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???? Zc25系列緣電絕阻表用于測量各種電機、電纜、變壓器、電訊元器件家用電器和其他電氣設(shè)備和絕緣電阻。

產(chǎn)品詳細介紹JKZC-G2/3/6系列非接觸式靜電電壓表校準(zhǔn)裝置關(guān)鍵詞：非接觸式，靜電，靜電裝置1. 概述    隨著工業(yè)技術(shù)特別是信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展，靜電對各部門的影響越來越大，靜電電壓表和靜電場強表使用越來越多，對靜電進行定期計量校準(zhǔn)、標(biāo)定檢定是確保靜電防護的基本條件。   JKZC-G系列靜電電壓表計量裝置能迅速準(zhǔn)確計量校準(zhǔn)、標(biāo)定檢定目前國內(nèi)外大部分的靜電電壓表和靜電場強表.。標(biāo)準(zhǔn)型主要適用于電子、航天、兵器、國防等與電子元器件、電子設(shè)備相關(guān)的行業(yè)。高壓型非接觸式靜電電壓表主要適用于石油、化工、油庫、消防、天燃氣、印刷、紡織、印染、橡膠、塑料、生產(chǎn)、儲運安全管理部門中有關(guān)靜電電壓表的校準(zhǔn)。可以校對正和負極雙極性靜電電壓表校對裝置，完全符合國家軍用標(biāo)準(zhǔn)GJB《非接觸式靜電電壓表校準(zhǔn)規(guī)程》要求。二、符合：完全符合國家軍用標(biāo)準(zhǔn)GJB《非接觸式靜電電壓表校準(zhǔn)規(guī)程》；符合標(biāo)準(zhǔn)：JJF 1517-2015非接觸式靜電電壓測量儀校準(zhǔn)JJF 1517-2015三、產(chǎn)品特點：1.既可校準(zhǔn)接觸式靜電電壓表，也可校準(zhǔn)計量非接觸式靜電電壓表；2.完全符合國家軍用標(biāo)準(zhǔn)GJB《非接觸式靜電電壓表校準(zhǔn)規(guī)程》；3.即可校準(zhǔn)靜電電壓，也可校準(zhǔn)靜電場強；4.數(shù)字顯示，分辨率高，分辨率和準(zhǔn)確度高 ；5.穩(wěn)定性好，體積小、重量輕；6.從0起連續(xù)可調(diào)，計量范圍寬； 7.多重保護、操作安全放心；8.多功能夾具，可夾圓形或方形及平面的靜電電壓表、場強表的探頭；9.全套包括靜電標(biāo)準(zhǔn)源、標(biāo)準(zhǔn)電極、定位支架及直流高壓分壓器等　3.1正和負極雙極性：JKZC-G2主要技術(shù)指標(biāo)測量范圍            0～±20kV 分壓比精度          0.5級驗收              0.3級最大允許誤差        ±1%正高壓電源輸出電壓量程        0-20KV  b：負高壓電源輸出電壓量程        -20kV -0最小分辨率          ±1V穩(wěn)定性              0.1% 電壓調(diào)節(jié)細度        ≤10V刻度尺范圍         （1~300）mm；電壓輸出誤差        優(yōu)于±1%刻度尺誤差優(yōu)于      ±（0.1~1）mm絕緣支架的絕緣電阻  >1TΩ絕緣支架的耐受電壓  >25kV距離調(diào)節(jié)裝置的調(diào)節(jié)細度≤0.2mmJKZC-G3主要技術(shù)指標(biāo)測量范圍            0～±30kV 分壓比精度          0.5級驗收              0.3級最大允許誤差        ±1%正高壓電源輸出電壓量程        0-30KV b：負高壓電源輸出電壓量程        -20kV -0最小分辨率          ±1V穩(wěn)定性              0.1% 電壓調(diào)節(jié)細度        ≤10V刻度尺范圍         （1~300）mm；電壓輸出誤差        優(yōu)于±0.001%刻度尺誤差優(yōu)于      ±（0.1~1）mm絕緣支架的絕緣電阻   >100TΩ絕緣支架的耐受電壓   >50kV距離調(diào)節(jié)裝置的調(diào)節(jié)細度≤0.1mm

