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硅二極管溫度傳感器錦正茂非標(biāo)定制
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專(zhuān)門(mén)適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。
DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。
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特點(diǎn)：
※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；
※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度；
※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數(shù)：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640
※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%；
※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達(dá)：75V；
※ 損壞前電流高達(dá)：長(zhǎng)時(shí)間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用；
※ 磁場(chǎng)影響：不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-07-28
清華大學(xué)機(jī)械系何永勇課題組在液體潤(rùn)滑領(lǐng)域界面摩擦機(jī)理研究方面取得新進(jìn)展
清華大學(xué)機(jī)械系摩擦學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室何永勇課題組從邊界潤(rùn)滑膜和動(dòng)壓潤(rùn)滑膜的耦合作用行為角度，首次系統(tǒng)地解釋了液體潤(rùn)滑界面摩擦和磨損性能的逆相關(guān)現(xiàn)象，澄清了邊界潤(rùn)滑膜與動(dòng)壓潤(rùn)滑膜的內(nèi)在耦合機(jī)理，提出了二者的耦合模型。
清華大學(xué)
2022-02-24
業(yè)大學(xué).jpg){kind=logo}
一種基于InDel分子標(biāo)記鑒定辣椒雄性不育三系配套雜交種真實(shí)性和純度的方法
本發(fā)明提供了一種基于InDel分子標(biāo)記鑒定辣椒雄性不育三系配套雜交種真實(shí)性和純度的方法。其方法為：將辣椒雜交種和親本培育至芽苗期，提取DNA，應(yīng)用核心引物對(duì)雜交種和親本進(jìn)行篩選，只有共顯性標(biāo)記的引物可以作為該雜交種真實(shí)性鑒定的分子標(biāo)記。若辣椒雜交種和親本在核心引物庫(kù)中無(wú)法篩選出共顯性標(biāo)記，則結(jié)合次級(jí)核心引物庫(kù)中繼續(xù)篩選，直至篩選出共顯性標(biāo)記。本發(fā)明建立的快速、同時(shí)鑒定辣椒雄性不育三系配套雜交種真實(shí)
青島農(nóng)業(yè)大學(xué)
2021-01-12
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清華大學(xué)化工系魏飛團(tuán)隊(duì)在亞納米尺度下原位研究分子吸附擴(kuò)散機(jī)制領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
清華大學(xué)化學(xué)工程系魏飛團(tuán)隊(duì)在亞納米尺度下原位研究分子吸附擴(kuò)散機(jī)制領(lǐng)域取得重要進(jìn)展。該團(tuán)隊(duì)采用皮米電鏡原位成像策略，實(shí)現(xiàn)了分子篩中小分子吸脫附行為和分子篩骨架結(jié)構(gòu)動(dòng)態(tài)演變的原位實(shí)時(shí)觀測(cè)，首次發(fā)現(xiàn)了剛性分子篩的亞單胞拓?fù)淙嵝越Y(jié)構(gòu)特點(diǎn)，揭示了分子擴(kuò)散突破孔徑限制的微觀機(jī)制，豐富了對(duì)分子篩擇形催化與限域效應(yīng)的理解。
清華大學(xué)
2022-05-09
清華大學(xué)電機(jī)系易陳誼課題組在鈣鈦礦太陽(yáng)能電池領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
清華大學(xué)電機(jī)系易陳誼課題組采用真空熱蒸發(fā)鍍膜與傳統(tǒng)溶液法相結(jié)合的工藝制備高質(zhì)量鈣鈦礦薄膜，突破了目前無(wú)甲胺銫甲脒鉛鹵鈣鈦礦（銫甲脒鈣鈦礦）太陽(yáng)能電池效率的最高記錄。
清華大學(xué)
2022-05-27
大學(xué).jpg){kind=logo}
基于交通大腦的城市廣域交通管控一體化關(guān) 鍵技術(shù)
