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本發(fā)明公開了一種基于直流母線結構的焊割網(wǎng)絡系統(tǒng)，包括電 網(wǎng)、EMI 濾波器、第一濾波電路、第一整流電路、直流母線和逆變電 源電路；直流母線提供直流電源給多臺焊割電源、多臺焊接電源和多 臺切割電源。本發(fā)明通過將多個逆變式焊割電源連接在同一直流母線 上，形成基于直流母線結構的焊割網(wǎng)絡系統(tǒng)，焊割電源只需完成直流直流的變換，既提高了焊割電源的功率密度，也實現(xiàn)了電流諧波的集 中治理，極大地提高了整個焊割系統(tǒng)的工作可靠性，降低設備之間的 相互影響；有效防止非線性負載電流畸變對電網(wǎng)的影響，可以隔絕 3 次諧波電流

本項目屬光、機、電、材一體化技術領域，具有多學科綜合的特點。半導體激光器具有效率高、體積小、重量輕、結構簡單、能將電能直接轉(zhuǎn)換為激光能、功率轉(zhuǎn)換效率高、便于直接調(diào)制、省電等優(yōu)點，因此應用領域日益擴大。半導體激光技術已成為一種具有巨大吸引力的新興技術并在工業(yè)中得到了廣泛的應用。高功率半導體泵浦激光器是半導體激光技術中最具發(fā)展?jié)摿Φ念I域之一。 半導體激光器最大的缺點是激光性能受溫度影響大，光束的發(fā)散角較大。封裝成本占半導體激光器組件成本的一半，封裝技術不僅直接影響泵浦激光器組件的可靠性，而且直接關系到泵浦激光器芯片的性能能否充分發(fā)揮。本項目對非致冷高功率980nm泵浦激光器的封裝技術進行了研究，整個封裝技術涉及光學、電學、熱學、機械等，精度達微米數(shù)量級。通過采用激光器芯片的倒裝貼片技術，小型化、全金屬化無膠封裝技術，最終滿足了光纖放大器對泵浦激光器小體積、高功率、低成本、高可靠性的要求。光耦合則采用透鏡光纖直接耦合，最大限度地減小耦合系統(tǒng)的元件數(shù)和相關損耗，提高了光路可靠性和易操作性。采用雙光纖光柵波長鎖定技術，提高了非致冷高功率980nm泵浦激光器的邊模抑制比和波長穩(wěn)定性。項目組通過采用這些技術，最終解決了一系列非致冷高功率980nm泵浦激光器封裝關鍵技術。 經(jīng)國家光學儀器質(zhì)量監(jiān)督檢測中心測試，非致冷高功率980nm泵浦激光器主要技術指標如下：    1. 管殼尺寸：12.7(mm)×7.4(mm)×5.2 (mm)    2. 工作溫度：0-70℃    3. 中心波長：980nm    4. 譜 寬：1nm    5. 閾值電流：24mA    6. 輸出功率：240mW    7. 功 耗：小于1W 本項目的研究成果，通過與相關企業(yè)開展產(chǎn)學研合作，經(jīng)過近五年的技術研發(fā)和不斷改進，非致冷高功率980nm泵浦激光器封裝關鍵技術研究成果已成功應用于相關產(chǎn)品的批量生產(chǎn)，為企業(yè)創(chuàng)造了較好的經(jīng)濟效益。在社會效益方面，填補了我國非致冷高功率半導體泵浦激光器方面的不足，對行業(yè)技術進步和產(chǎn)業(yè)結構優(yōu)化升級起到了積極的推動作用。 耦合封裝是對精度要求非常高的一系列工藝過程，這注定它很難實現(xiàn)自動化技術。因此，小型化泵浦激光器封裝技術的研究成果，特別適合在中國這樣人力成本低且技術基礎好的環(huán)境。通過對小型化980nm泵浦激光器封裝技術的研究，實現(xiàn)了封裝技術的源頭性創(chuàng)新，有助于向其他半導體泵浦激光器和光電器件的耦合封裝拓展。該技術在光電子器件的應用方面具有廣闊的市場潛力和廣泛的推廣應用前景，將成為形成光電子器件封裝技術產(chǎn)業(yè)的重要技術支撐。

大功率高壓調(diào)制電源能夠?qū)崿F(xiàn)300kW以上的功率輸出；用于為系統(tǒng)提供穩(wěn)定供電。 項目采用全固態(tài)設計方式，安全有效快速反應，供電波形規(guī)則，前后沿窄，采用整體油箱方式隔離高壓，安全性高。 該大功率電源的研制解決了微波、毫米波領域整機系統(tǒng)對供電的需求問題，實施后極大的提升整機性能，同時降低整機體積。

