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半導(dǎo)體照明稀土熒光粉關(guān)鍵共性技術(shù)研究及產(chǎn)業(yè)化
成果介紹代表國際領(lǐng)先技術(shù)的高新能半導(dǎo)體照明稀土熒光粉的研發(fā)與制備，可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體照明行業(yè)之中。技術(shù)創(chuàng)新點及參數(shù)半導(dǎo)體照明稀土熒光粉行業(yè)兩大核心技術(shù)：1、高顯色白光LED用熒光粉關(guān)鍵技術(shù)2、氮化物紅粉在發(fā)光效率和抗高溫高濕性能提升技術(shù)市場前景1、制備了高性能鋁酸鹽熒光粉，目前全國銷售第一。2、制備了氮化物熒光粉，銷售也達到全國第一。
東南大學
2021-04-13
一種溶液法熒光粉膠薄膜涂覆方法、產(chǎn)品以及應(yīng)用
本發(fā)明公開了一種溶液法熒光粉膠薄膜涂覆方法及其在晶圓級發(fā)光二極管封裝中的應(yīng)用，屬于 LED 封裝領(lǐng)域。其包含：S1 將熒光粉膠涂覆在 LED 晶圓片上；S2 將 LED 晶圓片置于溫度為 50℃～200℃度的溶液中；S3 待熒光粉膠形貌穩(wěn)定后，將 LED 晶圓片從溶液中取出；S3 將 LED 晶圓片置于溫度在 50℃～200℃下加熱，使殘留在 LED晶圓片和熒光粉膠表面上的溶液蒸發(fā)并將熒光粉膠固化；S5 將晶圓片切割成小芯片單元。本發(fā)明方法操作簡單，成本低，可制備厚度極薄且厚度均勻度大于 0.95 的熒光粉膠薄膜，從而提高 LED 的光效、空間顏色均勻性以及產(chǎn)品一致性。該工藝可以廣泛的應(yīng)用于晶圓級發(fā)光二極管封裝中。
華中科技大學
2021-04-13
新型光催化劑、長余輝粉及其復(fù)合材料的開發(fā)制備
開發(fā)了一系列高活性的光催化材料:TiO2 納米管負載Au, 石墨烯/暴露{001}面的TiO2 納米復(fù)合光催化材料, 石墨烯/棒狀TiO2納米復(fù)合光催化材料, Ag3PO4/還原的氧化石墨烯片（RGOs）納米復(fù)合材料，用于可見光催化的(Mo，C)/（B，N）共摻雜銳鈦礦相TiO2納米顆粒光催化材料，微量磷酸銀敏化二氧化鈦光催化劑，B、N摻雜石墨烯/ TiO
蘭州大學
2021-04-14
一種危化粉體包裝生產(chǎn)線及其生產(chǎn)工藝
本發(fā)明提供一種危化粉體包裝生產(chǎn)線及其生產(chǎn)工藝，通過設(shè)置在輸送線上的供袋、供桶、計量、整 理包裝、扎袋、排氣整形、折袋、蓋蓋、上鎖的共同作用，實現(xiàn)了將粉狀物料裝入包裝袋及包裝桶中。 實現(xiàn)了危化粉的清潔包裝，防止粉塵飄散，有效減少了包裝現(xiàn)場的粉塵污染，避免了工人在惡劣的環(huán)境 下工作;包裝過程中粉料與氣體成分分離，有效防止粉塵溢出以及包裝袋退出后，防止掛在包裝機出料 口處的無聊掉落污染包裝現(xiàn)場環(huán)境。
武漢大學
2021-04-14
由紫光LED芯片激發(fā)高效稀土三基色熒光粉合成暖白光技術(shù)
本項目經(jīng)過14年（2007-2021）的艱苦不斷的探索，終于采用自主研發(fā)的由紫光LED芯片激發(fā)的高效稀土三基色熒光粉合成暖白光，成功解決了長期困擾于半導(dǎo)體照明領(lǐng)域的白光LED富藍光危害人體健康的全球性難題。
一、項目分類
關(guān)鍵核心技術(shù)突破
二、成果簡介
本項目經(jīng)過14年（2007-2021）的艱苦不斷的探索，終于采用自主研發(fā)的由紫光LED芯片激發(fā)的高效稀土三基色熒光粉合成暖白光，成功解決了長期困擾于半導(dǎo)體照明領(lǐng)域的白光LED富藍光危害人體健康的全球性難題。新型暖白光LED具有以下特點：
（1）繼承傳統(tǒng)白光LED所有優(yōu)點（如，節(jié)能、便捷、小型固體化、驅(qū)動方便等）；
（2）沒有藍、紫光泄漏及其危害，對人眼和身體安全；
（3）在材料生長、器件制備、封裝和性能檢測等多方面和傳統(tǒng)的冷白光LED兼容，所以投入經(jīng)費低，批量生產(chǎn)后成本還將低于傳統(tǒng)的白光LED；
（4）性能比傳統(tǒng)白光LED優(yōu)越許多：如，顯色指數(shù)Ra＞90，可達95、98；色溫在2500-5500K可調(diào)適應(yīng)各種人的需求；色坐標接近標準白光（0.33,0.33）；燈珠光效，3年內(nèi)從25 lm/W 迅速提高到135 lm/W；
（5）應(yīng)用更廣泛：在半導(dǎo)體照明和顯示、植物栽培、光醫(yī)療、光檢測和光傳感等領(lǐng)域，尤其是可用于在無藍光危害的手機、電腦、電視機等液晶顯示的背光源。
廈門大學
2022-07-28
一種高效親水化改性抗污染聚醚砜膜的制備方法及應(yīng)用
