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各種病毒性疫病在世界各地 不斷爆發(fā)，造成了慘重的損失， 并對人類健康造成了嚴(yán)重威脅。 由于病毒的快速變異，一般的疫 苗會喪失保護(hù)作用。

根據(jù)強(qiáng)化手段的不同, 高強(qiáng)化銅合金可分為兩類: 沉淀強(qiáng)化銅合金和彌散強(qiáng)化銅合金。沉淀強(qiáng)化銅合金是利用過飽和固溶體的脫溶沉淀, 通過時效熱處理, 達(dá)到強(qiáng)化效果。但沉淀析出相在高溫下會聚集長大或重新固溶于基體中, 隨著強(qiáng)化相的消失, 沉淀強(qiáng)化作用也隨之消失, 從而限制了這類銅合金的使用溫度和應(yīng)用范圍。目前被大量使用的鉻鋯銅合金就屬于這一類, 其表現(xiàn)為導(dǎo)電、導(dǎo)熱性損失較大，軟化溫度低(僅為500℃) 等。因此,鉻鋯銅合金在做點(diǎn)焊電極材料使用時經(jīng)常出現(xiàn)變形、粘附、使用壽命不長及熔敷現(xiàn)象, 頻繁的整修和更換電極嚴(yán)重影響了工作效率的提高。彌散強(qiáng)化銅合金則是通過在金屬基體中引入高度分散的熱穩(wěn)定性強(qiáng)的第二相質(zhì)點(diǎn)，阻礙位錯運(yùn)動，以達(dá)到提高強(qiáng)度的目的。而Al2O3粒子硬度高, 熱力學(xué)和化學(xué)穩(wěn)定性高，熔點(diǎn)高，在接近銅基體熔點(diǎn)的溫度下也不會明顯粗化，可以有效提高合金的高溫強(qiáng)度和硬度。因此，Al2O3彌散強(qiáng)化銅合金可以用在電阻焊電極、集成電路引線框架、微波管結(jié)構(gòu)導(dǎo)電材料、高速列車架空導(dǎo)線、熱核實(shí)驗(yàn)反應(yīng)堆、連鑄結(jié)晶器等方面。本研究開發(fā)的Al2O3彌散強(qiáng)化銅合金在保證傳統(tǒng)工藝內(nèi)氧化、還原徹底性和燒結(jié)致密性的前提下簡化了工藝過程降低了生產(chǎn)成本。 主要性能指標(biāo) 1.抗拉強(qiáng)度σb：420～560MPa； 2.延伸率：12～20%； 3.導(dǎo)電率：78～85%IACS； 4.軟化溫度：900℃； 5.導(dǎo)熱率：320～340W/ m·K； 6.電阻焊電極使用壽命為傳統(tǒng)Cr-Zr-Cu合金的3倍以上

根據(jù)強(qiáng)化手段的不同，高強(qiáng)化銅合金可分為兩類: 沉淀強(qiáng)化銅合金和彌散強(qiáng)化銅合金。沉淀強(qiáng)化銅合金是利用過飽和固溶體的脫溶沉淀，通過時效熱處理，達(dá)到強(qiáng)化效果。但沉淀析出相在高溫下會聚集長大或重新固溶于基體中，隨著強(qiáng)化相的消失，沉淀強(qiáng)化作用也隨之消失，從而限制了這類銅合金的使用溫度和應(yīng)用范圍。目前被大量使用的鉻鋯銅合金就屬于這一類，其表現(xiàn)為導(dǎo)電、導(dǎo)熱性損失較大，軟化溫度低(僅為500℃) 等。因此，鉻鋯銅合金在做點(diǎn)焊電極材料使用時經(jīng)常出現(xiàn)變形、粘附、使用壽命不長及熔敷現(xiàn)象，頻繁的整修和更換電極嚴(yán)重影響了工作效率的提高。彌散強(qiáng)化銅合金則是通過在金屬基體中引入高度分散的熱穩(wěn)定性強(qiáng)的第二相質(zhì)點(diǎn)，阻礙位錯運(yùn)動，以達(dá)到提高強(qiáng)度的目的。而Al2O3粒子硬度高，熱力學(xué)和化學(xué)穩(wěn)定性高，熔點(diǎn)高，在接近銅基體熔點(diǎn)的溫度下也不會明顯粗化，可以有效提高合金的高溫強(qiáng)度和硬度。因此，Al2O3彌散強(qiáng)化銅合金可以用在電阻焊電極、集成電路引線框架、微波管結(jié)構(gòu)導(dǎo)電材料、高速列車架空導(dǎo)線、熱核實(shí)驗(yàn)反應(yīng)堆、連鑄結(jié)晶器等方面。本研究開發(fā)的Al2O3彌散強(qiáng)化銅合金在保證傳統(tǒng)工藝內(nèi)氧化、還原徹底性和燒結(jié)致密性的前提下簡化了工藝過程降低了生產(chǎn)成本。

