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一種Mg2Ni0.9Co0.1H4基儲氫材料的制備方法
（專利號：ZL 201510578254.6） 簡介：本發明公開了一種Mg2Ni0.9Co0.1H4基儲氫材料的制備方法，屬于儲氫材料技術領域。該方法通過濕法球磨得到Ni(Co)固溶體粉末；按母合金Mg2Ni1?xCox(x＝0.1～0.2)的成分，將一定量的固溶體和Mg粉真空燒結得到母合金，母合金的化學成分范圍為：Mg的原子百分數為65～70％，Ni+Co占合金剩余百分比，Co在Ni+Co中的原子百分數為10～20％；然后將燒結合金置于氫化爐中氫化獲得目標儲氫材料，其由85～90wt％的Mg2Ni0.9Co0.1H4基體相、6～7wt％的MgH2和4～8wt％的MgNi3Co相組成。該儲氫材料具有高的儲氫容量(大于3.5wt％)、低的起始放氫溫度(220℃)和優良的放氫動力學性能。本發明制備方法具有工藝簡單、高效、產率高、無污染的顯著特點。
安徽工業大學
2021-04-11
用于寬溫區水解制氫的鎂鈣基氫化物粉體及其制備方法
本發明所述用于水解制氫的鎂鈣基氫化物粉體，包括的組分及各組分的質量百分數為：Ca4Mg3H1414.2～50.2%，MgH234.8～85.7%，Mg0.1～15%，為提高水解產氫率，還復合有其它氫化物和∕或鹽，其中其它氫化物的質量為組分Ca4Mg3H14、組分MgH2和組分Mg的質量的總和的0～5%，鹽的質量為組分Ca4Mg3H14、組分MgH2和組分Mg的質量的總和的0～11%，其中，其它氫化物的含量、鹽的含量不同時為0。上述鎂鈣基氫化物粉體的制備方法，是將鎂鈣合金破碎球磨后活化吸氫。本發明提供的用于水解制氫的鎂鈣基氫化物粉體，可在保證反應安全性和可控性的前提下提高產氫量，特別是提高室溫和低溫下的產氫量。
四川大學
2021-04-11
具有電場調制功能的二芳基乙烯類光致變色化合物及合成方法
本發明提供一種具有電場調制功能的二芳基乙烯類光致變色化合物及合成方法，該方法包括以下步驟：首先合成含有電子傳輸基團的芳雜環中間體；然后合成含有電荷傳輸基團的芳雜環中間體；將所述這兩部份中間體分別結合到一個八氟環戊烯分子的兩個雙鍵碳上的氟原子上，形成含兩種不同類型電荷傳輸基團的不對稱型二芳基乙烯類光致變色化合物；含電子傳輸基團的中間體化合物則須先制成單取代的全氟環戊烯中間體才能順利得到目標產物。有益效果是該化合物具有更好的光致變色性和抗疲勞性，更重要的是在這類化合物中可以引入電場干預的光致變色性。由于不對稱型二芳基乙烯類光致變色化合物分子的特性，可制造出可控的光致變色新材料，在光信息存儲和新型光學器件領域，具有廣闊的應用前景。
天津城建大學
2021-04-11
一種聚 3-己基噻吩/碳納米管復合材料及制備方法
本發明公開了一種聚3-己基噻吩/碳納米管復合材料及制備方法。 所述復合材料中含有聚3-己基噻吩30wt％至80wt％以及均勻分散的碳 納米管 1wt％至 15wt％，所述碳納米管形貌完整，其直徑在 40nm 至 60nm 之間，其長度在 5μm 至 15μm 之間，所述碳納米管表面包覆有 厚度在 3nm 至 10nm 之間的聚 3-己基噻吩。其制備方法包括以下步驟： (1)將聚 3-己基噻吩和高分子量聚合物均勻分散于有機溶劑中；(
華中科技大學
2021-01-12
一種改性香菇培養基廢料重金屬吸附劑制備和應用方法
采用化學藥劑和焙燒復合改性方法提高天然香菇培養基廢料吸附重金屬離子的能力，開發了一種改性香菇培養基廢料重金屬吸附劑，特別適合于微污染含重金屬陽離子的污水處理，如礦山污水、冶煉污水、電鍍污水以及其它行業含重金屬污水的深度處理。所用原料香菇培養基廢料成本廉價，制備工藝簡單，而且吸附飽和的材料可以通過熱處理回收重金屬，無二次污染產生。
