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該項(xiàng)目以基片集成類導(dǎo)波結(jié)構(gòu)的工作機(jī)理與創(chuàng)新應(yīng)用為主線，對(duì)這類結(jié)構(gòu)及器件的傳輸特性、損耗機(jī)理等基礎(chǔ)科學(xué)問題進(jìn)行了深入研究，提出了半模基片集成波導(dǎo)等多種新型平面導(dǎo)波結(jié)構(gòu)，發(fā)展了相應(yīng)的設(shè)計(jì)方法，并發(fā)明了一系列新型高性能微波毫米波器件，部分器件已得到實(shí)際應(yīng)用。

LaAgSb2，這是一種二維層狀結(jié)構(gòu)材料，分別在207 K和184 K發(fā)生兩個(gè)電荷密度波相變。這兩個(gè)相變對(duì)應(yīng)的電荷密度波的調(diào)制波矢非常小（或者說實(shí)空間的調(diào)制周期非常大），尤其是高溫對(duì)應(yīng)的相變其超格子調(diào)制周期幾乎接近原晶格周期的40倍。利用紅外光譜，他們發(fā)現(xiàn)低頻光電導(dǎo)譜存在顯著的壓制，揭示電荷密度波相變導(dǎo)致單粒子激發(fā)譜上有能隙打開，絕大部分自由載流子由于費(fèi)米面上打開能隙而丟失。尤其有意義的是，利用超快泵浦探測(cè)他們發(fā)現(xiàn)低溫存在兩個(gè)集體激發(fā)模式，其能量尺度非常小，在低溫極限下分別只有0.12 THz（～0.5 meV）和0.34 THz（～1.4 meV）。通過改變探測(cè)光波長(zhǎng)等多種實(shí)驗(yàn)條件，他們確認(rèn)這兩個(gè)集體模式分別對(duì)應(yīng)于兩個(gè)電荷密度波相變的振幅子集體激發(fā)模式。這是首次在電荷密度波材料中觀察到能量尺度如此之小的振幅子激發(fā)

1、成果簡(jiǎn)介 超聲振動(dòng)紅外熱像（熱波）無損檢測(cè)設(shè)備以超聲激振被檢測(cè)對(duì)象，以紅外熱成像方式檢測(cè)物體的內(nèi)部缺陷，具有單次檢測(cè)面積大、速度快、可單面檢測(cè)、不必拆下總裝后的部件、可在外場(chǎng)使用等優(yōu)點(diǎn)。是一種適合于任何固體材料結(jié)構(gòu)內(nèi)部裂紋、分層或脫粘缺陷檢測(cè)的可視化檢測(cè)設(shè)備。主要檢測(cè)對(duì)象有：材料內(nèi)部微裂紋，復(fù)合材料的分層、脫粘和撞擊損傷，熱障涂層和陶瓷部件上的微裂紋，管道內(nèi)壁的裂紋和腐蝕坑，C/C復(fù)合材料上的裂紋，固體發(fā)動(dòng)機(jī)絕熱層脫粘，航天膠接結(jié)構(gòu)脫粘，焊縫內(nèi)部裂紋。該設(shè)備和技術(shù)是2001年以來4.5次國(guó)家自然科學(xué)基金、3次航空科學(xué)基金、2次航天支撐技術(shù)基金共同資助下的自主創(chuàng)新研究成果，具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，有廣闊的應(yīng)用前景。 典型技術(shù)指標(biāo)： 最大激振功率：50-2600W； 圖像分辨率：320*240～620*480； 檢測(cè)時(shí)間：5s； 單次檢測(cè)面積：500mm*375mm及以上。 具體指標(biāo)可根據(jù)實(shí)際需要的技術(shù)、經(jīng)濟(jì)性能合理調(diào)整。2、應(yīng)用說明 用于各類材料、結(jié)構(gòu)內(nèi)部缺陷的無損檢測(cè)，如：材料內(nèi)部微裂紋，復(fù)合材料的分層、脫粘和撞擊損傷，熱障涂層和陶瓷部件上的微裂紋、脫粘，管道內(nèi)壁的裂紋和腐蝕坑，C/C復(fù)合材料上的裂紋，固體發(fā)動(dòng)機(jī)絕熱層脫粘，航天膠接結(jié)構(gòu)脫粘，焊縫內(nèi)部裂紋。應(yīng)用單位有航天二院201所、北京衛(wèi)星制造廠，技術(shù)合作單位有航天6院389廠、北京航空材料研究院。3、效益分析該設(shè)備和技術(shù)是自2001年以來4.5次國(guó)家自然科學(xué)基金、3次航空科學(xué)基金、2次航天支撐技術(shù)基金共同資助下積累的自主創(chuàng)新研究成果，具有國(guó)際先進(jìn)的技術(shù)水平，有臺(tái)式、移動(dòng)、便攜形式，有廣闊的應(yīng)用前景。