本發(fā)明公開了一種基于 Bi 基四元鹵化物單晶的半導(dǎo)體輻射探測 器及其制備方法，涉及半導(dǎo)體材料制備的射線成像探測器技術(shù)領(lǐng)域。 所述的半導(dǎo)體輻射探測器結(jié)構(gòu)包括以Bi基四元鹵化物單晶作為射線吸 光層，電子選擇性接觸選擇層，空穴選擇性接觸層，分別貼合在所述 吸光層的兩面，兩個電極分別與兩個選擇性電荷接觸層接觸，作為器 件的正極和負(fù)極。本發(fā)明的半導(dǎo)體輻射探測器具備高靈敏度，環(huán)境友 好，穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。

（專利號：ZL 201410317209.0） 簡介：本發(fā)明公開了一種以含鐵冶金塵泥為主要原料制備Fe2O3/Al2O3載氧體的方法，屬于固體廢棄物利用技術(shù)領(lǐng)域。該方法通過酸解和pH調(diào)節(jié)的溶膠凝膠方法在含鐵冶金塵泥中得到含有Fe-Al粒子的溶液，將該溶液氧化得到復(fù)合粒子溶液，以此為Fe-Al源進(jìn)行pH調(diào)節(jié)，產(chǎn)生兩種元素的氫氧化物沉淀，最后在氧氣或者空氣氣氛下焙燒生成Fe2O3/Al2O3載氧體。與傳統(tǒng)方法相比，該方法制備Fe2O3/Al2

本發(fā)明公開了一種海綿狀γ-Bi2MoO6多孔超級納米結(jié)構(gòu)材料的制備方法。稱取3mmoLBi(NO3)3·5H2O，加入1mL?HNO3和9mL?H2O,溶解得溶液A；稱取1mmoL?MoO3，溶解于20mL含有2.5mmol?NaOH的溶液中，得溶液B；將溶液B加入到溶液A中，然后向該反應(yīng)液加入一定量的十二烷基磺酸鈉；將反應(yīng)混合液轉(zhuǎn)移至40毫升帶有聚四氟乙烯內(nèi)襯的不銹鋼反應(yīng)釜中，密封后置于烘箱，設(shè)置一定的溫度，反應(yīng)10-15小時；反應(yīng)結(jié)束后，抽濾干燥，即得本發(fā)明的海綿狀γ-Bi2MoO6多孔超級納米

