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分子基光催化產氫器件多相化
在利用太陽能分解水制取氫氣的催化劑研究上取得新進展。該研究工作借鑒自然界光合作用，在多個光敏中心多個催化中心產氫器件構筑的基礎上，進一步將其植入到金屬有機框架材料中，模擬自然界酶催化環境中質子和電子的傳輸與轉移，在有效規避分子基催化劑穩定性差的同時，極大地提高了光催化產氫性能，為人工模擬光催化劑的設計和構筑提供了新的思路。? 人工模擬光合作用，利用太陽能在催化劑作用下分解水制取氫氣，是實現將太陽能轉化為清潔的化學能，解決人類社會面臨的能源危機和環境污染問題的理想途徑。在早期，我校化學學院蘇成勇教授和石建英副教授研究團隊發展了空間上相互獨立、功能上相互等價，集合8個光敏金屬有機釕中心和6個催化Pd2+中心于一體的金屬-有機分子籠產氫器件[Pd6(RuL3)8]28+(MOC-16)，在單一分子籠內構筑出多個相互獨立的能量傳遞和電子轉移通道，獲得了高達380 μmol h-1的初始產氫速率和635的TON(48h) [Nature Communications, 2016, 7: 13169]。雖然金屬有機分子籠提高了分子基催化劑的產氫性能，但光照條件下的穩定性仍然是制約其進一步應用的決定因素。 最近，我校化學學院蘇成勇教授和石建英副教授研究團隊又基于配位組裝策略實現了Au25(SG)18納米簇在金屬有機ZIF-8主體框架內部和外表面的可控組裝[Advanced Materials, 2018, 30,1704576]。采用相似策略，他們將MOC-16植入到ZIF-8主體內，進一步將ZIF-8轉化為Znx(MeIm)x(CO3)x (CZIF)，獲得了MOC-16@CZIF催化劑。
中山大學
2021-04-13
新型硅基環柵納米線MOS?器件
已有樣品/n在主流硅基FinFET集成工藝基礎上，通過高級刻蝕技術形成體硅絕緣硅Fin和高k金屬柵取代柵工藝中選擇腐蝕SiO2相結合，最終形成全隔離硅基環柵納米線MOS器件的新方法。并在取代柵中絕緣硅Fin釋放之后，采用氧化和氫氣退火兩種工藝分別將隔離的“多邊形硅Fin”轉化成“倒水滴形”和“圓形”兩種納米線結構。
中國科學院大學
2021-01-12
氮化鎵高壓電力電子器件
已有樣品/n基于AlGaN/GaN異質結材料體系，通過采用導電機制融合和能帶分區調控的先進技術路線改變傳統氮化鎵肖特基二極管正向電壓與反向電流等參數之間的經典調控規律，采用無損傷工藝，提升了器件的均勻性和可靠性，進一步提升了氮化鎵肖特基二極管的性能。測試結果達到1700V反向耐壓，正向開啟電壓達到0.38V以及高防浪涌能力，為肖特基二極管器件市場提供了一種新選擇。
中國科學院大學
2021-01-12
陽離子基阻變器件電流-保持特性
已有樣品/n通過石墨烯缺陷工程控制活性電極離子向阻變功能層中注入的路徑尺寸和數量，集中化/離散化陽離子基阻變器件中導電通路的分布來調控其穩定性,此工作是該領域首次在相同結構阻變器件中實現電流-保持特性的雙向調控，這種通用的基于二維材料阻擋概念的離子遷移調控方法，也能夠移植應用到離子電池，離子傳感等研究領域。
中國科學院大學
2021-01-12
高速光通信用微結構光纖器件
項目簡介本成果提出新型微結構光纖器件，提出基于非對稱耦合理論的實現模式轉換、波分 復用等功能器件。已申請發明專利 6 項，其中已授權發明專利 3 項（ZL200810021652.8、 ZL200810021651.3、ZL200910032535.6）。 性能指標 （1）模式轉換效率可達 80%以上，帶寬在 100 nm 以上。 （2）實現 1310、1550 nm 波長復用、解復用，消光比低于-25 dB。 適用范圍、市場前景 適用范圍：高速光通信關鍵器件，組成高速、大容量光 通信
江蘇大學
2021-04-14
極深紫外光源與納米器件制造
