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本發(fā)明公開了一種基于計算機視覺的個性化腳部建模與鞋墊定制方法，包括：獲取被測者的腳部視頻數據，對腳部視頻數據中相鄰的兩幀圖像進行特征點提取，并用利用光流法對相鄰視頻幀之間的特征點進行跟蹤匹配，采用零均值歸一化互相關系數 ZNCC 驗證剔除其中不可靠的跟蹤結果，并根據跟蹤匹配的結果構造特征點的軌跡，對腳部視頻數據中的關鍵幀進行選取，根據得到的特征點軌跡，并利用SFM 方法對視頻關鍵幀隊列中的特征點軌跡進行三維重建，以生

本發(fā)明公開了一種基于有限元的鈦合金變齒距銑削三維建模方 法，包括以下步驟:首先獲取刀具系統參數、工件與刀具的材料參數， 并制定切削工藝參數;根據工藝參數，按照銑刀各刀齒與前一刀齒的 徑向夾角之比等于對應的每齒進給量之比的原則進行銑刀幾何建模; 對銑刀與工件的物理模型、接觸關系與運動關系進行建模;提交工作 到 ABAQUS/Explicit 求解器進行求解計算;得到求解結果后，繪制銑 削力-時間曲線圖，銑削溫度-時間曲線圖，或某特定節(jié)點集合的應力、 應變圖。由于本發(fā)明中考慮了銑刀的

本發(fā)明公開了一種基于改進的 SVD-Krylov 算法的數控機床進給 系統建模方法，該算法包括如下步驟：基于動力學方程建立數控機床 進給系統的狀態(tài)空間方程模型；獲得原始系統狀態(tài)空間矩陣，原始系 統和傳遞函數模型；設定降階系統階次，啟動多點矩匹配 SVD-Krylov·112·算法進行降階；輸出降階系統狀態(tài)空間矩陣，降階系統及相應降階傳 遞函數模型；采用正交實驗方法和時間響應法進行降階算法仿真驗證。 提出的降階建模算法降階后的模型能夠保證漸近穩(wěn)定，計算效率高， 同時采用迭代

本項目針對礦井瓦斯爆炸早期探測與抑制的技術難題，采用實驗與光譜分析方法，得到了瓦斯爆炸感應器內自由基變化的光學特征及其辨識方法，并以此為基礎，利用量子化學軟件分析瓦斯爆炸微觀動力學過程，得出了瓦斯爆炸感應器內的關鍵基元反應、自由基和其圍觀動力學參數，以及微觀反應與宏觀現象的關系，為瓦斯爆炸抑爆技術提供理論支持，受到國內相關研究人員的普遍認可。項目成果在國內外重要期刊發(fā)表學術論文13篇（9篇已刊出，4篇已錄用），其中SCI源刊1篇，EI源刊5篇（2篇已收錄），CA收錄2篇，CSCD收錄及中文核心期刊5篇，完成碩士學位論文2篇。

我校物理與材料科學學院新組建的天體物理團隊，與中國科學院國家天文臺合作，在太陽暗條感應爆發(fā)研究領域取得新進展。 太陽暗條是懸浮于太陽高溫稀薄大氣中冷而密的等離子體。暗條爆發(fā)是觸發(fā)太陽耀斑和日冕物質拋射等嚴重影響近地空間環(huán)境太陽爆發(fā)事件的重要誘因。多個暗條間的感應爆發(fā)是一種常見的暗條爆發(fā)形式，但是，由于高質量觀測數據積累有限等客觀條件的限制，對于此類暗條爆發(fā)完整過程的觀測報道較為罕見，因此，相應的物理圖像也難以獲得直接的觀測證據支持。近期，安徽大學物理與材料科學學院天體物理團隊張軍、宋志平、汪鵬和中國科學院國家天文臺侯義軍、李婷等人綜合利用空基和地基太陽觀測數據，并借助非線性無力場外推方法，對一個典型暗條感應爆發(fā)事件的完整物理過程進行了詳細研究。從感應爆發(fā)發(fā)生前的磁場位型、發(fā)生時的觀測特征和發(fā)生后的磁場重構等角度構建一個完備的演化證據鏈條，揭示了暗條感應爆發(fā)過程的完整物理圖像，并指出發(fā)生在兩個暗條上覆磁場間的外部磁重聯及其造成的上覆磁場重構觸發(fā)了暗條間的感應爆發(fā)。