本項目針對目前粉煤灰制取分子篩存在的粉煤灰中硅鋁溶出率不高、制得的分子篩純度低、粉煤灰中鋁利用率低等問題，提出粉煤灰首先經(jīng)碳酸鈉焙燒活化，經(jīng)活化后粉煤灰中硅鋁的溶出活性得到提高。活化后的粉煤灰經(jīng)堿溶出過程中，溶液中的硅和鋁的容出速度不同，且存在過飽和現(xiàn)象。利用這一溶解性質(zhì)的差異，可以先用少量水浸出硅酸鈉，過濾后得到硅酸鈉溶液。向硅酸鈉溶液中通入CO2，可通過沉淀法制備白炭黑產(chǎn)品。這樣既可以脫除粉煤灰中部分硅，生產(chǎn)白炭黑，又可以提高粉煤灰中鋁硅比，再用堿液來浸取脫硅后的粉煤灰，得到硅鋁酸鈉浸出液，經(jīng)過濾，調(diào)節(jié)pH，可在不同pH條件下的過飽和期內(nèi)分離反應(yīng)混合物，解決粉煤灰中硅鋁的共溶出問題，利用溶出液中的硅鋁制備純沸石分子篩，實現(xiàn)粉煤灰中硅和鋁的回用。由于利用活化粉煤灰中的硅和鋁共溶出制備分子篩，與一般堿、硅酸鈉和鋁酸鈉混合反應(yīng)制備分子篩的原料不同，在同樣的晶化條件下，老化時間顯著縮短，節(jié)省能耗。 隨著經(jīng)濟的發(fā)展，對電力的需要會不斷增加，這意味著粉煤灰的排放會越來越大。所以，本項目可提供用于粉煤灰制備各類純沸石分子篩的基本原料，也為粉煤灰綜合利用提供一種新工藝。 應(yīng)用范圍：涉及粉煤灰的綜合利用及生產(chǎn)白炭黑和分子篩材料的生產(chǎn)方法，適用于制備A型、X型、Y型、L型、絲光沸石及毛沸石等具有硅鋁酸鹽晶體骨架結(jié)構(gòu)的各類分子篩。  

本發(fā)明公開一種磁共振用鼠標(biāo)，包括上外殼、下外殼、軌跡球、電路板和電纜，上外殼、下外殼的內(nèi)表面涂覆有銀銅導(dǎo)電漆層，銀銅導(dǎo)電漆的濃度為13％-17％；本發(fā)明還公開了磁共振用鼠標(biāo)的制作方法和信號傳輸裝置。本發(fā)明能夠滿足功能磁共振的臨床使用，避免信號干擾，保證遠端計算機準(zhǔn)確接收到受試者的響應(yīng)。

本發(fā)明公開了一種多層片式陶瓷元件內(nèi)電極用導(dǎo)電漿料及其制 備方法和應(yīng)用。該漿料包括 Ni-ZnO 復(fù)合粉體和有機粘合劑，其中， Ni-ZnO 復(fù)合粉體的質(zhì)量百分比為 70～80％，有機粘合劑的質(zhì)量百分比 為 20～30％；Ni-ZnO 復(fù)合粉體為 ZnO 包裹的 Ni 粉。該方法包括如下 步驟：制備 Ni-ZnO 復(fù)合粉體；將質(zhì)量百分比為 70～80％的 Ni-ZnO 復(fù) 合粉體和質(zhì)量百分比為 20～30％的有機粘合劑混合后球磨，得

本發(fā)明公開了一種多層片式陶瓷元件內(nèi)電極用導(dǎo)電漿料及其制 備方法和應(yīng)用。該漿料包括 Ni-ZnO 復(fù)合粉體和有機粘合劑，其中， Ni-ZnO 復(fù)合粉體的質(zhì)量百分比為 70～80％，有機粘合劑的質(zhì)量百分比 為 20～30％；Ni-ZnO 復(fù)合粉體為 ZnO 包裹的 Ni 粉。該方法包括如下 步驟：制備 Ni-ZnO 復(fù)合粉體；將質(zhì)量百分比為 70～80％的 Ni-ZnO 復(fù) 合粉體和質(zhì)量百分比為 20～30％的有機粘合劑混合后球磨，得

