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非異氰酸酯法制備可生物降解結晶熱塑性聚(醚氨酯)及彈性體
本技術成果主要利用非異氰酸酯法制備可生物降解結晶熱塑性聚(醚氨 酯)及彈性體的方法。具體涉及以脂肪族二氨酯二醇與聚醚二元醇為原料，通過熔融縮聚的氨酯交換反應，得到可生物降解結晶熱塑性聚(醚氨酯)及彈性體，屬于聚氨酯技術領域。 聚氨酯是日常生活中應用非常廣泛的高分子材料，具有良好的強度、韌 性和耐磨性等優(yōu)異性能。聚氨酯目前主要由多異氰酸酯和含活潑氫化合物來合成，而多異氰酸酯有毒，對環(huán)境和人體有害，且其制備原料為劇毒的光氣；同時，異氰酸酯可與水反應形成氣泡，影響了聚氨酯的性能。為了克服這些缺點，近年來提出了非異氰酸酯法來合成聚氨酯，主要利用環(huán)碳酸酯與二元或多元胺反應制備。 本技術提供了一種對真空度和設備要求不高、操作簡便、綠色環(huán)保的非異氰酸酯法，制備可生物降解結晶熱塑性 聚(醚氨酯)及彈性體的方法。該方法原料便宜易得，制備的熱塑性聚(醚 氨酯)結構規(guī)整、高分子量、結晶性能較好、力學性能優(yōu)異，為脂肪族的直鏈結構，可被微生物和酶降解。本技術采用熔融縮聚氨酯交換的非異氰酸酯法，先以不同的二胺分別和環(huán)狀碳酸酯反應制備直鏈型和脂環(huán)型兩種二氨酯二醇，并將其中直鏈型二氨酯二醇聚合成預聚體(作為硬段)，再與聚醚二元醇(作為軟段)及脂環(huán)型二氨酯二醇在催化劑存在下進行氨酯交換反應，得到可生物降解結晶熱塑性聚 (醚氨酯)及彈性體。由此得到的聚(醚氨酯)具有脂肪族線形結構，該方法操作簡便、綠色、清潔、高效，得到產(chǎn)物為熱塑性材料，具有較高的分子量、較高的熔點、良好的結晶性能和優(yōu)異的力學性能，可與常規(guī)異氰酸酯方法得到的聚氨酯媲美。其拉伸強度可達49.44MPa，斷裂伸長率達1490.0％。可通過改變二氨酯二醇預聚體硬段和聚醚軟段的長度以及軟硬段、脂環(huán)型二氨酯二醇配比，從而得到性能各異的材料，可以是熱塑性塑料，也可以是熱塑性彈性體。
北京化工大學
2021-02-01
斜生纖孔菌鯊烯合酶基因及其編碼的蛋白質和應用
本發(fā)明公開了一種斜生纖孔菌鯊烯合酶基因及其編碼的蛋白質與用途，本發(fā)明所提供的鯊烯合酶基因具有SEQ ID NO.1所示的核苷酸序列或者添加、取代、插入或缺失一個或多個核苷酸的同源序列或其等位基因及其衍生的核苷酸序列。所示基因編碼的蛋白質具有SEQ ID NO.2所示的氨基酸序列或者添加、取代、插入或缺失一個或多個氨基酸的同源序列。本發(fā)明提供的鯊烯合酶基因可以通過基因工程技術提高斜生纖孔菌中樺褐孔菌醇的含量，可用于利用轉基因技術來提高斜生纖孔菌中樺褐孔菌醇含量的研究和產(chǎn)業(yè)化中。而這些次生代謝產(chǎn)物在臨床上具有抗腫瘤、防治艾滋病等潛在的應用價值，對保護人民的健康生長有所幫助。因而本發(fā)明具有很大的應用前景。
江蘇師范大學
2021-04-11
用于測量雙柱水平開合隔離開關觸指夾緊力的測力觸頭