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測試系統 針對高壓IGBT器件內部承受的正極性重復方波電壓以及高溫工況，研制了針對高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測試系統（如圖1所示），可實現電壓波形參數、溫度和氣壓的靈活調控，用于研究電壓類型（交、直流、重復方波電壓）、波形參數、氣體種類、氣體壓力等因素對絕緣特性，具備放電脈沖電流測量、局部放電測量、放電光信號測量、漏電流測量及紫外光子測量等功能（如圖2所示），平臺相關參數：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯均流實驗系統 針對高壓大功率壓接型IGBT器件內部的芯片間電流均衡問題，研制了針對壓接型IGBT器件的多芯片并聯均流實驗系統（如圖3所示），平臺具有靈活調節(jié)IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數、寄生參數以及壓力和溫度等多物理量對壓接型IGBT器件在開通/關斷過程芯片-封裝支路瞬態(tài)電流分布影響規(guī)律的研究，以及瞬態(tài)電流不均衡調控方法的研究；平臺相關參數：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯均流實驗 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實驗系統 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進一步提升，對其可靠性考核裝備在測量精度、測試效率等方面提出了挑戰(zhàn)。針對柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環(huán)測試裝備和100V/200°C高溫柵偏測試裝備（如圖4所示）。功率循環(huán)測試裝備可針對柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環(huán)測試，最多可實現12個IGBT器件的同時測試。電流等級、波形參數、壓力均獨立可調，功率循環(huán)周期為秒級，極限測試能力可達 300 ms，最高壓力達220 kN，虛擬結溫測量精度達±1°C，導通壓降測量精度達±2mV。高溫柵偏測試裝備可實現漏電流和閾值電壓的實時在線監(jiān)測，最多可實現32個IGBT器件的同時測試。 4. 壓接器件內部并聯多芯片電流及結溫測量方法及實現 高壓大功率壓接型IGBT器件內部芯片瞬態(tài)電流及結溫測量是器件多物理量均衡調控及狀態(tài)監(jiān)測的基本手段，針對器件內部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計算方法，實現了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結構設計，設計了針對器件電流測量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實現臨近芯片電流造成的測量誤差小于1%；針對器件內部多芯片并聯芯片結溫測量，提出了壓接型IGBT器件結溫分布測量的時序溫敏電參數法，通過各芯片柵極的時序單獨控制（如圖6所示），在各周期分別進行單顆IGBT芯片結溫的測量，進而等效獲得一個周期內各IGBT芯片的結溫分布。在此基礎上，完成了集成于高壓大功率器件內部的多芯片并聯電流測試PCB羅氏線圈以及時序溫敏電參數測量驅動板的設計（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯電流均衡調控、封裝絕緣特性及電場建模以及器件多物理場調控等方面工作，相關成果支撐了國家電網公司全球能源互聯網研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應用驗證實驗，同時也支撐了世界首個18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。

本發(fā)明公開了一種在低信噪比情況下提取設備物理指紋特征的方法，接收機接收到低信噪比的信號后，在不破壞設備物理指紋的情況下進行降噪處理，然后從降噪后的信號中提取設備的物理指紋特征，方法中涉及的信號需要包括重復序列，或重復發(fā)送的多幀信號內有不變的部分，包括步驟：接收到低信噪比信號后，估計信號的頻率和相位，估計信號重復序列上調制的信息數據，獲得極性相同的多個重復序列，并將其對齊和疊加以提高信噪比；最后通過物理層指紋提取方法提取設備的物理指紋并用于設備身份識別。本發(fā)明可以在信噪比低的情況下有效地提取設備的物理層指紋特征，有效地解決了基于設備物理指紋的設備識別方法在現實應用中必須面臨的低信噪比問題。

本發(fā)明提供了一種基于粒子群多物理場協同優(yōu)化的高效感應電機輕量化方法,包括:根據高效感應電機的主要尺寸、額定數據等參數,給出高效感應電機的電磁設計總體目標；對電機定轉子拓撲結構進行選擇,確定電機的可行性方案集；選定高效感應電機電磁設計初步方案；采用智能算法對高效感應電機進行成本優(yōu)化,得到高效感應電機的成本最優(yōu)；采用磁路法及電磁場有限元并行方式對高效感應電機的工作特性和主要運行數據進行計算；采用有限元法對高效感應電機的溫度場進行校核；對優(yōu)化后電機的重量與電磁設計初步方案中計算出的重量相比較進行計算。本發(fā)明實現了高效感應電機輕量化的目標,并采用多物理場對優(yōu)化后的結果進行校核,保證計算結果的準確性。

本發(fā)明公開了一種基于配電網物理模型中的線路零序電流模擬 與檢測方法，屬于電力系統配電自動化領域；現有的檢測方法實際負 載阻抗和零序電流互感器的容量不一致時將會出現較大的誤差；本發(fā) 明提供的方法將三相線路和副方繞組繞在同一個環(huán)形鐵芯上，通過磁 平衡原理大大提高了零序電流互感器的二次電流值和測量精度。 

云幻科教根據教育現狀，針對于學前教育、義務教育、高中教育的不同需求，研發(fā)建設與各學科相配套的3D互動教學資源庫，設置演示、交互、練習三大部分。3D互動教學資源庫包括小學科學、中學化學、中學數學、中學物理、中學生物等學科資源，還包括校園安全、傳統文化等專題資源，為老師提供前沿、創(chuàng)新、有效的教學輔助資料，為學生營造身臨其境的沉浸式學習氛圍。