本發(fā)明涉及城市污水廠及給水廠污泥的廢棄物資源化處理利用。本發(fā)明輕質(zhì)陶粒的制備方法，包括原料配料、均化、成型、預(yù)處理、焙燒、冷卻，其特征在于：a.原料重量比：給水廠污泥70～100％，污水廠污泥0～30％；b.預(yù)處理：溫度300℃～500℃，預(yù)處理時間10～30min；c.焙燒：溫度1130℃～1170℃，時間5～15min。以給水廠污泥為主要原料，加入污水廠污泥為添加劑燒制的陶粒，應(yīng)用價值高，不但同時處置了大量的給水廠和污水廠污泥，實現(xiàn)兩種污泥的綜合利用，還能得到性能較好的輕質(zhì)陶粒，并能配制出可以

現(xiàn)階段所設(shè)計的存算一體器件單元結(jié)構(gòu)如圖 1 所示： 器件的基本結(jié)構(gòu)由波導(dǎo)和功能層（由下到上分為加熱層、電極層、保護層、相變材料（硫系化合物）層）所構(gòu)成。擬通過在當(dāng)前流行的絕緣層上硅(SOI)光子平臺上集成四氮化三硅光波導(dǎo)的方式實現(xiàn)器件的光學(xué)讀取功能，即在非常厚的硅襯底層上生長一層絕緣層二氧化硅和波導(dǎo)層，然后在基片上通過光刻、顯影、刻蝕等工藝制備四氮化三硅波導(dǎo)。功能層主要用于實現(xiàn)器件的電學(xué)寫入功能。加熱器層的主要用途是與相變材料層形成電接觸，通過較小的接觸面積使接觸處的熱量集中，從而可以在較小的電壓或電流下使相變材料發(fā)生相變。因此需要加熱器層具備較好的導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能，同時在近 C 波段具有較低的光損耗，可采用石墨烯。電極層可用于提供相變材料器件單元所需要的編程電脈沖。當(dāng)前擬采用硒摻雜的相變材料合金（如 GSST）作為器件的核心功能層的相變材料。該材料在通信/非通信波段顯示了極低的光損耗和更高的品質(zhì)因數(shù)，且相變前后在通信 C 波段具有足夠大的光學(xué)常數(shù)反差，可在更惡劣的高溫環(huán)境下進行操作，適用于硅基光子器件應(yīng)用。 采用的主要技術(shù)手段包括： ① 依托于相變材料的電致和光致相變特性，通過電學(xué)編程、光學(xué)讀取的方法實現(xiàn)器件的存儲、算術(shù)運算和邏輯運算功能：  存儲功能的實現(xiàn)：擬利用相變材料晶態(tài)低透過率和非晶態(tài)高透過率分別代表二進制中的‘1’和‘0’，實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲（編程）功能。例如在電極兩端施加合適的電脈沖，所產(chǎn)生電流流經(jīng)加熱層時，生成的熱量主要集中在加熱層和相變材料層接觸處，使得接觸處的相變材料發(fā)生相變，實現(xiàn)存儲功能。在完成上述編程操作后，從器件波導(dǎo)輸入端輸入讀取連續(xù)光。由于相變材料功能層對光強的吸收能力在編程和非編程區(qū)域間存在著顯著的差異，因此當(dāng)輸入光經(jīng)過波導(dǎo)后，其能量會因為相變材料編程區(qū)域的吸收而發(fā)生改變，進而顯著改變輸出光強能量。所以通過測量輸入輸出光強的能量之比（即透過率），可實現(xiàn)對先前編程區(qū)域的讀取。  算術(shù)和邏輯功能的實現(xiàn)：通過調(diào)整編程電脈沖的幅度和寬度可以動態(tài)調(diào)控相變材料的相變程度，使得器件的中間透過率值可用于代表不同的數(shù)值，實現(xiàn)多級存儲功能。所以擬采用輸入脈沖數(shù)量對應(yīng)加數(shù)的方法實現(xiàn)標(biāo)量加法計算。同時由于所設(shè)計器件的讀取連續(xù)光輸出功率可視為讀取連續(xù)光輸入功率和器件透過率的乘積，因此可采用將輸入功率和透過率作為被乘數(shù)和乘數(shù)的方法實現(xiàn)基本乘法運算。除此之外還可以將器件功能層的初始狀態(tài)設(shè)置為非晶相，把晶化脈沖幅值和不足以產(chǎn)生晶化的脈沖幅值分別作為輸入邏輯‘1’和‘0’；同時設(shè)定一個判定閾值并與編程后器件透過率的變化率進行對比，把高于和低于閾值的透過率變化率分別作為輸出邏輯 ‘1’和‘0’；通過合理選擇編程脈沖有望實現(xiàn)各種邏輯功能輸出。 ② 基于器件透射率可調(diào)特性驗證其實現(xiàn)神經(jīng)突觸的可行性。