本實用新型公開了一種用于測量雙柱水平開合隔離開關觸指夾緊力的測力觸頭。現(xiàn)有的檢測裝置都是檢測觸頭在完全閉合時的夾緊力，無法檢測到開合閘過程中觸頭觸指壓力的變化情況。本實用新型采用的技術方案為：基座上開有至少一個用于將其安裝在觸頭主體上的安裝孔，基座的內部設有一可左右移動的力傳感器；所述基座的兩側各設有一過渡座，該過渡座的外側壁上固定連接一接觸頭，所述力傳感器的左、右側分別與兩個過渡座固定連接，過渡座與基座之間存在使過渡座可左右移動的間隙。本實用新型的測力觸頭可以替換原來的導電觸頭，且能夠讀出在開合閘過程中力的變化，而不僅僅是測量合閘后的夾緊力。
浙江大學
2021-04-13
一種倒裝鍵合設備中用于各向異性導電膠的熱壓裝置
本發(fā)明公開了一種倒裝鍵合設備中用于各向異性導電膠的熱壓裝置，用于倒裝鍵合設備中對導電膠進行熱壓，其特征在于，該熱壓裝置包括：壓頭組件（2），用于對導向膠進行熱壓；導向組件（1），其設置在一支撐基座（4）上，所述壓頭組件（2）設置在該導向組件（1）上，所述壓頭組件（2）通過該導向組件（1）進行導向移動以完成熱壓；驅動組件（5），其設置在所述導向組件（1）一側，用于驅動所述導向組件（1）直線移動，以實現(xiàn)其對壓頭組件（2）的導向移動。本發(fā)明的裝置能夠方便的實現(xiàn)熱壓工藝中的熱壓過程，并且具備壓力穩(wěn)定性和精度
華中科技大學
2021-04-14
納米級氧化銦錫粉體和高密度ITO靶材的制備
氧化銦錫（indium-tin-oxide）簡稱ITO，ITO靶材是一種功能陶瓷材料，主要用于制造ITO透明導電膜玻璃。以金屬銦、錫為原料采用共沉淀法制備出納米級ITO復合粉體。粉體造粒成型后分別采用加壓和常壓燒結法制備出相對理論密度大于99.5%、氧化銦單一相的ITO靶材。 粉體純度大于99.99%、顆粒分散性好，粒徑10nm—80nm之間可控，BET比表面積30~60m2/g ，In2O3:90.0±0.5%，SnO2: 10.0±0.5%；ITO靶材相對理論密度99.5%。 威海市藍狐特種材料有限公司已采用該技術建設年產(chǎn)20噸納米級氧化銦錫復合粉體生產(chǎn)線，采用該粉體燒制的ITO靶材相對理論密度達到99%以上。國內相對理論密度大于99%的ITO靶材主采用進口產(chǎn)品。 金屬銦、錫是我國的優(yōu)勢資源，生產(chǎn)設備都是定型通用設備，年產(chǎn)20噸納米級氧化銦錫粉體和高密度ITO靶材的生產(chǎn)廠需要人員50名。納米級氧化銦錫粉體制備已建設年產(chǎn)20噸生產(chǎn)線。高密度ITO靶材的制備已完成實驗室小試。
北京化工大學
2021-02-01
半導體輔材用多晶硅中碳、氮雜質的分離去除技術
伴隨著我國半導體行業(yè)的迅速崛起，硅電極作為光刻設備上承載硅基圓的重要輔材，其需求日趨增加。同時，基圓尺寸的不斷增加使得硅電極逐漸由單晶硅電極轉變?yōu)槎嗑Ч桦姌O，然而多晶硅制備過程中不可避免存在C、N雜質的污染，導致其基體中存在大量彌散分布的SiC、Si3N4硬質顆粒夾雜，嚴重影響了多晶硅電極的使用性能。
傳統(tǒng)制備技術下，設備熱場結構單一，熔體流動性差，導致SiC、Si3N4雜質循環(huán)溶解—析出，難以有效分離。本項目團隊前期利用電子束精煉技術去除硅中的蒸發(fā)性雜質（P、 O、N）；利用電子束誘導實現(xiàn)多晶硅的定向凝固，進而分離硅中的金屬雜質；基于電子束冷床效應分離硅中的SiC、Si3N4硬質顆粒，并揭示硬質顆粒與硅基體間的位相關系；基于上述研究開發(fā)出了多晶硅電極的制備工藝，可應用于刻蝕等半導體制造等領域。