提出了多源異構(gòu)交通大數(shù)據(jù)分析融合技術(shù)、城市廣域交
通AI 信號(hào)控制技術(shù)、城市廣域交通AI 協(xié)同管理技術(shù)和究城
市廣域交通運(yùn)行及管控評(píng)價(jià)技術(shù)。通過(guò)對(duì)關(guān)鍵技術(shù)突破及現(xiàn)
有技術(shù)集成應(yīng)用，形成能夠解決我國(guó)城市廣域交通管控突出
問(wèn)題的成套技術(shù)及解決方案。
浙江工業(yè)大學(xué)
2021-05-06
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碳納米管海綿功能復(fù)合材料的可控制備及儲(chǔ)能應(yīng)用
碳納米管海綿材料具有輕質(zhì)、柔性、抗腐蝕、耐高溫等特點(diǎn)。微觀上具有三維多孔結(jié)構(gòu)，能夠承受大應(yīng)變的反復(fù)壓縮而不坍塌，同時(shí)，碳納米管互相搭接形成高導(dǎo)電的三維網(wǎng)絡(luò)。這種綜合的優(yōu)良力學(xué)和電學(xué)性能使得碳納米管海綿在功能復(fù)合材料、吸附過(guò)濾等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。近年來(lái)，隨著社會(huì)對(duì)清潔、可再生能源的日趨重視，各種能量轉(zhuǎn)換和存儲(chǔ)器件的研究如火如荼。
北京大學(xué)
2021-02-01
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用于微切口腹腔鏡手術(shù)的電凝針和雙鞘管套管
本發(fā)明公開(kāi)了一種用于微切口腹腔鏡手術(shù)的電凝針和雙鞘管套管，所述雙鞘管套管，包括大小相同、對(duì)稱(chēng)設(shè)置的左鞘管和右鞘管，所述左鞘管和右鞘管均為半圓形管子，兩者圓弧面相背且在上部通過(guò)鉸鏈鉸接，左鞘管的上端部左側(cè)設(shè)有左進(jìn)氣口，右鞘管的上端部右側(cè)設(shè)有右進(jìn)氣口，在左進(jìn)氣口上方的左鞘管上設(shè)有左防漏氣閥，在右進(jìn)氣口上方的右鞘管上設(shè)有右防漏氣閥；所述電凝針，包括針尾和針尖，所述針尾與電凝線連接。配合使用本發(fā)明的電凝針和雙鞘管套管，只需1個(gè)10mm和1-2個(gè)2mm的切口，在手術(shù)難度沒(méi)有明顯增加的前提下，切口少且小，2mm的切口處恢復(fù)后切口疤痕幾乎不可見(jiàn)，患者手術(shù)術(shù)后切口疼痛的程度也大大降低。
浙江大學(xué)
2021-04-13
大學(xué).jpg){kind=logo}
基于GIS的城市區(qū)域石油化工重大危險(xiǎn)源風(fēng)險(xiǎn)管控系統(tǒng)
基于GIS技術(shù)構(gòu)建城市重大危險(xiǎn)源管理平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)重大危險(xiǎn)源定位、信息查詢，建立重大危險(xiǎn)源二級(jí)聯(lián)動(dòng)管理的模式。利用數(shù)據(jù)庫(kù)技術(shù)、GIS技術(shù)和事故后果模擬及動(dòng)態(tài)應(yīng)急救援輔助決策技術(shù)研究成果，采用面向?qū)ο笤O(shè)計(jì)方法結(jié)合災(zāi)害過(guò)程模擬仿真結(jié)果。在三維GIS場(chǎng)景中基于事故后果評(píng)估結(jié)果動(dòng)態(tài)輔助應(yīng)急救援決策，包括人員撤離路徑、消防車(chē)路徑和緊急救援通道的最短路徑分析、交通管制設(shè)置等，進(jìn)行應(yīng)急資源的快速調(diào)查和優(yōu)化調(diào)度。 該軟件系統(tǒng)可廣泛應(yīng)用于城市重大危險(xiǎn)源動(dòng)態(tài)管理、安全設(shè)計(jì)、廠區(qū)平面規(guī)劃和安全評(píng)價(jià)；成果
南京工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
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基于石墨烯-碳納米管復(fù)合結(jié)構(gòu)的熱噴印頭及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于石墨烯-碳納米管復(fù)合結(jié)構(gòu)的熱噴印頭及 其制備方法，采用 ICP 工藝以及 PDMS 填充深溝的表面平坦化工藝， 在硅片襯底上制備主通道、噴墨腔室、進(jìn)墨通道、噴嘴、噴墨通道； 采用陽(yáng)極鍵合工藝，以石墨烯碎片作為中間層，將玻璃基底和硅片襯 底鍵合。主通道和噴墨腔室通過(guò)進(jìn)墨通道連通，進(jìn)墨通道深度小于噴 墨腔室深度；噴嘴設(shè)置在噴墨腔室底部；碳納米管-石墨烯復(fù)合結(jié)構(gòu)微 氣泡發(fā)生器陣列和碳納米管溫度傳感器陣列
華中科技大學(xué)
2021-04-14