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高穩定金屬膜電阻器用磁控濺射中高阻靶材及制備技術
成果與項目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數小、耐熱性和穩定性 好等優點，在精密電子設備和混合集成電路中大量采用。對于濺射制備電阻膜來 說，靶材是至關重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻 溫度系數（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數 (TCR)是金屬膜電阻器的一個重要性能技術指標之一，較大的 TCR 在溫度變化時 會造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩定性。目前國內外生產的金屬膜 電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術原理與工藝流程簡介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度 系數小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數量級為千歐, 刻槽后數量級為 兆歐)且穩定(隨時間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻 靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點高, 原子移動性低, 因此由其所組成的薄膜 穩定性高。通過在金屬 C r 中引入半導體材料 Si 來提高電阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過程中, 可通過通入微量 的氧來提高薄膜的電阻率, 同時調節電阻溫度系數。 技術指標如下： 溫度沖擊實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過載實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實驗后 ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數 TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應用領域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議 2 半導體微環激光器 3 基光電集成電路 4 無線網絡與應用：協作無線網絡 5 移動通信—LTE 技術
天津大學
2021-04-11
復極式離子膜電解槽極網自動化激光焊接成套技術裝備
北京工業大學
2021-04-14
低能耗低污染膜/生物反應器（MBR） 污水處理技術與設備
技術特點及優勢 1、對現有的用于污水處理的膜進行改性，提高膜通量，減小跨膜壓力。膜通量較現有膜提高2倍以上，跨膜壓力只有1米左右水柱。 2、突破了以往MBR膜都是與泥水直接接觸的固有形式，對MBR結構進行了改進，減少膜與污泥、胞外聚合物（EPS）等膜污染關鍵物質的接觸，可以極大緩解膜污染問題； 3 、采用的廉價耐污染膜材料，延長膜的使用壽命，降低運行成本； 4 、控制反應器微生物處于內源呼吸期，反應器中能有效建立細菌—原生動物—后生動物微生態系
哈爾濱工業大學
2021-04-14
一種燃料電池膜電極熱壓頭上表面貼片的糾偏補償方法
本發明公開了一種燃料電池膜電極熱壓頭上表面貼片的糾偏補償方法。傳統的機器視覺采圖后擺動氣缸翻轉，然后貼片，不能保證GDL 的貼裝精度，另外，由于 GDL 料盒比 GDL 本身尺寸稍大，不能保證每次真空拾取機構吸取 GDL 的中心軸線都與旋轉軸的中心軸線重合，因此翻轉后也會有誤差。本發明主要解決這兩個誤差的計算和補償方法，實現熱壓頭上表面的準確貼片。本發明基于現有的 GDL 熱壓裝備實現，首先對相機進行標定，標定兩個相機各自的像素坐標系和世界坐標系的關系，分別根據是由安裝誤差引起的貼片糾偏或者是由軸線
華中科技大學
2021-04-14
一種納米氫氧化鈷-石墨烯復合膜、其制備方法及應用
本發明公開了一種納米氫氧化鈷-石墨烯復合膜、其制備方法及 應用。所述復合膜，包括納米石墨烯底層和納米氫氧化鈷表層，所述 納米石墨烯底層厚度在 4000nm 至 6000nm 之間，所述納米氫氧化鈷表 層厚度在 50nm 至 100nm 之間，所述納米氫氧化鈷表層均勻沉積在所 述納米石墨烯底層上。其制備方法，包括以下步驟：將氧化石墨烯均 勻分散于水中，涂敷在片狀導電基底上，干燥得到納米氧化石墨烯膜； 組建三電極體系采用
華中科技大學
2021-04-14
適用于對移動中的柔性膜執行標識的多自由度打標裝置
本發明屬于柔性膜質量檢測設備相關領域，并公開了一種適用 于對移動中的柔性膜執行標識的多自由度打標裝置，包括支撐組件、 傳動組件、動力組件、打標針組件和記號筆組件，其中支撐組件可實 現打標裝置的機械連接，同時還具有導向和位置調節的功能；動力組 件為打標裝置提供可控的動力，傳動組件可適于在運動中多自由度地 驅動打標針組件和記號筆組件，并提供高精度的打標操作；打標針組 件和記號筆組件分別可在柔性膜上打出針孔和顏色標記，并檢測標記 是否成功完成。通過本發明，在高速運動過程中也能夠高精度、穩定 可靠地執行打標操作，而且反應靈敏度高，因而尤其適用于 RFID 標 簽之類對表面標識質量高的運用場合。
華中科技大學
2021-04-11
高d33無鉛壓電陶瓷-聚合物-鹽壓電復合材料及其制備方法
本發明涉及一種具有高d33無鉛壓電陶瓷與聚合物和鹽壓電復合材料及其制備方法,屬于壓電復合材料技術領域。按(1-x)(LiaNabK1-a-b)(Nb1-cSbc)O3-xABO3-yM組分配料,采用傳統陶瓷制備工藝制備好鈮酸鈉鉀基無鉛壓電陶瓷粉料;再將陶瓷粉料與聚合物聚偏氟乙烯和鹽按設計比例混合,接著將混合粉料經冷壓成型后加溫處理,再在其表面濺射金電極,硅油浴中極化后測試其壓電復合材料樣品的壓電性能d33;最后將樣品放置在空氣中,再測試其樣品壓電性能d33。結果表明,加鹽的鈮酸鈉鉀基無鉛壓電陶瓷-聚合物壓電復合材料的d33比未加鹽的d33有大幅度提高。
四川大學
2021-04-11
一種鋰、鈰、鉭共摻鈮酸鉍鈣基壓電陶瓷材料及其制備方法
本發明公開了一種鋰、鈰、鉭共摻鈮酸鉍鈣基壓電陶瓷材料及其制備方法，其特點是該壓電陶瓷材料由通式Ca1-x(Li, Ce)x/2Bi2Nb2-yTayO9表示，0.02≤x≤0.15，0.01≤y≤0.3，其中X表示A位鋰、鈰元素的摩爾分數，Y表示B位鉭元素的摩爾分數。采用固相法制備A位鋰、鈰(Li，Ce)，B位鉭(Ta)不同摻雜量的鈮酸鉍鈣(CBN)陶瓷粉體材料；再通過造粒、壓片、排膠、燒結、被銀、極化的工藝制備鋰、鈰、鉭共摻雜CBN基壓電陶瓷材料。結果表明在較低的燒結溫度（～1100）℃下制備得到的鋰、鈰、鉭共摻雜CBN基壓電陶瓷材料，其晶粒比較致密、晶粒均勻，提高了燒結活性及陶瓷的致密性，使得燒結效果更好；壓電性能大大提高，并降低其介電損耗。
四川大學
2021-04-11
“互聯網+”大學生創新創業大賽間接帶動就業超400萬人
中國國際“互聯網+”大學生創新創業大賽參賽項目累計落地創辦企業超過7萬個，創造就業崗位超過60萬個，間接帶動就業超過400萬人。
新華社
2020-11-11
一種迭代空間模糊聚類的大腦磁共振圖像超體素生成方法
本發明公開了一種迭代空間模糊聚類的大腦磁共振圖像超體素生成方法，包括以下步驟：首先，由于人類大腦具有相同的拓撲結構，從基于群體的大腦MRI模板獲得一組種子模板；其次，為了排除部分容積效應的影響，提出了一種迭代空間模糊聚類算法，將體素分配給每個種子生成超體素。本發明能較好地應用于大腦磁共振圖像，生成有效的大腦磁共振圖像超體素。
東南大學
2021-04-11