并依托所設(shè)計人工突觸構(gòu)建人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片，實現(xiàn)圖像、語音和文本識別功能：  突觸可塑性是大腦記憶和學(xué)習(xí)的神經(jīng)生物學(xué)基礎(chǔ)，也是人工類腦器件需要實現(xiàn)的首要功能。為實現(xiàn)突觸可塑性，擬把相變材料和波導(dǎo)之間的耦合區(qū)域視為仿生神經(jīng)突觸，左右兩端電極分別代表突觸前和突觸后，分別施加在兩端電極上的電脈沖則作為突觸前和突觸后刺激。通過調(diào)節(jié)從左右兩端電極輸入耦合區(qū)域的電脈沖時間差對耦合區(qū)域的光透過率進行連續(xù)調(diào)控，進而依托于上述存算理論模型和實物器件仿真和實驗實現(xiàn)仿生神經(jīng)突觸的脈沖時序依賴可塑性（Spike-Timing-Dependent-Plasticity, STDP)。  將不同波長的光脈沖序列輸入所設(shè)計的突觸單元, 經(jīng)過相變材料的作用，脈沖強度發(fā)生變化，對應(yīng)于乘法器。進而借助于微環(huán)結(jié)構(gòu)，將不同波長的脈沖導(dǎo)入進同一波導(dǎo)中，該功能類似加法器。相加后的脈沖光強較小時，讀取光與微環(huán)發(fā)生共振，在輸出端口沒有光強輸出。當(dāng)光強達到一定的閾值后，讀取信號不再和微環(huán)發(fā)生共振，而是傳播到輸出端口。這一過程類似神經(jīng)元脈沖信號的激發(fā)，實現(xiàn)了非線性激活函數(shù)的功能。利用上述的單個神經(jīng)元結(jié)構(gòu)，驗證其監(jiān)督式機器學(xué)習(xí)和非監(jiān)督式機器學(xué)習(xí)。對于監(jiān)督式機器學(xué)習(xí)，權(quán)重的數(shù)值通過外部管理器設(shè)置；對于非監(jiān)督式機器學(xué)習(xí)，不再需要外部管理器來設(shè)置權(quán)重值，而是通過輸出光脈沖進行反饋控制，調(diào)整權(quán)重值。在單個神經(jīng)元結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，更復(fù)雜的光學(xué)脈沖神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，證明該結(jié)構(gòu)的可擴展性。擬設(shè)計的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中的每一層結(jié)構(gòu)包括三個功能單元，即收集器、分發(fā)器和神經(jīng)突觸結(jié)構(gòu)。收集器將上一層不同波長的光脈沖信號收集到同一根波導(dǎo)中，分發(fā)器將光脈沖分發(fā)給多個神經(jīng)元，神經(jīng)突觸結(jié)構(gòu)則產(chǎn)生光脈沖信號，輸入給下一層結(jié)構(gòu)。基于上述結(jié)構(gòu)實現(xiàn)圖片、語音和文本的識別。 創(chuàng)新性分析：①首次研究了一款基于“電學(xué)編程、光學(xué)讀取”模式的光電混合存算一體化器件。與傳統(tǒng)電學(xué)存算一體化器件相比,擬研發(fā)的器件可以進行長距離的信息傳輸，具有傳輸帶寬高、信號間延遲低、損耗低、抗干擾、集成密度高等優(yōu)點。②采用硒(Se)摻雜的相變材料作為存算一體化器件的核心功能材料。與采用其他相變材料的存算一體器件相比，以硒參雜的相變材料作為功能材料的存算一體器件有望展現(xiàn)出極低的光損耗。③提出了一種基于“電學(xué)脈沖刺激、光學(xué)權(quán)重調(diào)節(jié)”的人工神經(jīng)突觸。該突觸器件有望成為未來通用型人工神經(jīng)突觸，填補了光電混合型人工突觸的技術(shù)空白。 先進性分析：①所提出的光電混合工作模式使得該存算一體化器件不但具有傳統(tǒng)集成電路的高密度特性，且兼具光通信技術(shù)的寬頻帶、低延遲、抗干擾的優(yōu)越性能。②所采用硒參雜的相變材料不但繼承了傳統(tǒng)材料具有的快速相變轉(zhuǎn)化速度、低功耗和穩(wěn)定性強等特性，且本身在通信波段非晶態(tài)透明的同時還保持了相變前后足夠大的光學(xué)性能差異的特點。③所設(shè)計的突觸繼承了人工電子突觸和全光突觸的優(yōu)點，具有高集成度、低功耗、超快響應(yīng)時間、穩(wěn)定性強等優(yōu)點。 獨占性分析：根據(jù)已取得成果正在撰寫專利，以獲得該關(guān)鍵技術(shù)的獨有權(quán)。 

