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本發(fā)明公開了一種紅外聚光芯片。該芯片包括圓柱形的液晶調相架構，其包括液晶材料層，依次設置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向層、第一電隔離層、圖形化電極層、第一基片和第一紅外增透膜，以及依次設置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向層、第二電隔離層、公共電極層、第二基片和第二紅外增透膜；圖形化電極層由圓形導電膜和同心設置在圓形導電膜外圍的至少一個圓環(huán)形導電膜構成，圓形導電膜的直徑大于與其相鄰的圓環(huán)形導電膜的徑向寬

芯片是信息科技的基礎與推動力。然而，現(xiàn)有的硅基芯片制造技術即將觸碰其極限，碳納米管技術被認為是后摩爾技術的重要選項。相對于傳統(tǒng)的硅基CMOS晶體管，碳納米管晶體管具有明顯的速度和功耗綜合優(yōu)勢。IBM的理論計算表明，若完全按照現(xiàn)有二維平面框架設計，碳納米管技術相較硅基技術具有15代、至少30年以上的優(yōu)勢。此外，Stanford大學的系統(tǒng)層面的模擬表明，碳納米管技術還有望將常規(guī)的二維硅基芯片技術發(fā)展成為三維芯片技術，將目前的芯片綜合性能提升1000倍以上，從而將物聯(lián)網、大數(shù)據(jù)、人工智能等未來技術提升到一個全新高度。

       芯片功率器件測試平臺，以工程教育專業(yè)認證為引領參與高校專業(yè)建設，以信息化引領構建學習者為中心的教育生態(tài)，培養(yǎng)集成電路硬件測試人才。為學生提供豐富的教學資源以及貼近現(xiàn)實的產業(yè)環(huán)境，支撐集成電路相關課程的教學與實訓，且能進行項目開發(fā)和師資培訓。

本成果將全息技術與位置復用、偏振復用、共形超穎表面、非對稱傳輸、結構色、相變材料、軌道角動量調控等超穎表面相關特性相結合，設計出了多種基于光學超穎表面的多維信息復用防偽標識，為提升光存儲技術的存儲密度和防偽加密性能提供了新的解決方案，具有極大的設計優(yōu)勢和應用前景。 一、項目分類 關鍵核心技術突破 二、技術分析 近年來，超穎表面作為一個新興的研究領域發(fā)展迅速，其強大的波前調控能力和與生俱來的超薄、緊湊的性質非常適合應用于光學加密、防偽領域。為了推進超穎表面的實用化發(fā)展，增加其信息容量，項目組在超穎表面的多維信息復用領域做出許多努力。將全息技術與位置復用、偏振復用、共形超穎表面、非對稱傳輸、結構色、相變材料、軌道角動量調控等超穎表面相關特性相結合，設計出了多種基于光學超穎表面的多維信息復用防偽標識，為提升光存儲技術的存儲密度和防偽加密性能提供了新的解決方案，具有極大的設計優(yōu)勢和應用前景。 基于光學超穎表面的多維信息復用防偽標識與加密技術信息容量大，能提供多層次的防偽特征；必須采用電子束刻蝕系統(tǒng)進行加工，設計制造難度高，極難仿制和偽造；面積小，外表精致，不影響產品或證件的外觀；具有極高的唯一性，由于全息算法的特性，即使對應的全息再現(xiàn)像完全相同，也可以通過對比SEM圖來從根源上避免偽造。該技術代表著未來光學加密、防偽技術的發(fā)展方向，可作為數(shù)據(jù)存儲、模式識別、信息處理和光學加密的平臺，有望在增強現(xiàn)實、智能手機等人機交互領域及防偽、信息加密等信息安全領域發(fā)揮關鍵作用。

近日，我院趙堃博士后撰寫的題為“A Review on Bank Retreat: Mechanisms, Observations, and Modelling”的論文被國際頂級期刊Reviews of Geophysics錄用。該論文系統(tǒng)介紹了邊壁侵蝕后退過程的形成機理及其地貌效應。

