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本發(fā)明公開(kāi)了一種石墨烯/聚苯胺納米棒陣列復(fù)合材料的制備方法，將氧化石墨分散于酸溶液中并進(jìn)行細(xì)胞粉碎超聲處理，得到氧化石墨烯分散液；然后將苯胺單體溶液加入到氧化石墨分散液中，在-5~-10℃條件攪拌均勻；再加入過(guò)硫酸銨的酸溶液，繼續(xù)在-5~-10℃條件下攪拌反應(yīng)20~24h，過(guò)濾，得到氧化石墨/聚苯胺納米棒狀陣列復(fù)合物；還原，得到石墨烯/聚苯胺納米棒陣列復(fù)合材料可以用于制備染料敏化太陽(yáng)能電池的對(duì)電極。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了聚苯胺在氧化石墨表面的有序生長(zhǎng)，基于聚苯胺良好的電催化活性以及石墨烯優(yōu)異的導(dǎo)電性，石墨烯/聚苯胺納米棒陣列復(fù)合物同時(shí)具有高的電催化活生及導(dǎo)電性，且制備工藝簡(jiǎn)單，成本低。染料敏化太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)化效率高、成本低、制備工藝簡(jiǎn)單，是解決目前全球能源危機(jī)的最佳選擇之一。目前常用的對(duì)電極材料為鉑電極，但鉑作為貴金屬，其價(jià)格高昂且易被腐蝕，實(shí)用價(jià)值低。而聚苯胺電催化活性高，制備過(guò)程簡(jiǎn)單無(wú)污染，石墨烯比表面積大、導(dǎo)電性好，將二者復(fù)合，可有效替代鉑以成為染敏電池的對(duì)電極材料。以聚苯胺/石墨烯做對(duì)電極得到的染料敏化太陽(yáng)能電池制備工藝簡(jiǎn)單，造價(jià)低，污染小，光電轉(zhuǎn)換效率高，具有非常好的實(shí)際應(yīng)用前景。

本發(fā)明公開(kāi)了一種氧化石墨烯摻雜的分子印跡聚合物涂層攪拌棒及其制備方法與應(yīng)用。氧化石墨烯摻雜的分子印跡聚合物涂層攪拌棒包括玻璃毛細(xì)管、鐵芯和萃取涂層，鐵芯置于兩端熔封的玻璃毛細(xì)管內(nèi)，萃取涂層涂為化學(xué)鍵合在玻璃毛細(xì)管表面的氧化石墨烯摻雜的普萘洛爾分子印跡聚合物涂層。通過(guò)將用氫氧化鈉溶液活化的玻璃攪拌棒浸入有氧化石墨烯摻雜的分子印跡預(yù)聚液的模具中，反應(yīng)完成后取出得到氧化石墨烯摻雜的分子印跡聚合物涂層攪拌棒。本發(fā)明的氧化石墨烯摻雜的分子印跡聚合物涂層

本發(fā)明公開(kāi)了一種 GO-TiO2 復(fù)合材料及其制備方法和在分離/富集重金屬離子中的應(yīng)用。本發(fā)明在GO 上原位合成了納米 TiO2，對(duì)二者的比例進(jìn)行了優(yōu)化使氧化石墨烯和 TiO2 質(zhì)量比為 1∶1~9，制備了兼有 GO 和 TiO2 優(yōu)良性能的 GO-TiO2 復(fù)合材料，并成功用于分離/富集環(huán)境水樣和底泥中的重金屬和稀土元素。本發(fā)明

本發(fā)明公開(kāi)了一種三維氮摻雜石墨烯復(fù)合材料及其制備方法和在電化學(xué)生物傳感中的應(yīng)用。本發(fā)明 借助三維氮摻雜石墨烯高比表面積、良好的生物相容性、高導(dǎo)電率的特性，構(gòu)造三維氮摻雜石墨烯復(fù)合 材料，首先以泡沫材料為基底，在含惰性氣體、氫氣及碳源與氮源條件下，利用化學(xué)氣相沉積方法（CVD 法），得到含基底的三維氮摻雜石墨烯；然后對(duì)三維氮摻雜石墨烯進(jìn)行刻蝕、清洗處理得到三維氮摻雜 石墨烯復(fù)合材料。將三維氮摻雜石墨烯與酶/非酶材料進(jìn)行復(fù)合，得到相應(yīng)的三維氮摻雜石