本發(fā)明公開了一種基于波矢測(cè)量的紅外成像探測(cè)芯片，包括面陣紅外折射微透鏡、面陣非制冷紅外探測(cè)器和驅(qū)控預(yù)處理模塊；其中，面陣非制冷紅外探測(cè)器位于所述面陣紅外折射微透鏡的焦面處，被劃分成多個(gè)陣列分布的子面陣非制冷紅外探測(cè)器，每個(gè)子面陣非制冷紅外探測(cè)器包括數(shù)量和排布方式相同的多個(gè)陣列分布的光敏元；面陣紅外折射微透鏡包括多個(gè)陣列分布的單元紅外折射微透鏡，每單元紅外折射微透鏡與一個(gè)子面陣非制冷紅外探測(cè)器對(duì)應(yīng)。本發(fā)明的紅外成像

針對(duì)爆破振動(dòng)波、沖擊波對(duì)周邊環(huán)境和建筑物影響，本團(tuán)隊(duì)組織開展技術(shù)攻關(guān)，主要成果包括： 1.首次基于現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)，驗(yàn)證了多次鉆爆沖擊波作用下，單層鋼化玻璃的疲勞破壞現(xiàn)象；制定臨建建筑物多次爆破沖擊波破壞效應(yīng)的控制標(biāo)準(zhǔn)。 2.總結(jié)與圍巖等級(jí)相匹配的量產(chǎn)常用炸藥類型、水封爆破技術(shù)；建立了炸藥、巖石不同匹配值與爆破塊度之關(guān)系：對(duì)強(qiáng)度大于30MPa的III級(jí)及以上硬質(zhì)圍巖，應(yīng)采用2號(hào)巖石乳化炸藥；對(duì)強(qiáng)度介于5-30MPa的IV級(jí)軟巖，應(yīng)采用二級(jí)煤礦許用炸藥。對(duì)強(qiáng)度小于5MPa的V圍巖，應(yīng)采用三級(jí)煤礦許用炸藥，最優(yōu)阻抗匹配系數(shù)為2.53-3.30。另據(jù)試驗(yàn)結(jié)果知，為滿足隧道施工中裝運(yùn)碴土要求，炸藥巖石阻抗匹配并非在匹配系數(shù)為1.0時(shí)最優(yōu)，而在1.98-3.30之間，且圍巖強(qiáng)度越低，其對(duì)應(yīng)最優(yōu)阻抗匹配值越大。發(fā)現(xiàn)在藥量相同的情況下，水封爆破的振速小于常規(guī)爆破振速的非慣性推測(cè)現(xiàn)象，水封爆破有明顯的減振作用。初步分析認(rèn)為，一是水封不同于水介質(zhì)爆破；二是“水袋+炮泥”的可靠堵塞比常規(guī)堵塞和不堵塞工況，使爆破振動(dòng)的各向分布均勻化所致。隧道水封爆破相比常規(guī)爆破工藝，具有降低炸藥單耗，提高能量利用率，提高循環(huán)進(jìn)尺，降低振速，減小粉塵濃度等優(yōu)勢(shì)，具有良好的技術(shù)經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效應(yīng)。 圖1 測(cè)點(diǎn)布置示意圖 圖2 玻璃前后沖擊波超壓峰值變化曲線 圖3 爆破沖擊波反復(fù)作用下鋼化玻璃現(xiàn)場(chǎng)發(fā)生破裂

