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由于W和Cu兩種材料的熔點相差較大，采用熔鑄方法很難使兩組元之間均勻熔化和熔合，傳統的W-Cu復合材料制備方法主要采用粉末冶金制備技術：包括熔滲法、活化燒結法等。熔滲燒結時，液相Cu僅靠W骨架孔隙的毛細管作用滲入，銅凝固相不容易細小均勻；而高溫燒結又會使W顆粒聚集長大，最終形成粗大不均勻的組織。活化燒結法通常是在W粉中加入少量Fe、Ni、Co等活化劑，但活化劑的加入會顯著的降低W-Cu材料的電導率，同時活化燒結后鎢坯的收縮變形較大，并且其燒結率隨燒結溫度的不同而變化，鎢坯的密度不好控制，最終導致滲銅后W-Cu材料的化學成分偏差較大。這些組織的不致密與不均勻最終影響材料的關鍵性能如硬度、斷裂強度、電導率、熱導率等。 隨著科學技術的發展，對高比重W-Cu合金的成分、結構形態，強度、致密性以及尺寸穩定性及變形能力等性能要求越來越高，急需制備技術的創新和發展。冷噴涂是近年發展起來的一種新型噴涂技術，由于噴涂溫度較低，噴涂材料不易氧化，涂層能夠保持原始設計成分；另外熱影響小、熱殘余應力低，能夠制備厚涂層及塊體材料。 然而研究發現，采用兩組元或多組元機械混合粉體喂料制備冷噴涂復合涂層時，如果不同組元之間顆粒材料的特性相差較大，則它們的沉積行為及沉積難易程度就會各不相同，最終導致涂層中軟質相含量較高、硬質相含量偏低，使涂層偏離設計成分；即使通過提高混合粉體中硬質相的相對含量也很難從根本上解決上述問題。本發明提供了一種以銅包鎢粉末為原料用冷噴涂技術制備鎢、銅復合材料的新方法。制備的復合材料沉積體無氧化，保持了與粉體喂料相同的組織結構；W和Cu兩相分布均勻，無偏聚，孔隙率低；硬質相鎢含量比采用混合粉制備的涂層大幅度提高；而且還可以通過后續致密化處理使材料進一步致密化。 已申請專利：“一種制備高鎢含量、均勻致密W-Cu復合材料的方法”，中國發明專利申請號：201110329570.1.，專利申請時間：2011.10.26，專利公開日：2012.02.29

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SD-YAG0505窄幅面十字滑臺式YAG激光切割機由機體、激光器、電源、冷卻系統、控制系統組成，具有結構緊湊、光路穩定、操作方便、性能可靠等特點。 YAG激光器采用氙燈作為激勵源，輸出高能量密度的激光束聚焦在工件表面上，使被光斑照射的工件區域局部瞬間熔化和氣化，通過控制機械系統移動光斑實現可靠的自動切割。 該設備集激光技術、數控技術、精密機械技術于一體，專為8mm以下薄金屬切割設計，是切割不銹鋼板、碳鋼板、鐵板、鋁板材和管材的首選。廣泛應用于鈑金、五金制品、鋼結構、精密機械、汽車配件、銘牌、廣告、工藝品、電子、玩具、包裝等行業。

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產品詳細介紹一、 原理及用途：34W驗鋼鏡用發射光譜分析法確定被測件內含有的各種元素及其含量.適用于冶金、化工、機械、電力建設、科學實驗……中對合金鋼及有色金屬合金進行定性或半定量的快速光譜分析。儀器便于攜帶，特別適用于施工現場對不易搬動、不能破壞的大型機件或試樣進行材質鑒別。避免發生混料錯料事故。也可進行廢料分類，選取貴重金屬。儀器操作簡便，分析迅速，能無損地對被測件進行檢測。   在可見光范圍內能分析下列元素：1） 鋼中元素：Cr、Mn、V、W、Mo、Co、Ti、Ni、Mg、Si、Cu……等2） 銅合金元素：Zn、Ni、Mn、Fe、Pb、Ae、BE……等3） 鋁合金中元素：Mg、Cu、Fe、Si、Zn……等二、技術參數：鐠線范圍：390～700um儀器分辨率：能分辯開下列線對：儀器分析靈敏度：           V：釩含量0.04％     波長437.92um           Si：矽含量0.25％      波長634.70um顯微鏡放大倍數：15x  其中目鏡：10x  物鏡：1.5x  色散元件：平面光柵：1200條/mm準直物鏡：f＝297mm   相對孔徑D/f＝1: 7狹縫寬度：10±2u      儀器示值精度：±2um外形尺寸：看譜鏡：640x190x180       重量：看譜鏡：4.5kg          火花發生器：390x280x190         火花發生器：8.9kg三、型號分類：34W系列手提式看譜鏡有多種型號規格，用戶可按各自不同要求進行選擇。儀器由看譜鏡（主體）和火花發生器兩部份組成。主體采用光柵作色散元件。譜線清晰、明亮、分辨率高。主體的讀數鼓輪刻值用波長指示，便于尋找譜線。各型號的主體都相同。火花發生器是作為主體對被測件進行光譜分析的必備光源設備。各型號的火花發生器都各有不同特點，以滿足不同的使用要求。   型 號          特 點                         售  價34w普通型     220v控制電源                    20500元34wA型        簡易控制型                      21500元34wB型        低電壓控制器                    22500元34wC型        特殊適應型                      24500元上 海 光 學 儀 器 進 出 口 有 限 公 司地 址 ：上海市楊浦區武東路32號2幢401室 郵編 ：200433電話：021-35030526   手機：13916201020   傳真：021-65563863  售價：20500-24500元（含稅，款到、訂貨后發貨）  聯系人：卜生高E-mail:bsg040206@163.com     http://www.soiec.cpooo.com

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設計并成功合成了兩種新型噻唑酰亞胺缺電子受體單元,并在其基礎上得到全受體類型均聚物PDTzTI（圖1a）。單晶XRD分析表明，DTzTI單體中存在S…N非共價鍵相互作用因而平面性較好，單體間的π堆積也非常緊密，非常適合構建全受體聚合物。噻唑酰亞胺的強拉電子能力也使得聚合物的前沿軌道能級較低，有利于晶體管中電子注入并提升器件穩定性，同時抑制空穴注入和降低器件關電流。基于PDTzTI的有機薄膜晶體管器件表現出優異的單極性n-型輸運性能（圖1b）。晶體管電子遷移率達到1.6 cm 2  V -1  s -1 ，關電流僅為10 ?10 -10 ?11 A，因而電流開關比高達10 7 -10 8 。該遷移率是全受體均聚物材料中的最高紀錄，同時在晶體管關電流和開關比性能上顯著優于常見給體-受體共聚物材料，表明全受體結構是實現單極性n-型聚合物材料的有效途徑,為新型受體單元和單極性n-型材料的設計提供重要參考依據。

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