本發(fā)明公開(kāi)了一種納米鈀-石墨烯三維多孔復(fù)合電催化劑的制備 方法，包括：將泡沫鎳依次采用冰醋酸、丙酮、乙醇和去離子水進(jìn)行 清洗；制備質(zhì)量濃度為 0.5mg/mL～10mg/mL 的氧化石墨烯水溶液，然 后將泡沫鎳直接浸泡到其中靜置反應(yīng)，形成三維多孔結(jié)構(gòu)的泡沫鎳-石 墨烯產(chǎn)物；將泡沫鎳-石墨烯產(chǎn)物直接浸泡在摩爾濃度為 0.05mmol/L～ 1mmol/L 的氯鈀酸鉀水溶液中，反應(yīng)結(jié)束后取出即可生成具備三維多 孔結(jié)構(gòu)并且

本發(fā)明公開(kāi)了一種納米氫氧化鈷-石墨烯復(fù)合膜、其制備方法及 應(yīng)用。所述復(fù)合膜，包括納米石墨烯底層和納米氫氧化鈷表層，所述 納米石墨烯底層厚度在 4000nm 至 6000nm 之間，所述納米氫氧化鈷表 層厚度在 50nm 至 100nm 之間，所述納米氫氧化鈷表層均勻沉積在所 述納米石墨烯底層上。其制備方法，包括以下步驟：將氧化石墨烯均 勻分散于水中，涂敷在片狀導(dǎo)電基底上，干燥得到納米氧化石墨烯膜； 組建三電極體系采用

（專(zhuān)利號(hào)：ZL 201410081975.1） 簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開(kāi)一種超級(jí)電容器用中空球形多孔石墨烯的一步法制備方法，屬于炭材料制備技術(shù)領(lǐng)域。該方法以可塑性的煤瀝青為碳源，納米氧化鎂為導(dǎo)向模板，氫氧化鉀為活化劑，三者干法研磨混合后的混合物轉(zhuǎn)移至剛玉舟中，置于管式爐內(nèi)在常壓或負(fù)壓的條件下進(jìn)行加熱，一步法制得超級(jí)電容器用中空球形多孔石墨烯材料。本發(fā)明直接以富含芳環(huán)、廉價(jià)的煤瀝青為原料，大大簡(jiǎn)化了制備工藝，增加了操作安全性。本發(fā)明具有工藝簡(jiǎn)單、成

