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一種固態盤閃存芯片閾值電壓感知方法及系統
本發明公開了一種固態盤內部閃存芯片閾值電壓感知優化方法， 主要用于多層單元閃存芯片使用低密度奇偶校驗碼糾錯時的一種優化 方法。該系統結構主要由 LDPC 編碼模塊、閃存芯片存儲模塊、非均 勻閾值電壓感知模塊、對數似然比計算模塊和 LDPC 譯碼模塊組成。 LDPC 編碼模塊主要對原始數據利用 LDPC 生成矩陣編碼生成碼字； 閃存芯片存儲模塊主要存儲數據；非均勻閾值電壓感知模塊主要對閃 存芯片進行非均勻閾值電壓感知；
華中科技大學
2021-04-14
基于電控液晶紅外匯聚平面微柱鏡的紅外波束控制芯片
本發明公開了一種基于電控液晶紅外匯聚平面微柱鏡的紅外波束控制芯片。包括電控液晶紅外匯聚平面微柱鏡陣列；電控液晶紅外匯聚平面微柱鏡陣列包括液晶材料層，依次設置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向層、第一電隔離層、圖形化電極層、第一基片和第一紅外增透膜，以及依次設置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向層、第二電隔離層、公共電極層、第二基片和第二紅外增透膜；公共電極層由一層勻質導電膜構成；圖形化電極層由布有 m×n 元陣
華中科技大學
2021-04-14
一種液晶基電調空間分辨率全色成像探測芯片
本發明公開了一種液晶基電調空間分辨率全色成像探測芯片，包括陶瓷外殼、金屬支撐和散熱板、驅控和圖像預處理模塊、面陣全色成像探測器、以及面陣電控液晶微透鏡，驅控和圖像預處理模塊、面陣全色成像探測器、以及面陣電控液晶微透鏡設置于陶瓷外殼內，陶瓷外殼后部固定設置于金屬支撐和散熱板頂部，驅控和圖像預處理模塊固定設置于陶瓷外殼后部與金屬支撐和散熱板連接處，面陣全色成像探測器平行設置于驅控和圖像預處理模塊頂部，面陣電控液晶微
華中科技大學
2021-04-14
一種適應多規格芯片的表面貼裝機拾取裝置
本發明公開了一種適應多規格芯片的表面貼裝機拾取裝置，包 括 Z 向進給模塊、傳動模塊、氣路模塊、花鍵軸模塊和吸嘴模塊，其 中 Z 向進給模塊用于帶動背板上下運動；氣路模塊中的真空發生器用 于產生真空，并通過氣管、快接接頭和花鍵軸聯接，在花鍵軸內部產 生真空環境；傳動模塊用于保證吸取的芯片在貼裝時姿態的精準度； 花鍵軸模塊用于傳遞旋轉運動和提供緩沖作用；吸嘴模塊則通過吸嘴 頭與吸嘴桿內嵌的密封墊產生不同的配合，控制不同組合的通氣孔的 開閉，進而使吸嘴頭產生不同尺寸的真空域。通過本發明，應能夠僅 采用一
華中科技大學
2021-04-14
一種用于無源超高頻 RFID 標簽芯片的解調電路
本發明公開了一種用于無源超高頻 RFID 標簽芯片解調電路， 包括整流電路、取包絡電路、低通濾波電路、均值產生電路、比較器、 整形電路、使能控制電路、偏置電路。整流電路由主級和輔助級構成， 采用閾值補償實現，取包絡電路在使能控制電路控制下提取包絡，低 通濾波電路直接采用 RC 結構，均值產生電路由運算放大器、二極管 和電容構成，利用峰值檢測的原理實現，比較器采用開環的運算放大 器實現，整形電路由兩個級聯的反相器構成，
華中科技大學
2021-04-14
一種液晶基單眼復眼一體化成像探測芯片
本發明公開了一種液晶基單眼復眼一體化成像探測芯片，包括陶瓷外殼、金屬支撐和散熱板、以及單眼復眼一體化成像探測架構，陶瓷外殼后部固置于金屬支撐和散熱板頂部，單眼復眼一體化成像探測架構設置于陶瓷外殼內，并包括同軸順序設置的驅控與圖像預處理模塊、面陣可見光探測器以及面陣電控液晶成像微透鏡，面陣電控液晶成像微透鏡用于從陶瓷外殼頂部開口接收可見光，并將該可見光聚焦到面陣可見光探測器，驅控與圖像預處理模塊通過通訊與控制信號
華中科技大學
2021-04-14
一種 LED 倒裝芯片的圓片級封裝結構、方法及產品
本發明公開了一種 LED 倒裝芯片的圓片級封裝結構、方法及產品，包括 LED 倒裝芯片、硅基板、透鏡、印刷電路板和熱沉；硅基板正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的長度與芯片的長度相同；硅基板的反面加工有兩組通孔，兩通孔與凹腔相連通；在凹腔和兩通孔的表面沉積有絕緣層；凹腔表面的絕緣層上沉積有散熱金屬層和反光金屬層；兩通孔內填充有金屬體，通孔內的金屬體與凹腔表面的散熱金屬層相接；凹腔內底部的兩金屬層存在一開口，用于將該金屬層隔離為兩部分；硅基板的反面沉積有絕緣層，該絕緣層表面布線用于電極連接的金屬層；凹
華中科技大學
2021-04-14
一種Si3N4/SiCw復相結合SiC耐火材料及其制備方法
小試階段/n本發明涉及一種Si3N4/SiCW復相結合SiC耐火材料及其制備方法。其技術方案是：以50~75wt%的碳化硅、18~36wt%的單質硅和2~15wt%的碳為原料，外加所述原料3~7wt%的改性結合劑，攪拌均勻，機壓成型，成型后的坯體在220℃條件下干燥8~48小時；干燥后的坯體在氮氣氣氛中燒成，隨爐自然冷卻至室溫，即得Si3N4/SiCW復相結合SiC耐火材料。所述燒成的溫度制度是：先升溫至890~920℃，保溫1~3小時；再升溫至1180~1350℃，保溫4~10小時；然后升溫至在1
武漢科技大學
2021-01-12
利用亞甲基自轉移反應制備 N-甲基化烏洛托品鹽的方法
本發明提供一種制備 N-甲基烏洛托品鹽的方法，將烏洛托品和質子酸生成的質子化烏洛托品鹽在適 宜條件下直接轉化成 N-甲基烏洛托品鹽。其原理為:烏洛托品質子化后生成含 N-H 鍵的叔胺陽離子; 陽離子的生成使與質子化氮原子相連的烏洛托品骨架上的亞甲基活化，繼之在適宜條件下發生斷鏈、轉 移和插入 N+-H 鍵的反應，最終生成 N-甲基烏洛托品陽離子，在這種亞甲基轉移反應中，陰離子一般不 參與反應。該制備方法不用其它甲基化試劑，涉及化學
武漢大學
2021-04-14
適合單位預防甲型H7N9流感的啄木鳥次氯酸鈉
產品詳細介紹
廣州市葳康電子科技有限公司
2021-08-23