn)品。 伴隨我國(guó)勞動(dòng)力成本持續(xù)上升與環(huán)境保護(hù)日趨嚴(yán)峻，加大環(huán)境保護(hù)力度、緩解資源供給 瓶頸、推動(dòng)循環(huán)經(jīng)濟(jì)形成較大規(guī)模、促進(jìn)資源循環(huán)利用產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)是廢物資源化科技創(chuàng)新的 準(zhǔn)則。本項(xiàng)目的開(kāi)發(fā)成功可有效地解決煤化工灰渣的規(guī)模化處置和資源化難題，提供新型鋁資 源，并將形成能源、資源、化工、冶金、環(huán)保新型循環(huán)產(chǎn)業(yè)鏈，帶動(dòng)我國(guó)新型煤化工技術(shù)進(jìn)步 和相關(guān)產(chǎn)業(yè)升級(jí)。

新能源汽車(chē)的迅猛發(fā)展，為動(dòng)力電池產(chǎn)業(yè)提供了萬(wàn)億級(jí)的市場(chǎng)容量，到 2020 年底，城市公交、出租車(chē)及城市配送等領(lǐng)域新能源車(chē)保有量達(dá) 60 萬(wàn)輛。目前使 用的石墨類(lèi)伏擊材料容量低，無(wú)法滿(mǎn)足高能量密度的需求。該項(xiàng)目通過(guò)為動(dòng)力電 池廠商提供高性能硅碳負(fù)極及其他負(fù)極材料，以提高純電動(dòng)汽車(chē)的續(xù)航里程 2 倍以上。硅負(fù)極材料具有極高的理論容量(~4200 mAh/g)，其容量是現(xiàn)有商業(yè)化 的石墨負(fù)極的 10 多倍。但其充放電過(guò)程中產(chǎn)生的大體積膨脹(~400%)會(huì)嚴(yán)重影響 其循環(huán)壽命。我們團(tuán)隊(duì)經(jīng)過(guò)數(shù)年研究，提出“清矽硅碳”使普通微米硅粉進(jìn)行包 覆“均勻+可控”功能層的工藝過(guò)程實(shí)現(xiàn)“性能+成本”的最優(yōu)產(chǎn)業(yè)升級(jí)。美國(guó)能 源部高度評(píng)價(jià)了該項(xiàng)研究成果（2015 年僅有 2 項(xiàng)研究成果受此殊榮）。

本發(fā)明公開(kāi)了一種含氟、含磷及含硅的環(huán)氧樹(shù)脂及其制備方法，含氟、含磷及含硅的環(huán)氧樹(shù)脂的制備方法為：取雙酚A型環(huán)氧樹(shù)脂100phr，二胺類(lèi)固化劑10～60phr，固化促進(jìn)劑1～6phr，將三者混合均勻后置于反應(yīng)模具中，先在80～120°C條件下固化反應(yīng)1～3h，再在130～170°C條件下固化反應(yīng)2～4h，即得到含氟、含磷及含硅的環(huán)氧樹(shù)脂，所述的二胺類(lèi)固化劑為含氟、含磷及含硅的二元胺類(lèi)化合物。所述的含氟、含磷及含硅的環(huán)氧樹(shù)脂中同時(shí)引入了氟、磷以及硅這三種元素，是一種新的有機(jī)化合物，這種含氟、含磷及含硅的

為了提高白炭黑的利用價(jià)值，將其轉(zhuǎn)化為高效吸附劑和催化劑載體，本課題組研發(fā)了一種具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)（獲授權(quán)國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利）、高比表面積的二氧化硅介孔材料，有望應(yīng)用于氣體吸附和催化劑載體。

航空航天器、飛機(jī)、導(dǎo)彈、火箭、超低溫冷凍機(jī)、極寒冷地區(qū)工程機(jī)械和 高速列車(chē)等設(shè)備，在極低溫度條件下運(yùn)行時(shí)，對(duì)密封材料要求很高，一旦出現(xiàn) 密封效果不佳或不可靠情況，會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重后果，極端情況會(huì)造成機(jī)毀人亡等重 特大事故，形成嚴(yán)重的財(cái)產(chǎn)和人員損失。密封材料大多采用有機(jī)高分子材料， 在低溫條件下，密封材料中分子熱運(yùn)動(dòng)減少，分子鏈段會(huì)變得僵硬甚至凍住， 使之失去彈性，導(dǎo)致密封效果差甚至失去密封作用。因此密封材料應(yīng)用于上述 設(shè)備和地域時(shí)，必須采用特殊制備的耐低溫硅橡膠才能保證安全及設(shè)備的穩(wěn)定 運(yùn)行。這就要求密封材料必須具備優(yōu)良的耐低溫性能，使其具有耐低溫穩(wěn)定性， 才能達(dá)到相應(yīng)的密封要求。 本研究開(kāi)發(fā)的耐超低溫有機(jī)硅密封膠，采用特殊原料和工藝，克服了傳統(tǒng) 密封材料的弱點(diǎn)，使有機(jī)硅密封膠在-100℃以上時(shí)具有良好的密封性能。 