本發(fā)明公開了一種空間多自由度定位裝置及其空間位置解算方法。所述裝置包括底板平臺、第一三維轉(zhuǎn)臺、第二三維轉(zhuǎn)臺、第一轉(zhuǎn)臺底座、第二轉(zhuǎn)臺底座、伺服電機、絲杠和導(dǎo)軌，導(dǎo)軌鋪設(shè)在底板平臺上，第一三維轉(zhuǎn)臺安設(shè)在第一轉(zhuǎn)臺底座上，第一轉(zhuǎn)臺底座固定在底板平臺的一端，第二三維轉(zhuǎn)臺安設(shè)在第二轉(zhuǎn)臺底座上，第二轉(zhuǎn)臺底座可以沿導(dǎo)軌做靠近或遠離第一轉(zhuǎn)臺底座的運動，兩個目標(biāo)物體分別固定在第一三維轉(zhuǎn)臺和第二三維轉(zhuǎn)臺上。所述空間位置解算方法根據(jù)本發(fā)明裝置的機械結(jié)構(gòu)特點，通過固定在夾具上兩物體間期望的空間位置姿態(tài)關(guān)系解算出裝置上每個運動部件的運動量。本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)空間中兩個物體之間的復(fù)雜相對位置姿態(tài)的定位。

推進節(jié)能減排，發(fā)展低碳經(jīng)濟和包括半導(dǎo)體照明在內(nèi)的綠色節(jié)能產(chǎn)業(yè)，不斷擴大綠色消費已成為實現(xiàn)我國經(jīng)濟可持續(xù)健康發(fā)展的重要內(nèi)容。半導(dǎo)體照明的發(fā)展，在進一步降低成本和提升光品質(zhì)的基礎(chǔ)上，將會朝著更高的可靠性以及智能化等方向發(fā)展，從而提升產(chǎn)品的附加值。可靠性方面，最重要的是控制LED的結(jié)溫。當(dāng)芯片設(shè)計不良、或者封裝的散熱設(shè)計不良、或者燈具的散熱設(shè)計不良、或者燈具的使用環(huán)境溫度過高時，都可能導(dǎo)致LED的結(jié)溫升高，從而影響LED的性能和壽命。智能照明方面，目前面