世界上有數(shù)以百萬(wàn)的語(yǔ)言障礙患者，其中有的是由于先天缺陷導(dǎo)致其存在語(yǔ)言功能障礙，也有的是后天的一些疾病致使其喪失語(yǔ)言功能，語(yǔ)言功能障礙給他們的生活帶來(lái)了極大的困難和不便。電子人工喉是一種簡(jiǎn)易的語(yǔ)言康復(fù)方法，其通常需要安裝在口內(nèi)喉部，由肺部發(fā)出的氣流經(jīng)過(guò)舌、唇的調(diào)制，引起人工喉膜片振動(dòng)，使其發(fā)出語(yǔ)音信號(hào)。然而，現(xiàn)有電子喉助音器無(wú)法清晰還原患者聲音，發(fā)音模糊，訓(xùn)練周期長(zhǎng)，并且需要患者自己手持助音器于喉部，造成極大不便，所以亟需便于失語(yǔ)者攜帶、操作簡(jiǎn)單、性能優(yōu)異的新型人工喉的器件及系統(tǒng)研究。 本成果團(tuán)隊(duì)研究的第二代石墨烯智能人工喉（WAGT）在器件柔性可貼附、聲音收發(fā)系統(tǒng)集成、動(dòng)作監(jiān)測(cè)系統(tǒng)、輕型可穿戴等方面有了重大突破。首先，第二代石墨烯人工喉采用了更貼合人體皮膚的紋身式薄膜作為襯底，無(wú)需膠帶粘貼，可直接貼敷在人體喉嚨，極大地提高了佩戴舒適感；其次，第二代石墨烯智能人工喉在收發(fā)聲系統(tǒng)方面有了雙重突破，實(shí)現(xiàn)了石墨烯的器件級(jí)應(yīng)用至系統(tǒng)級(jí)應(yīng)用的跨越。通過(guò)專(zhuān)用電路對(duì)聲音信號(hào)的放大和轉(zhuǎn)換，第二代石墨烯智能人工喉首次將收聲系統(tǒng)和發(fā)聲系統(tǒng)連接起來(lái)，實(shí)現(xiàn)了聲音輸入到輸出的閉環(huán)，并可以通過(guò)示波器實(shí)時(shí)觀(guān)測(cè)喉部運(yùn)動(dòng)情況。接著，通過(guò)與單片機(jī)的結(jié)合，該器件可以將人體喉部的不同動(dòng)作“翻譯”成不同的聲音，實(shí)現(xiàn)了動(dòng)作發(fā)聲系統(tǒng)。通過(guò)連接解碼器，該器件還可以播放任意音樂(lè)。最后，第二代石墨烯智能人工喉系統(tǒng)可通過(guò)臂包穿戴在胳膊上，首次實(shí)現(xiàn)了石墨烯人工喉的可穿戴功能。未來(lái)將進(jìn)行體積更小及功能更多的集成，有望實(shí)現(xiàn)像“創(chuàng)可貼”一樣貼附在人體喉部并幫助失語(yǔ)者“開(kāi)口說(shuō)話(huà)”。

北京大學(xué)物理學(xué)院寬禁帶半導(dǎo)體研究中心沈波和楊學(xué)林課題組與俞大鵬、劉開(kāi)輝課題組合作，成功實(shí)現(xiàn)了Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長(zhǎng)，相關(guān)工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在線(xiàn)刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基寬禁帶半導(dǎo)體具有帶隙大、擊穿電場(chǎng)高、飽和電子漂移速度大等優(yōu)異，能夠滿(mǎn)足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫、高頻、高功率等性能的要求，對(duì)國(guó)家的高技術(shù)發(fā)展和國(guó)防建設(shè)具有重要意義。由于缺乏天然的GaN單晶襯底，GaN基半導(dǎo)體材料和器件主要在異質(zhì)襯底上外延生長(zhǎng)。因具有大尺寸、低成本及易于集成等優(yōu)點(diǎn)，Si襯底上外延GaN成為近年來(lái)學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界高度關(guān)注的熱點(diǎn)領(lǐng)域。 目前用于GaN外延生長(zhǎng)的Si襯底主要是Si(111)襯底，其表面原子結(jié)構(gòu)為三重排列，可為六方結(jié)構(gòu)的GaN外延提供六重對(duì)稱(chēng)表面。然而，Si(100)襯底是Si集成電路技術(shù)的主流襯底，獲得Si(100)襯底上GaN外延薄膜對(duì)于實(shí)現(xiàn)GaN器件和Si器件的集成至關(guān)重要。但Si(100)表面原子為四重對(duì)稱(chēng)，外延生長(zhǎng)時(shí)無(wú)法有效匹配；同時(shí)Si(100)表面存在二聚重構(gòu)體，導(dǎo)致GaN面內(nèi)同時(shí)存在兩種不同取向的晶疇。迄今國(guó)際上還未能實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長(zhǎng)。圖 Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長(zhǎng) 沈波和楊學(xué)林課題組創(chuàng)造性地使用單晶石墨烯作為緩沖層，在Si(100)襯底上實(shí)現(xiàn)了單晶GaN薄膜的外延生長(zhǎng)，并系統(tǒng)研究了石墨烯上GaN外延的成核機(jī)理和外延機(jī)制。該突破不僅為GaN器件與Si器件的集成奠定了科學(xué)基礎(chǔ)，而且對(duì)當(dāng)前國(guó)際上關(guān)注的非晶襯底上氮化物半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)和GaN基柔性器件研制具有重要的指導(dǎo)價(jià)值。