北京科技大學
2021-04-13
大型沉管隧道水下基槽浚邊坡穩定性、承載力和變形分析
1.依據海河實際土質條件，提出了基槽水下開挖下部和上部坡率建議值；2.提出了適合濱海軟土地層特性的水下開挖法及合理的超挖值；3.提出了適合海河沉管隧道的水下邊坡檢測要求和減少基底回淤的施工措施；4.通過應力路徑試驗方法，進行模擬基坑開挖時主動區側向卸荷試驗（DEP）和固結試驗，得到主動區卸荷狀態下土的強度參數；5.編制了天津市地方標準《內河沉管法隧道設計、施工及驗收規范》DB/T29-219-2013。 在海河下游軟土地層環境下，針對內河沉管沉放過程中存在的技術難題，形成了對沉
天津城建大學
2021-01-12
基于 Bi 基四元鹵化物單晶的半導體輻射探測器及制備方法
本發明公開了一種基于 Bi 基四元鹵化物單晶的半導體輻射探測 器及其制備方法，涉及半導體材料制備的射線成像探測器技術領域。 所述的半導體輻射探測器結構包括以Bi基四元鹵化物單晶作為射線吸 光層，電子選擇性接觸選擇層，空穴選擇性接觸層，分別貼合在所述 吸光層的兩面，兩個電極分別與兩個選擇性電荷接觸層接觸，作為器 件的正極和負極。本發明的半導體輻射探測器具備高靈敏度，環境友 好，穩定等優點。
華中科技大學
2021-04-14
一種基于水性樹脂的超細纖維合成革基布的含浸方法
本發明公開了一種基于水性樹脂的超細纖維合成革基布的含浸方法。首先將固含量為20~50%的水性耐堿水解型聚氨酯乳液100份，固含量30~40%的堿溶性丙烯酸及其酯共聚物乳液40-100份，水0~250份，增稠劑0.6~3份混合均勻，制得水性含浸漿料；然后將超細纖維纖無紡布浸漬于水性含浸漿料中，然后干燥5~20min；接著用5~15%的氫氧化鈉水溶液中進行堿減量處理，減量溫度為80~95℃，減量時間為30~120min，丙烯酸及其酯共聚物水解溶出，從而在超細纖維合成革中形成泡孔結構；堿減量后的基布進行水洗、烘干，最后經后整理得到超細纖維合成革。
四川大學
2017-12-28
在催化不對稱自由基去對稱化反應領域取得研究新進展
利用前手性或內消旋的烯基1,3-二醇為原料，三氟甲基碘試劑或氟烷基磺酰氯為氟烷基自由基前體，在Cu(I)和手性磷酸協同催化下首次實現了去對稱化不對稱自由基反應。該反應具有很好的非對映選擇性和對映選擇性，同時反應條件溫和，底物適用范圍廣泛，為具有多個手性中心的四氫呋喃骨架化合物的合成提供了一條新的途徑
南方科技大學
2021-04-14
可實現純紫外發光的ＺｎＯ基異質結發光二極管的制備方法
本發明公開了一種可實現純紫外發光的ＺｎＯ基異質結發光二極管的制備方法，包括如下步驟：在藍寶石襯底上生長ｎ?ＺｎＯ納米線；采用磁控濺射法在ｐ?ＧａＮ上濺射一層ＡｌＮ薄膜；采用濺射法或者電子束蒸鍍分別在ｎ?ＺｎＯ和ｐ型ＧａＮ一端制備具有歐姆接觸的金屬電極；將ＡｌＮ薄膜／ｐ?ＧａＮ緊扣在ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列上面形成異質結，構成完整的器件。本發明在藍寶石上直接生長ＺｎＯ納米棒陣列，提高ＺｎＯ結晶度，提高電學性能，有效消除晶體質量差的問題；引入ＡｌＮ隔離層，有效較少了結區的剩余電子，增加ＺｎＯ區載流子復合效率，實現純ＺｎＯ紫外發光；ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列／ＡｌＮ／ｐ?ＧａＮ異質結發光二極管，發光位置在３８５ｎｍ左右，半峰寬為１４．５ｎｍ。
東南大學
2021-04-11