本發(fā)明公開了一種基于毫米波通信天線差速旋轉(zhuǎn)方式的毫米波天線對(duì)中控制系統(tǒng)。本發(fā)明的對(duì)中控制系統(tǒng)由多個(gè)相同的對(duì)中控制裝置組成，對(duì)中控制裝置分別設(shè)置在不同的毫米波天線通信站點(diǎn)中；每個(gè)對(duì)中控制裝置包括天線轉(zhuǎn)動(dòng)模塊、位置信息檢測(cè)模塊、天線信息采集傳感器和對(duì)中控制模塊；天線轉(zhuǎn)動(dòng)模塊、位置信息檢測(cè)模塊和天線信息采集傳感器分別與對(duì)中控制模塊。本發(fā)明能有效提高毫米波天線對(duì)中精度，實(shí)現(xiàn)天線自動(dòng)化對(duì)中通信，減少對(duì)中前的準(zhǔn)備工作和數(shù)據(jù)交換工作，增加毫米波的通信保密性，實(shí)現(xiàn)毫米波通信機(jī)動(dòng)性、可靠性及野外自適應(yīng)特性。

由東南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院尤肖虎教授、趙滌燹教授牽頭，聯(lián)合成都天銳星通科技有限公司、網(wǎng)絡(luò)通信與安全紫金山實(shí)驗(yàn)室等單位完成的“Ka頻段CMOS相控陣芯片與大規(guī)模集成陣列天線技術(shù)”項(xiàng)目成果通過了中國(guó)電子學(xué)會(huì)組織的現(xiàn)場(chǎng)鑒定。 由中國(guó)工程院鄔賀銓院士、陳左寧院士、李國(guó)杰院士、呂躍廣院士、丁文華院士以及來自中國(guó)移動(dòng)、信通院、華為、中興、大唐電信和國(guó)內(nèi)5所高校的共15位專家組成的鑒定委員會(huì)對(duì)該項(xiàng)成果進(jìn)行了現(xiàn)場(chǎng)鑒定并給予了高度評(píng)價(jià)，一致認(rèn)為：該項(xiàng)目解決了硅基CMOS毫米波Ka頻段相控陣芯片和天線走向大規(guī)模推廣應(yīng)用的核心技術(shù)瓶頸問題，成功研制了Ka頻段CMOS相控陣芯片，并探索出了一套有效的毫米波大規(guī)模集成陣列天線低成本解決方案，多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)屬首創(chuàng)；在硅基CMOS毫米波技術(shù)路線取得重大突破，在大規(guī)模相控陣天線集成度方面國(guó)際領(lǐng)先；成果在5G/6G毫米波和寬帶衛(wèi)星通信等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，在該領(lǐng)域“卡脖子”技術(shù)上取得關(guān)鍵突破，已在相關(guān)應(yīng)用部門得以成功推廣應(yīng)用。 目前，用于射頻芯片的40nm和28nm CMOS工藝特征頻率已經(jīng)超過250GHz，在理論上完全可以滿足毫米波應(yīng)用需求。毫米波硅基CMOS集成電路技術(shù)的突破，將帶來無線通信行業(yè)的一次變革，解決相控陣系統(tǒng)“不是不想用，只是用不起”的問題，把毫米波芯片及大規(guī)模相控陣變成來一種極低成本的易耗品。相比鍺硅工藝和化合物半導(dǎo)體工藝，CMOS工藝在成本、集成度和成品率上具有巨大優(yōu)勢(shì)，但其輸出功率相對(duì)較低，器件本身寄生效應(yīng)較大。項(xiàng)目組經(jīng)過長(zhǎng)達(dá)6年的技術(shù)探索與創(chuàng)新，克服了毫米波CMOS芯片技術(shù)的固有瓶頸問題，所研制的芯片噪聲系數(shù)為3dB，發(fā)射通道效率達(dá)到15%，無需校準(zhǔn)便可實(shí)現(xiàn)精確幅相調(diào)控；基于大規(guī)模相控陣的波束成形能力，克服了毫米波CMOS芯片輸出功率受限的問題。