1、成果簡(jiǎn)介：   本研究組一直以來(lái)從事納米材料的生化分析研究，完成了多種量子點(diǎn)和微球的合成、修飾和相關(guān)的生化分析檢測(cè)，在多色量子點(diǎn)的標(biāo)記和光譜識(shí)別研究中做了大量的工作。我們掌握了多種量子點(diǎn)和石墨烯量子點(diǎn)、納米金等納米材料的制備方法和表面修飾技術(shù)，成功地檢測(cè)了生物樣本中的多種重要成分。  我們創(chuàng)新性地設(shè)計(jì)了可用于檢測(cè)的多色熒光編碼的納米硅球，具有包含多個(gè)量子點(diǎn)的獨(dú)特結(jié)構(gòu)和可調(diào)諧的熒光比率信號(hào)，功能修飾后的探針不僅提高了腫瘤標(biāo)志物檢測(cè)的靈敏度，

本發(fā)明公開(kāi)了一種高功率大帶寬鍺硅光電探測(cè)器。該探測(cè)器是 模擬光子通信系統(tǒng)和微波光子系統(tǒng)中的硅基關(guān)鍵集成光電子器件，其 特征在于包括多個(gè)并聯(lián)鍺層結(jié)構(gòu)和電感。多個(gè)并聯(lián)的鍺層結(jié)構(gòu)的多個(gè) 鍺層尺寸是可以不同的，以實(shí)現(xiàn)對(duì)寄生電阻的調(diào)控，在提高器件飽和 功率的同時(shí)保持了寄生參數(shù)不至顯著增加。同時(shí)，通過(guò)引入片上和片 外電感，實(shí)現(xiàn)對(duì)器件寄生電感的調(diào)控，抬升器件高頻處頻率響應(yīng)，提 升器件工作帶寬。本發(fā)明提出的光電探測(cè)器采用集總電極結(jié)構(gòu)

本發(fā)明公開(kāi)了一種加工硅通孔互連結(jié)構(gòu)的工藝方法，步驟為：①在基板上刻蝕盲孔；②在基板上沉積一層圖案化介電質(zhì)層；③刻蝕圖案化介電質(zhì)層，刻蝕掉盲孔底部的介電材料，保留盲孔側(cè)壁的介電材料，在基板上形成介電質(zhì)孔；④在介電質(zhì)孔上沉積一層導(dǎo)電材料，形成導(dǎo)電孔；⑤在導(dǎo)電層上再沉積一層圖案化介電質(zhì)層，填充導(dǎo)電孔；⑥刻蝕板背面，暴露出導(dǎo)電層，在導(dǎo)電層上形成焊料微凸點(diǎn)。圖案化介電質(zhì)層的材料優(yōu)選聚對(duì)二甲苯。本發(fā)明簡(jiǎn)化了工藝步驟，減少工藝時(shí)間并降低了費(fèi)用；使用二層圖案化介電質(zhì)層，降低了寄生電容，提升了互連電性能，適用于高速和

本發(fā)明公開(kāi)了一種鍺硅納米低維結(jié)構(gòu)可控制備方法及產(chǎn)品，該 方法具體為：(a)清洗硅襯底；(b)在硅襯底上外延生長(zhǎng)鍺硅合金形成外 延襯底；(c)涂敷電子抗蝕劑，通過(guò)電子束光刻技術(shù)在電子抗蝕劑上曝 光所需的鍺硅納米低維結(jié)構(gòu)圖形；(d)采用干法刻蝕將鍺硅納米低維結(jié) 構(gòu)圖形轉(zhuǎn)移到外延襯底上得到樣品；(e)去除樣品上的電子抗蝕劑；(f) 高溫環(huán)境下進(jìn)行氧化和退火，使得氧氣優(yōu)先與硅反應(yīng)形成氧化硅而鍺 被析出；(g)在氮?dú)浠旌蠚夥障?