徐永兵課題組于2014年啟動了國家重大儀器研究計劃（飛秒級時間分辨并自旋分辨電子能譜探測系統，項目編號61427812）。此項目就是旨在建立國內第一套極深紫外的光源系統。目前已經成功地在實驗室中，實現了波長為120~24 nm左右的脈沖光源，脈沖重復頻率為1kHz，單個脈沖為30fs。單個光子能量最大到50 eV左右，亮度為1 ′ 1011光子/s。從光
南京大學
2021-04-14
低導通電阻 VDMOS 器件及制備方法
本發明公開了一種低導通電阻 VDMOS 器件及制備方法，在傳統的 VDMOS 器件結構中引入一塊與 源區摻雜雜質相同的摻雜區。該摻雜區位于柵氧層正下方且與基區和柵氧層緊密接觸。相應地，新摻雜 區上方的柵極采用中空結構。本發明 VDMOS 器件可有效降低溝道導通電阻和頸區電阻，從而降低 VDMOS 器件的導通電阻；同時，采用中空結構的柵極既可避免新摻雜區對擊穿電壓的影響，也可降低 柵極與漏極間結電容，提高 VDMOS 的開關速度。本發明方法工藝簡
武漢大學
2021-04-14
高效有機磷光發光材料及OLED器件
高效有機磷光發光材料及OLED器件，2012年12月獲四川省科技進步三等獎，技術指標達到國際先進水平；申請發明專利12項（5項授權）。項目中所制備的銥配合物磷光電致發光材料在四川虹視顯示技術有限公司的3款OLED器件（1.1英寸、分辨率為96×64；1.8英寸、分辨率為128×64；2.2英寸、分辨率為160×128）樣品中使用，該項目研究成果，填補了我國在新型平板顯示器件---高效有機磷光電致發光材料及OLED器件方面的材料制備和器件化工藝的空白。
電子科技大學
2021-04-14
銅材復雜器件耐腐蝕耐磨材料的研究
在海洋環境、酸雨污染、高溫高濕等的環境條件下，紫銅、黃銅及其合金的加工器件在中間工序存放和使用過程中會造成點蝕，進而擴展為大面積腐蝕，而作為連接部件會加劇縫隙腐蝕引發應力腐蝕斷裂。該項目成功研制了耐腐蝕耐磨防腐蝕環保涂料，大大延長銅類尤其是紫銅的自然存放期，對銅器件生產和運輸過程中起到了很好的保護作用；由于耐蝕性優異，也可作為長期防護涂層。該技術獲得的涂層在厚度為5μ條件下測試相關主要技術指標如下： 外觀 無色透明 可保留銅的金屬光澤；可調整任意顏色 粘度 25秒 《涂料粘度測定法》（涂-4杯）（GB/T 1723-1993） 附著力 0級 《色漆和清漆漆膜的劃格試驗》（GB/T9286-1998） 耐鹽霧 200h 《色漆和清漆耐中性鹽霧的測定》（GB/T1771-1991） 耐沖擊 50Kg·cm 《漆膜耐沖擊測定法》GB/T1732-1993 耐磨擦 0.005千克 《漆膜耐磨性測定法》（GB/T1768-1989） 硬度 4H 《涂膜硬度鉛筆測定法》（GB/T6739-1996） 相容性 與彈藥相容 《真空安定性試驗-壓力傳感器法》（GJB772A-97 501.2） 該技術適合噴涂、刷涂、輥涂等工藝，不含任何有害稀釋劑，為環保產品。該產品用量少、性能和使用工藝優于防銹油；其另一特色在于必要時很容易去除，比防銹油的去除要容易的多。
北京科技大學
2021-04-11
一種薄膜型LED器件及其制造方法
本發明公開一種薄膜型LED器件及其制造方法，本發明器件包括：薄片型線路基板，免金線倒裝結構LED芯 片以及一層透光保護膜。本器件LED芯片為倒裝結構，芯片電極通過共晶焊接方式固定于薄片型基板，實現免金線鍵合的電氣互聯，一層透光保護膜覆蓋于芯片和 基板表面。本發明公開的LED器件電極位于器件底部，易于實現表面貼裝技術。本發明公開器件厚度在0.25-0.6mm之間，具有厚度薄，體積小，發光角 度大，光效高，可靠性高，制造工藝簡單，生產效率高，成本低等諸多優點，適合大功率及普通功率LED封裝，可廣泛應用于照明、顯示等領域。截至目前，已累計創造產值超過33.66億元，新增利潤2.60億元。2017年，以本專利技術為核心的科技成果“半導體發光器件跨尺度光功能結構設計與制造關鍵技術”獲得廣東省人民政府頒發的廣東省科技進步一等獎，并且本專利獲得中國專利優秀獎。
華南理工大學
2021-04-10