課題組與加州大學(xué)洛杉磯分校的倪霓課題組聯(lián)合研究了Mn-Bi-Te家族的另一成員，MnBi 4

采用高性能200W像素1/2.8英寸CMOS圖像傳感器，低照度效果好，圖像清晰度高 可輸出200萬(1920X1080)@25fps 支持H.265編碼，壓縮比高，超低碼流 支持CVBS/SDI輸出 最大紅外監(jiān)控距離30米 支持防閃爍，寬動態(tài)，3D降噪，強(qiáng)光抑制，背光補(bǔ)償，數(shù)字水印，電子防抖，適用不同監(jiān)控環(huán)境 支持H.264H,H.264,H264B,H.265，靈活編碼，適用不同帶寬和存儲環(huán)境 支持遮擋報警，虛焦偵測，SD卡異常，網(wǎng)絡(luò)異常，非法訪問，動態(tài)檢測，區(qū)域入侵，絆線入侵，物品遺留/消失，場景變更，徘徊檢測，全局配置，快速移動，人員聚集，非法停車，音頻異常偵測，人臉偵測，外部報警，起立檢測，客流量統(tǒng)計，區(qū)域人數(shù)統(tǒng)計,熱度圖 支持報警2進(jìn)2出，音頻1進(jìn)1出，RS485，BNC，128G SD卡，內(nèi)置MIC 支持DC12V/POE供電方式，支持電源返送，最大電流1A,方便工程安裝 支持IP67防護(hù)等級 類別 參數(shù) 參數(shù)值 外觀 紅外槍 傳感器類型 1/2.8英寸CMOS 最大分辨率 200萬 掃描方式 逐行掃描 電子快門 1/3s~1/100000s;可手動或自動調(diào)節(jié) 最低照度 0.002Lux(彩色模式);0.0002Lux(黑白模式);0Lux(紅外燈開啟) 信噪比 ＞56dB 最大補(bǔ)光距離 30米 補(bǔ)光燈數(shù)量 雙燈 強(qiáng)光抑制 支持 外調(diào)焦 支持 鏡頭類型 定焦 鏡頭接口 M12 鏡頭焦距 3.6mm 鏡頭光圈 3.6mm:F1.8 視場角 3.6mm:水平:76°;垂直:46° 對角:80.5° 光圈控制 固定 近攝距 3.6mm：0.9mm 智能 支持 智能功能 支持遮擋報警，虛焦偵測，SD卡異常，網(wǎng)絡(luò)異常，非法訪問，動態(tài)檢測，區(qū)域入侵，絆線入侵，物品遺留/消失，場景變更，徘徊檢測，全局配置，快速移動，人員聚集，非法停車，音頻異常偵測，人臉偵測，外部報警，起立檢 測，客流量統(tǒng)計，區(qū)域人數(shù)統(tǒng)計，熱度圖,并且可以與報警聯(lián)動;支持多種觸發(fā)規(guī)則聯(lián)動動作;支持目標(biāo)過濾

一種納米Ti4O7粉末的制備方法，各原料的重量百分?jǐn)?shù)如下：納米二氧化鈦粉末96％～97％，納米炭黑粉末2.9％～3.9％，芳香醛0.1～1％；工藝步驟如下：(1)將按上述重量百分?jǐn)?shù)計量的納米二氧化鈦粉末、納米炭黑粉末和芳香醛放入球磨機(jī)中，加入研磨球體和研磨介質(zhì)在常壓、室溫下進(jìn)行濕磨分散，當(dāng)納米二氧化鈦粉末、納米炭黑粉末和芳香醛混合均勻后，分離出研磨球體，得混合漿料，繼后將混合漿料在60～80℃進(jìn)行干燥，干燥時間1～3h；(2)將步驟(1)制備的混合料裝入加熱爐中，在真空條件或通流動惰性氣體的條件下加熱到800℃～1150℃并在該溫度進(jìn)行還原反應(yīng)，還原反應(yīng)的時間為1～4小時，反應(yīng)時間屆滿后隨爐冷卻至室溫。

“一種化學(xué)浴沉積擇優(yōu)取向生長的納米晶Cu2O薄膜的制備方法”屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域。現(xiàn)有方法一般對設(shè)備要求較高，需要比較復(fù)雜的程序，而最終難以控制成本，這會嚴(yán)重影響Cu2O薄膜的應(yīng)用范圍。本發(fā)明提供的納米晶Cu2O薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：分別按照硫酸銅與檸檬酸三鈉的摩爾濃度比范圍為12∶8～12∶36，硫酸銅與抗壞血酸鈉的摩爾范圍為1∶3～5∶6，將抗壞血酸鈉、檸檬酸三鈉溶液依次加入硫酸銅溶液中，使充分絡(luò)合；調(diào)節(jié)溶液pH值至7.0～10.0；置于50°C～95°C水浴溫度中反應(yīng)1.0h～3.