本項目預期可以為半導體行業(yè)中硅電極生產(chǎn)制造企業(yè)提供穩(wěn)定的技術支持，具有很好的生產(chǎn)示范性，實現(xiàn)高新技術產(chǎn)業(yè)化。該技術能夠有效地降低生產(chǎn)過程中的能耗，是一種低成本、環(huán)境友好的生產(chǎn)方法，屬于節(jié)能、環(huán)保的綠色制造技術。該技術的大規(guī)模應用和推廣，可大幅增加就業(yè)崗位，提高企業(yè)的市場競爭力，保護環(huán)境。
大連理工大學
2021-05-10
單疇超導塊材Gd-Ba-Cu-O 的制備與其超導性能的研究
直徑為25 mm的YBa2Cu3O7-δ(Y123)單疇超導塊材在溫度為77K時，捕捉磁場高達4 T；而在29 K時，捕捉磁場甚至達17 T，優(yōu)越的性能促進了該類超導材料在電機、發(fā)電機、工業(yè)污水處理、醫(yī)學核磁共振等方面的應用研究。
本課題以通過熔融織構方法生長高性能的單疇超導塊材作為研究對象，選擇合適的單相氧化物作為第二相生長GdBa2Cu3O7-δ超導塊材。在制備的高質量系列樣品的基礎上，通過低溫磁性測量分析臨界電流密度隨溫度及摻雜量的變化曲線；分析微觀結構，揭示第二相、缺陷等對超導性能影響的原因。以期找出提高超導塊材性能的合理生長方法，對其微觀機制給出盡量圓滿的解釋。這也為澄清與當前超導材料前沿課題緊密相關的一些基本問題的理解提供基礎研究資料。
該項目已獲國家自然基金項目立項支持。
上海電力大學
2021-04-29
一種基于陶瓷材料的增材制造成形裝置及方法
本發(fā)明公開了一種基于陶瓷材料的增材制造成形裝置，其特征 在于，該裝置包括：光固化機構、傳動機構以及擠出回抽機構，所述 光固化機構設于所述擠出回抽機構的一端，所述傳動機構設于所述擠 出回抽機構的另一端；其中，所述光固化機構包括調光器(15)、紫外線 燈固定盤(16)和紫外固化燈(17)；所述擠出回抽機構包括噴嘴(1)、噴嘴 連接件(2)、螺桿(3)、料筒(4)及料斗(6)；所述傳動機構包括電機(12)和 聯(lián)軸器(11)
華中科技大學
2021-04-14
一種基于多波段耦合的增材制造過程熔池監(jiān)測裝置及方法
本發(fā)明公開了一種基于多波段耦合的增材制造過程熔池監(jiān)測裝置及方法，所述裝置由加工單元、信號采集單元、數(shù)據(jù)處理單元和數(shù)據(jù)存儲單元組成。本發(fā)明利用多波長折-衍混合 f-theta 聚焦鏡、二向色鏡等光學元件將三種不同波段的光路(激光加工光路、激光照明光路以及熔池圖像信息采集光路)在成形腔外進行同軸耦合，用于對快速移動的微小熔池進行實時追蹤和采集。此外，通過數(shù)據(jù)處理單元和數(shù)據(jù)存儲單元對熔池圖像和特征信息進行快速計算處理和多級
華中科技大學
2021-04-14
一種高擇優(yōu)取向細晶超高純鋁靶材的制備方法
本發(fā)明涉及金屬材料加工技術領域，具體涉及一種高擇優(yōu)取向細晶超高純鋁靶材的制備方法。包括以下步驟：將超高純鋁板材于５０℃～３００℃下熱軋，道次壓下量控制在４０％～５０％；將熱軋后的超高純鋁板材在１００～３００℃溫度下保溫０～１小時；然后進行冷軋，道次壓下量控制在４０％～５０％，通過對板材進行道次間空冷、水冷以及冰水冷卻控制板材軋制過程的溫升，抑制板材的
東南大學
2021-04-14