本發(fā)明公開了提供的一種用于復(fù)合波片光軸對(duì)準(zhǔn)的裝夾裝置，該裝置包括電控旋轉(zhuǎn)臺(tái)、固定波片卡盤和旋轉(zhuǎn)波片卡盤；波片支架安裝在電控旋轉(zhuǎn)臺(tái)，固定波片卡盤與電控旋轉(zhuǎn)臺(tái)基座連在一起，旋轉(zhuǎn)波片卡盤與電控旋轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)盤連在一起，使用時(shí)，將安裝有晶片的波片支架安裝在固定波片卡盤和旋轉(zhuǎn)波片卡盤上。本發(fā)明提供的裝夾裝置可以實(shí)現(xiàn)在對(duì)復(fù)合波片光軸進(jìn)行高精度對(duì)準(zhǔn)時(shí)，對(duì)組成復(fù)合波片的各晶片進(jìn)行夾持，并保證不同晶片間能產(chǎn)生高精度高分辨率的相對(duì)轉(zhuǎn)動(dòng)。與現(xiàn)有波片夾具相比，本發(fā)明所提供的裝夾裝置不僅能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)兩片晶片的夾持和精確定位，而且能夠使兩片晶片間產(chǎn)生高精度高分辨率地相對(duì)轉(zhuǎn)動(dòng)，更適合用于復(fù)合波片光軸的對(duì)準(zhǔn)過程。

本發(fā)明公開了一種具有良好吸波性能的納米晶稀土鐵基吸波材料及其制備方法，該材料的特征在于 將配比為重量百分比為2％～70％稀土元素與5％～98％的鐵以及少量摻雜元素熔煉成稀土-鐵基合金，再在 0-700℃的溫度范圍內(nèi)與氫氣反應(yīng)(氫爆方法)破碎成細(xì)小粉末或球磨成細(xì)小粉末，然后在100℃-1000℃ 溫度范圍內(nèi)與氫氣反應(yīng)生成主相為稀土氫化物(RHx)和α-Fe的復(fù)合材料，最后將上述復(fù)合材料在低溫 氧化或氮化或氮化加氧化，制備出稀土氧化物或氮化物/α-Fe為主的復(fù)合材料。這種材料具有吸波性能好， 屏蔽波段寬，耐腐蝕，抗氧化以及價(jià)格低廉的特點(diǎn)，可用于建筑電磁屏蔽、信息及通訊技術(shù)保密、軍事隱 身技術(shù)等領(lǐng)域。

本發(fā)明公開了一種高增益低副瓣的毫米波封裝天線，包括引線框架，引線框架上設(shè)有毫米波IC芯片和毫米波天線，毫米波IC芯片與毫米波天線之間實(shí)現(xiàn)高頻互連，還包括封裝罩，封裝罩將毫米波IC芯片與毫米波天線密封在引線框架內(nèi)，毫米波天線包括輻射單元，封裝罩上對(duì)應(yīng)毫米波天線輻射單元的位置處設(shè)有喇叭狀凹槽，喇叭狀凹槽的槽壁表面被金屬覆蓋。本發(fā)明通過在封裝罩上設(shè)計(jì)喇叭狀凹槽，能夠有效提升天線的增益，降低天線的副瓣電平，并且不影響回波損耗性能，從而能夠?qū)崿F(xiàn)小型化、低成本和高性能的毫米波封裝天線。