寬禁帶半導體硅基GaN器件以其高效率，高開關速度高工作溫度抗輻時等特點,成為當前國際功率半導體器件與技術學科的研究前沿及熱點，也是業(yè)界普遍認可的性能卓越的下代功率半導體器件。而S基GaN因其S基特性.能夠突破新材料在發(fā)展初期的成本牦頸且易與S集成電路產(chǎn)業(yè)鏈匹配，因此兼具高性能與低成本的優(yōu)點在消費電子(如手機快沖與天線充電).數(shù)據(jù)中心與人工智能，無人駕駛與新能源汽車、5G通信等團家戰(zhàn)略新興領城具有巨大的應用前景。電子科技大學功率集成技術實驗室自2008年起即開展硅基GaN功率器件與集成技術研究,圍繞硅基GaN兩大核心器件:增強型功率晶體管、功率整流器進行基礎研究與應用技術開發(fā)。解決了增強型功率晶體管閾值電壓大范圍調(diào)控功率二圾管導通電壓調(diào)控與耐壓可靠性加查等關鍵技術瓶頸,研究成果為硅基GaN的產(chǎn)業(yè)化奠定了重要基礎。

大功率高壓調(diào)制電源能夠?qū)崿F(xiàn)300kW以上的功率輸出；用于為系統(tǒng)提供穩(wěn)定供電。項目采用全固態(tài)設計方式，安全有效快速反應，供電波形規(guī)則，前后沿窄，采用整體油箱方式隔離高壓，安全性高。

針對現(xiàn)有無功功率可調(diào)補償裝置結構復雜、投資大，維護使用不方便等不足，本實用新型提供一種無功功率可調(diào)補償裝置，該種無功功率可調(diào)補償裝置，結構簡單、操作方便、投資低、使用壽命長、補償效果顯著。 本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是：一種無功功率可調(diào)補償裝置，由無功元件、晶闡管開關、用于降壓的變壓器等構成，其結果特點是：用于降壓的變壓器為調(diào)壓變壓器，變壓器原邊繞組的始端接高壓母線、末端接地或者接另一相的高壓母線，次邊繞組始端附近的調(diào)節(jié)觸點經(jīng)分接開關接低壓母線，該低壓母線與次邊繞組的末端之間接有無功元件與晶闡管開關的串聯(lián)體。 本實用新型的無功元件為電容器組或電抗器或濾波器，使得本實用新型既可吸收電網(wǎng)中的感性無功功率，也能吸收容性無容功率，還可在提高電網(wǎng)的功率因數(shù)的同時，濾除諧波提高電網(wǎng)質(zhì)量。

高功率密度伺服電機是一種采用緊湊型結構的新型稀土永磁電機。該電動機極槽最優(yōu)化配合，使電機體積、成本、加工性能、電機力能指標達到最佳，同時對力矩波動具有較強的抑制作用。高密度伺服電機和高精度磁編碼器以及驅(qū)動控制器三個部分可以組成高精度驅(qū)動控制系統(tǒng)。是先進制造技術的基礎，其應用范圍非常廣闊，如數(shù)控機床、精密電子裝備、工業(yè)自動化裝備、工業(yè)機器人、航空、航天等領域。

輸入電壓 220VAC±10%/50Hz， 輸出電壓 24VDC ； 輸出電流 430A， 效率： ≥92% （最高效率）， 輸出紋波電壓： <100mV， 功率因數(shù)： ≥0.99， 電源具輸入過、 欠壓保護功能、輸入過流、輸出過欠壓和過流保護功能，采用功率因數(shù)校正+移相全橋軟開關技術。

LED具有長壽命、節(jié)能環(huán)保、微型化等優(yōu)點，是目前最具競爭力的新一代綠色照明光源。突破高發(fā)光效率的功率型高端LED芯片技術，將加快實現(xiàn)LED在通用照明、可見光通信、高端顯示等領域的應用。在國家863計劃、廣東省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)LED專項等重大項目的支持下，項目團隊成功開發(fā)出效率超過130lm/W的高壓LED芯片、大尺寸垂直LED芯片和新型倒裝薄膜LED芯片，相關技術指標處于國內(nèi)領先水平。相關成果發(fā)表在Nanoscale Research Letters等國際權威期刊上，申請了22 項國家專利，其中已授

本成果為大功率高性能智能化的直流電源，可廣泛用于工業(yè)生產(chǎn)各個領域，主要用作通信、電站的直流充電電源，也可用于電解、化成、電鍍、焊接、電加熱、電火花加工電源。采用高頻開關技術，具有體積小，重量輕的優(yōu)點；采用電流模型PWM控制，精度高、動態(tài)性能好；采用單片機為核心的智能控制電路，操作簡單方便；具有通信接口，可以遙控遙測。最大功率10KW，輸出電壓系列40～32