本發(fā)明涉及一種高效親水化改性抗污染聚醚砜膜的制備方法及應(yīng)用。制備方法包括對純聚醚砜膜的物理共混親水化改性和化學接枝親水化改性兩個部分，通過表面引發(fā)的可逆加成斷裂鏈轉(zhuǎn)移聚合法(RAFT)合成親水性嵌段聚合物，隨后將其與聚醚砜物理共混，制備PES/PAA?F127?PAA膜；用電子轉(zhuǎn)移活化再生催化劑?原子轉(zhuǎn)移自由基聚合法(ARGET ATRP)合成強親水性物質(zhì)NH2?PDMAPS，在共混改性基礎(chǔ)上，利用化學接枝方法制備高效親水化改性抗污染聚醚砜膜。本發(fā)明使用高效綠色的RAFT和ARGET ATRP兩種聚合方法設(shè)計分子，結(jié)構(gòu)新穎，反應(yīng)條件溫和，親水化改性方法效果更明顯，在油水分離領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。
東南大學
2021-04-11
一種環(huán)境友好型藥劑原位注入修復(fù)污染場地的施工方法
本發(fā)明公開了一種環(huán)境友好型藥劑原位注入修復(fù)污染場地的施工方法，包括：進行小試試驗；構(gòu)筑豎向隔離墻；在待修復(fù)區(qū)域地表覆蓋壓實黏土層；對注入施工點位進行定位，并將施工設(shè)備就位于施工點位；注入廢糖蜜及醋酸菌混合溶液；對施工點位進行封孔；移位施工設(shè)備；在壓實黏土層上鋪設(shè)防滲土工膜，所述防滲土工膜與隔離墻連接；從待修復(fù)區(qū)域取樣檢測酸堿度及氧化還原電位；注入微米鐵粉及黃原膠混合溶液；對施工點位封孔；施工設(shè)備移位；在待修復(fù)區(qū)域地表覆蓋防滲土工膜。該施工方法能顯著提高藥劑的有效作用距離，提升對土壤及地下水中污染物的
東南大學
2021-04-14
電聯(lián)合作用下的多污染物綜合脫除技術(shù)開發(fā)及應(yīng)用
本項目針對我國尤其集團電站燃煤污染物排放現(xiàn)狀和處理要求，瞄準世界 高新技術(shù)發(fā)展的前沿，以開發(fā)可供集團乃至全國火電機組應(yīng)用的多污染物聯(lián)合 脫除技術(shù)與裝備為目標，結(jié)合現(xiàn)有的燃煤煙氣污染物控制技術(shù)，在不增加大型 設(shè)備、不需要大量投資病充分利用現(xiàn)有脫硫和除塵設(shè)備的基礎(chǔ)上，通過加強自 主創(chuàng)新，開發(fā)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的、經(jīng)濟適用、穩(wěn)定可靠的電聯(lián)合作用下多污 染物綜合脫除技術(shù)，結(jié)合現(xiàn)有的脫硫除塵工藝實現(xiàn)聯(lián)合脫除；分別完成單元關(guān) 鍵技術(shù)和系統(tǒng)集成技術(shù)研究；技術(shù)成果具備工業(yè)應(yīng)用條件。本技術(shù)的順利實施， 有望成為當前小型火電機組進行污染物綜合治理的技術(shù)選擇路線之一，具備良 好的應(yīng)用前景。
山東大學
2021-04-13
濱岸攔截- 河道修復(fù)耦合的礦區(qū)流域重金屬污染控制與治理技術(shù)
針對礦區(qū)地表徑流和河道的重金屬污染問題，結(jié)合礦區(qū)流域特點，在礦區(qū)徑流匯集區(qū)構(gòu)建以改性生物質(zhì)材料、天然礦物以及甲殼質(zhì)和微生物為填充材料三級攔截箱，當?shù)乇韽搅髁鹘?jīng)攔截箱時，在填料和微生物的共同作用下，吸附徑流中重金屬離子，實現(xiàn)地表徑流中重金屬有效削減。在河道構(gòu)建挺水、浮水和沉水植物搭配的水生植物修復(fù)帶，并輔以自主研發(fā)的生態(tài)浮床，利用不同植物對各重金屬的富集特征及各植物間的協(xié)同強化作用，構(gòu)建水生植物生態(tài)削減緩沖屏障，以進一步削減河道水體重金屬。通過濱岸攔截溝和河道植物修復(fù)帶，實現(xiàn)河道水體中重金屬 V、Cr、As、Cd、Pb、Hg 濃度穩(wěn)定低于地表 II 類水標準。
北京科技大學
2021-04-13
一種極紫外光照射下的光學表面污染與清潔模擬裝置
本發(fā)明公開了一種極紫外光照射下的光學表面污染與清潔模擬裝置，包括：氫原子發(fā)生器接口、電子槍、電子槍室、電子槍接口、曝光腔、冷卻毛細管、試樣臺、試樣臺接口、氣體引入設(shè)備、渦輪分子泵、前級泵、RGA、RGA 接口、插板閥、放氣閥、電阻規(guī)以及隔斷閥，氫原子發(fā)生器接口、電子槍接口、試樣臺接口以及 RGA 接口均為開啟，且固接在曝光腔上，電子槍接口與試樣臺接口對稱設(shè)置在曝光腔的兩側(cè)，使得電子槍與試樣臺處于一條水平線上，氫原子發(fā)生器接口設(shè)置于腔體上方，且與電子槍接口的軸線垂直，RGA 接口設(shè)置于實驗裝置的側(cè)方。
華中科技大學
2021-04-14