高校科技成果盡在科轉云

成果與項目的背景及主要用途： 人類通過視覺系統(tǒng)獲取的信息占獲取信息總量的 80%以上，如果說計算機相 當于人類的大腦，那么圖像傳感器則相當于人類的眼睛。圖像傳感器作為圖像信 息獲取最重要和最基本的技術在信息世界中將占據(jù)著極其重要的地位。半導體圖 像傳感器相比傳統(tǒng)的膠片成像具有可實時處理和顯示、數(shù)字輸出、便于儲存和管 理等諸多優(yōu)勢，正在迅速成為圖像傳感器發(fā)展的主導力量。CMOS 圖像傳感器相 對于 CCD 圖像傳感器具有單片集成、低功耗、低成本、體積小、圖像信息可隨 機讀取等一系列優(yōu)點。在手機拍照、PC 攝像、機器視覺、視頻監(jiān)控等諸多領域 已經取代了 CCD 圖像傳感器。 技術原理與工藝流程簡介： （1）時間延遲積分型 CMOS 圖像傳感器芯片 通過 0.18μm 1P4M CMOS 工藝完成了對最高 128 級線陣長度為 1024 像素的 TDI 型 CMOS 圖像傳感器芯片的設計、投片和測試工作。 （2）具有緊湊讀出的多次積分動態(tài)范圍擴展 CMOS 圖像傳感器 提出了一種通過多次積分擴展動態(tài)范圍的方法，采用緊湊讀出方式，以降低 對對讀出電路的工作速度要求。成功流片 128×128 陣列原型，動態(tài)范圍可以擴展 39dB,像素讀出時間相對于滾筒是曝光增加了 3 倍。 應用前景分析及效益預測： ?該領域開始向著高清專業(yè)攝像、高精度工業(yè)和醫(yī)療成像、抗輻射太空成像等 專業(yè)高端領域邁進。CCD 傳感器的衰退之勢難以挽回，CMOS 將在未來幾年保 持優(yōu)勢地位。2015 年，CMOS 出貨量將達到 36 億個，份額達 97%；而 CCD 出 貨量將下降到只有 9520 萬個，占 3%份額。 應用領域： CMOS 圖像傳感器廣泛應用于消費類、工業(yè)和科技等各個領域。民用領域： 拍照手機、數(shù)碼相機、可視門鏡、攝像機、汽車防盜等；工業(yè)領域：生產監(jiān)控、 安全監(jiān)控等。 技術轉化條件： 四十平方米以上的辦公用房，電腦、工作站若干，相應軟件。也可以和 RFID 天線制造單位，卡片封裝單位共同合作。 合作方式及條件：根據(jù)具體情況面議

芯片的重要功能包括:地面數(shù)字電視傳輸標準 DTMB、有線數(shù)字電視傳輸標準、AVS/MPEGII 解碼和 UTI 接口等。清華大學是 DTMB 的重要技術提供方，已經于 2007 年 11 月順利完成了 DTMB 解調芯片的 MPW 流片，主要性能與國內最好產品的指標相當，一 些指標國內領先，當前正在完成國家重大專項數(shù)字電視 SoC 設計和產業(yè)化項目。清華大學 同時也是工信部確定的《數(shù)字電視接收機 UTI 機卡分離接口技術規(guī)范》和《數(shù)字電視接收 機 UTI 機卡分離接口測試規(guī)范》兩項標準的牽頭研發(fā)單位。在電視機產業(yè)面臨升級換代的 關鍵時刻，我們愿意充分發(fā)揮自己的技術優(yōu)勢，與合作伙伴一道，以國家重點支持的高端數(shù) 字電視芯片 SoC 設計為契機，開發(fā)出低成本、高可靠性和有市場競爭力的芯片，為當?shù)仉?子信息產業(yè)的發(fā)展盡微薄之力。

人工智能物聯(lián)網時代要求語音交互有非常好的體驗感,室內環(huán)境下,當距離超過兩米后,通過墻壁的反射造成的混響、音響設備的回聲及其他環(huán)境噪聲對語音識別帶來了極大的影響,因此基于麥陣的聲音采集與處理模塊成為物聯(lián)網時代的最佳人機交互采集模塊。目前成熟的麥克風陣列語音信號采集與前端處理模塊尚未出現(xiàn)，市面上僅有少數(shù)國外廠家如科勝訊提供雙麥降噪芯片。同時,語音識別應用還需要配合降噪處理,目前的方案全部采用分離設計,一顆降噪芯片+一顆語音識別芯片。近年來隨著大數(shù)據(jù)挖掘,基于人工智能神經網絡的深度學習開始在語音識別領域進行推廣運用,相對于傳統(tǒng)的GMM模型,識別率得到了很大的提升。然而神經網絡計算量非常巨大,需要采用GPU或CPU陣列的方式來進行運算,并且需要外加語音陣列降噪模塊,其方案成本高,體積和功耗大。因此市場上對一款同時支持遠場語音麥陣降噪和神經網絡識別,具備高性價比的單芯片需求極大,具有巨大的市場前景和競爭力。

本項目中的鋰電池組監(jiān)控芯片是用鋰電池供電的產品中不可或缺的芯片，能夠完成電池組中單體電池的電壓監(jiān)控、溫度監(jiān)控和電量均衡等功能。該芯片包括一個12位ADC、高精度的電壓基準、高壓多路選擇器和與片外CPU通信的接口。芯片最多可以管理12節(jié)鋰電池串聯(lián)而成的電池系統(tǒng)。電壓測量精度為1mV、12節(jié)電池的測量時間小于20ms，測量時的功耗小于1mA，待機功耗小于50uA。芯片還提供串行電流通信模式，可以實現(xiàn)多個芯片的串聯(lián)通信，從而可用多個芯片完成數(shù)百伏電池組的管理。該芯片可用在以下產品的電池管理系統(tǒng)中：電動或混合動力汽車、便攜式高壓設備、備用電池系統(tǒng)、電動自行車或摩托車等。歡迎以上領域的終端產品或模塊產品企業(yè)與項目組合作，推廣該芯片及其設計技術。